半導體
美光HBM營收強勁成長50%,示警DDR4將面臨嚴重短缺
連于慧 2025.6.26
美光本季財報終於不再讓分析師失望,高頻寬記憶體HBM一飛沖天,加上資料中心中的低功耗LPDRAM獨家大量供貨的成果,已明顯反映在財報上,終於讓分析師露出甚感欣慰的一抹微笑! 以下是美光財報的技術與產品進展重點,分為有市場關心的DDR4停產狀況、AI伺服器用HBM、DRAM和NAND先進製程的展望:
關於DDR4和LPDDR4的停產(EOL):
美光指出,DRAM先進製程包括1β和1γ將專注生產最新一代產品如DD5、LP5和HBM,不會用來生產DDR4和LP4產品。DDR4和LP4是採用1α DRAM製程生產,美光更強調,幾個月前就已向行動、客戶端、資料中心和消費等客戶發出DDR4和LP4的停產通知,唯一例外的是針對支援汽車、工業、國防和網路等領域長期且需求相對較低的客戶,會持續供應1α DRAM產品。
美光預期,DDR4最終發貨時間將在兩到三個季度後,預計到2025年財年下半,DD4產品佔總營收會下降到僅個位數,DDR4的缺貨在短期內會日益嚴重,目前手上DD4的庫存分配情況,正在與客戶討論,盡量滿足其需求。
AI伺服器用的HBM記憶體:
第三季會計年度財報中,美光的HBM收入較上一季度增加50%。
12層HBM3E良率和產能都持續提,預計HBM市佔率將在2025年下半年達到與整體 DRAM市佔率相當的水平。
AMD Advancing AI 大會上宣布美光的 HBM3E 36GB獲得Instinct MI355X GPU 平台採用。美光表示,目前正在向四家客戶大量出貨HBM產品(涵蓋GPU和ASIC平台)。
隨著生成式 AI 工作負載的規模和複雜性不斷增長,對 HBM 的效能需求也不斷提升。美光的HBM4會採用成熟的1β DRAM 技術,並結合內部開發和製造的CMOS邏輯基礎晶片,可提供超過2.0 TB/s的單記憶體堆疊頻寬,相較上一代晶片,性能會提升60%以上。再者,與HBM3E的功耗性能相比HBM4功耗將會降低20%。目前美光已向多家客戶交付 HBM4 樣品,預計2026年會配合客戶量產。
DRAM技術製程進展:
在1γ(1-gamma)DRAM技術製程上,良率提升速度已經超過1β(1-beta)製程上創下的紀錄。第三季度也完成了幾個關鍵的產品里程碑,包括首批基於1γ的LP5 DRAM認證樣品的出貨。
美光在1γ DRAM上導入了極紫外光微影技術EUV,與1β DRAM相比,美光的1γ DRAM位元密度提升30%,功耗降低20%以上,效能提升15%,之後會在整個DRAM產品組合中運用1γ技術。
HBM收入較上一季度增加50%,美光整個DRAM事業營收創下新高的另一個推手,是高容量 DIMM和低功耗伺服器 DRAM,該組合的解決方案在本季營收再創新高。美光率先在伺服器上導入低功耗 DRAM,目前是唯一大量交貨的供應商,這也使得高容量DIMM和低功耗伺服器產品,在2025財年的營收貢獻,與去年同期成長了5倍。
NAND Flash和SSD技術與產品進度:
美光在資料中心SSD領域,已成功問鼎市佔率第二。
美光已開始對基於G9 2TB QLC NAND 的SSD產品進行認證,並持續提升G9製程的產能。
資料中心SSD的市佔率也是逐季創新高,本季伺服器的9550高效能SSD正式進入NVIDIA GB200 NVL72 推薦供應商名單,並完成了多家原始OEM商的更多客戶認證。
PC市場:
美光預期2025年PC市場出貨量將以低個位數百分比成長,未來幾個季度,會是AI PC普及和Windows 11升級週期的關鍵。
手機市場:
2025年智慧型手機出貨量將維持低個位數成長,AI仍是智慧型手機DRAM容量成長的主力,目前一般智慧型手機的記憶體容量僅為8GB,未來搭載記憶體朝12GB或更大容量邁進。
美光目前採用1β和1γ技術製程生產LP5X DRAM,以及採用8G和9G技術製程生產UFS4 NAND產品。在本季度,已開始出貨基於1γ製程的LP5X記憶體的認證樣品,為2026年的旗艦智慧型手機記憶體做足準備。
汽車和工業和消費嵌入式市場方面:
美光預計 L2 和 L3 自動駕駛輔助系統ADAS,以及支援AI的車載資訊娛樂系統的普及率會不斷提高,將推動記憶體和儲存容量的成長,以及更高頻寬的需求。因此,美光在汽車市場推出業界首款支援9.6 Gbps高速的1β雙通道 LP5 DRAM,已於本季度量產。
工業領域方面,工廠自動化趨勢下,客戶對AI應用投資加快腳步,但DDR4和LPDDR4供應受限、通路庫存低,使得DDR4產品價格不斷上漲。
製造回流美國政策:
在川普倡導製造回流美國的政策下,美光才宣布將在未來 20 多年內在美國投資約 2,000 億美元,其中包括 1,500 億美元用於製造,500 億美元用於研發。
作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分,美光在先前已宣布的計劃基礎上額外投資 300億美元,包括在愛達荷州建造第二座NAND Flash晶圓廠,以及擴建和現代化位於弗吉尼亞州的現有晶圓廠,主要是應用在汽車、航空航天、國防和工業領域的晶片。美國的 DRAM 晶圓產能達到規模後,也將會引進先進封裝產能,以支持AI伺服器中HBM記憶體高速的成長。美光強調,正對全球營運進行嚴格的投資,隨著時間的推移並且根據需求來增加供給。
在愛達荷州的第一座晶圓廠 ID1已經在2025年6月實現里程碑,預計該廠房將在2027年下半年開始投產首批DRAM晶圓。位於愛達荷州的第二家晶圓廠ID2在受益於ID1的規模化生產經濟效益,並增強研發中心的共址優勢,從而提高效率並縮短上市時間。之前美國的「晶片法案」給了美光61億美元補助款,用於紐約州和愛德荷州Boise蓋兩座晶圓廠,美光將會先從紐約的晶圓廠投入生產。
市場展望:
部分客戶可能因關稅相關因素提前拉貨,但客戶端也不斷暗示今年下半年的需求仍是很好。
美光預計2025年產業DRAM位元需求成長率將達到10%左右,NAND位元需求成長率將達到兩位數左右,非HBM DRAM和NAND位元供應成長率,將低於產業位元需求成長率。從中期來看,美光預期DRAM 和 NAND的產業需求複合年增長率將達到中等水平。
因為製程轉換,美光2025 財年末的NAND晶圓產能會較2024財年末減少10%。
庫存:
第三季會計年度末,美光庫存為87億美元,庫存週轉天數為139天,庫存季減2.8億美元。公司也指出,預計在2025財年結束時,DRAM庫存將保持緊俏,NAND庫存將大幅減少。
美光本季財報終於不再讓分析師失望,高頻寬記憶體HBM一飛沖天,加上資料中心中的低功耗LPDRAM獨家大量供貨的成果,已明顯反映在財報上,終於讓分析師露出甚感欣慰的一抹微笑! 以下是美光財報的技術與產品進展重點,分為有市場關心的DDR4停產狀況、AI伺服器用HBM、DRAM和NAND先進製程的展望:
關於DDR4和LPDDR4的停產(EOL):
美光指出,DRAM先進製程包括1β和1γ將專注生產最新一代產品如DD5、LP5和HBM,不會用來生產DDR4和LP4產品。DDR4和LP4是採用1α DRAM製程生產,美光更強調,幾個月前就已向行動、客戶端、資料中心和消費等客戶發出DDR4和LP4的停產通知,唯一例外的是針對支援汽車、工業、國防和網路等領域長期且需求相對較低的客戶,會持續供應1α DRAM產品。
美光預期,DDR4最終發貨時間將在兩到三個季度後,預計到2025年財年下半,DD4產品佔總營收會下降到僅個位數,DDR4的缺貨在短期內會日益嚴重,目前手上DD4的庫存分配情況,正在與客戶討論,盡量滿足其需求。
AI伺服器用的HBM記憶體:
第三季會計年度財報中,美光的HBM收入較上一季度增加50%。
12層HBM3E良率和產能都持續提,預計HBM市佔率將在2025年下半年達到與整體 DRAM市佔率相當的水平。
AMD Advancing AI 大會上宣布美光的 HBM3E 36GB獲得Instinct MI355X GPU 平台採用。美光表示,目前正在向四家客戶大量出貨HBM產品(涵蓋GPU和ASIC平台)。
隨著生成式 AI 工作負載的規模和複雜性不斷增長,對 HBM 的效能需求也不斷提升。美光的HBM4會採用成熟的1β DRAM 技術,並結合內部開發和製造的CMOS邏輯基礎晶片,可提供超過2.0 TB/s的單記憶體堆疊頻寬,相較上一代晶片,性能會提升60%以上。再者,與HBM3E的功耗性能相比HBM4功耗將會降低20%。目前美光已向多家客戶交付 HBM4 樣品,預計2026年會配合客戶量產。
DRAM技術製程進展:
在1γ(1-gamma)DRAM技術製程上,良率提升速度已經超過1β(1-beta)製程上創下的紀錄。第三季度也完成了幾個關鍵的產品里程碑,包括首批基於1γ的LP5 DRAM認證樣品的出貨。
美光在1γ DRAM上導入了極紫外光微影技術EUV,與1β DRAM相比,美光的1γ DRAM位元密度提升30%,功耗降低20%以上,效能提升15%,之後會在整個DRAM產品組合中運用1γ技術。
HBM收入較上一季度增加50%,美光整個DRAM事業營收創下新高的另一個推手,是高容量 DIMM和低功耗伺服器 DRAM,該組合的解決方案在本季營收再創新高。美光率先在伺服器上導入低功耗 DRAM,目前是唯一大量交貨的供應商,這也使得高容量DIMM和低功耗伺服器產品,在2025財年的營收貢獻,與去年同期成長了5倍。
NAND Flash和SSD技術與產品進度:
美光在資料中心SSD領域,已成功問鼎市佔率第二。
美光已開始對基於G9 2TB QLC NAND 的SSD產品進行認證,並持續提升G9製程的產能。
資料中心SSD的市佔率也是逐季創新高,本季伺服器的9550高效能SSD正式進入NVIDIA GB200 NVL72 推薦供應商名單,並完成了多家原始OEM商的更多客戶認證。
PC市場:
美光預期2025年PC市場出貨量將以低個位數百分比成長,未來幾個季度,會是AI PC普及和Windows 11升級週期的關鍵。
手機市場:
2025年智慧型手機出貨量將維持低個位數成長,AI仍是智慧型手機DRAM容量成長的主力,目前一般智慧型手機的記憶體容量僅為8GB,未來搭載記憶體朝12GB或更大容量邁進。
美光目前採用1β和1γ技術製程生產LP5X DRAM,以及採用8G和9G技術製程生產UFS4 NAND產品。在本季度,已開始出貨基於1γ製程的LP5X記憶體的認證樣品,為2026年的旗艦智慧型手機記憶體做足準備。
汽車和工業和消費嵌入式市場方面:
美光預計 L2 和 L3 自動駕駛輔助系統ADAS,以及支援AI的車載資訊娛樂系統的普及率會不斷提高,將推動記憶體和儲存容量的成長,以及更高頻寬的需求。因此,美光在汽車市場推出業界首款支援9.6 Gbps高速的1β雙通道 LP5 DRAM,已於本季度量產。
工業領域方面,工廠自動化趨勢下,客戶對AI應用投資加快腳步,但DDR4和LPDDR4供應受限、通路庫存低,使得DDR4產品價格不斷上漲。
製造回流美國政策:
在川普倡導製造回流美國的政策下,美光才宣布將在未來 20 多年內在美國投資約 2,000 億美元,其中包括 1,500 億美元用於製造,500 億美元用於研發。
作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分,美光在先前已宣布的計劃基礎上額外投資 300億美元,包括在愛達荷州建造第二座NAND Flash晶圓廠,以及擴建和現代化位於弗吉尼亞州的現有晶圓廠,主要是應用在汽車、航空航天、國防和工業領域的晶片。美國的 DRAM 晶圓產能達到規模後,也將會引進先進封裝產能,以支持AI伺服器中HBM記憶體高速的成長。美光強調,正對全球營運進行嚴格的投資,隨著時間的推移並且根據需求來增加供給。
在愛達荷州的第一座晶圓廠 ID1已經在2025年6月實現里程碑,預計該廠房將在2027年下半年開始投產首批DRAM晶圓。位於愛達荷州的第二家晶圓廠ID2在受益於ID1的規模化生產經濟效益,並增強研發中心的共址優勢,從而提高效率並縮短上市時間。之前美國的「晶片法案」給了美光61億美元補助款,用於紐約州和愛德荷州Boise蓋兩座晶圓廠,美光將會先從紐約的晶圓廠投入生產。
市場展望:
部分客戶可能因關稅相關因素提前拉貨,但客戶端也不斷暗示今年下半年的需求仍是很好。
美光預計2025年產業DRAM位元需求成長率將達到10%左右,NAND位元需求成長率將達到兩位數左右,非HBM DRAM和NAND位元供應成長率,將低於產業位元需求成長率。從中期來看,美光預期DRAM 和 NAND的產業需求複合年增長率將達到中等水平。
因為製程轉換,美光2025 財年末的NAND晶圓產能會較2024財年末減少10%。
庫存:
第三季會計年度末,美光庫存為87億美元,庫存週轉天數為139天,庫存季減2.8億美元。公司也指出,預計在2025財年結束時,DRAM庫存將保持緊俏,NAND庫存將大幅減少。