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連于慧 2025.12.8
記憶體產業現在是全線全面出現結構性斷層，舊規格的DDR4因為三星、SK海力士、長鑫存儲全面退出下，半年時間價格上漲四倍，唯一有充足DDR4貨源的南亞科被全球客戶追著跑。但近期三星有主導DRAM漲勢從DDR4轉向DDR5移動的跡象，傳出11月底三星一口氣把16G DDR5合約價拉到19.5美元，逼近20美元，相較上一次合約價DDR5整整上漲超過100％。

三星雙手一攤，對下游客戶表示「沒貨！」 這一招，把11月底最新出爐的16G DDR5合約價硬是拉到19.5美元，從9美元拉上來，快速追上現貨價格，等同是一口氣把合約價拉升100％。業界也覺得這招夠狠，讓客戶不管是繼續留在DDR4規格，或是產品設計轉進DDR5，都是跑不掉的貴，且無處可逃，只能乖乖任憑宰殺。

另外，11月底出爐的16G DDR4最新合約價也拉到18美元。原本市場以為經歷上一波又急又猛的漲幅後，現貨價開始出現由漲轉跌的訊號，似乎整個DRAM漲勢最陡峭的波段告終，沒想到進入12 月後，卻是迎來DDR5更兇狠的漲式，DDR4漲勢也不想休息，只能說這次三星控盤能力不減當年，不愧是記憶體老手，非常「懂玩！」

值得一提的是，當DRAM漲勢原本是舊規格的DDR4最兇猛，現在開始DDR5合約價快速點火下，南亞科傳出大利多消息，新量產的DDR5顆粒已經通過微星、技嘉等主機板廠認證，而且DDR5產能全部被金士頓包下，原本市場認為南亞科最大弱點是只有DDR4產品，一旦這波DDR4缺貨潮過去，舊產品的紅利將會結束。但現在看來，南亞科不但滿手價格飆漲的DDR4，DDR5如期量產並且通過認證被金士頓全包產能，隨著DDR5產出比重逐漸放大，南亞科未來是DDR4和DDR5兩隻腳同步會越走越穩。

南亞科的16G DDR5是採用10奈米級第二代製程（1B）生產，今年中開始生產，第四季開始放量，也穩定供貨給客戶，接下來是第三、四代1C和1D製程。同時也有客製化的高頻寬記憶體HBM項目與客戶合作中。

這一波記憶體的全面上漲始於AI基建化的概念，與過去週期性暴漲暴跌的價格，已經完全不同，客戶結構與層次也與過去完全不一樣。過去，記憶體最大的客戶是手機、PC，這次由AI驅動的記憶體革命客戶是美國的Google、Amazon、微軟、Meta、OpenAI、Oracle，可以再加計中國四大雲端客戶的「隱形」買盤，包括阿里、騰訊、字節跳動、百度，無論是美國中國雲端服務CSP，背後象徵的意義都是算力與國力，這樣的買盤可以看成在建置巨大「算力」幫國家做AI基建，以下幾個數據和趨勢可參考：


通用伺服器＋AI伺服器合計對DRAM產能的消耗在2025年正式超越手機，佔比超過50％




展望2026年，DRAM位元供給成長率約20％，但需求成長率達26%，代表中間的供需缺口至少6％




三星、SK海力士、美光的新廠房建設完成的時間點至少都要到2027年下半，加上採購設備到位、安裝、投片、試產，到進入實際的量產週期，這些新產房要貢獻產能，預計也要到2028年。




LPDDR應用仍是以手機為最大宗，但自從LPDDR開始被伺服器採用後，將會對手機領域造成嚴重排擠，除了產能排擠之外，有一個關鍵原因是：記憶體廠將LPDDR賣給伺服器會比手機廠商的規格更高，價格可以高出50％，所以犧牲了給手機廠的LPDDR產能。換個角度看，手機廠商為了確保足量的產能，也一定會競價搶貨。只要產能、不問價錢，真真切切成為2026年記憶體產業的主軸。




這一波DRAM價格到底漲多少？ 從2025年5月底算起到11月底，估計DDR4合約價大約上漲四倍，DDR5合約價上漲三倍，展望2026年供需缺口仍大，價格會持續上漲。




這一波記憶體全面缺貨潮是從AI用的HBM高頻寬記憶體開始，初期HBM利潤最好，為了搶進Nvidia供應鏈，所有資源都傾斜到HBM上，嚴重擠壓DDR5、DDR4、LPDDR產能。但現在開始出現「反排擠」現象，隨著DDR5、DDR4價格在半年內漲了3～4倍，利潤已經和HBM差不多了。原廠掐指一算，一些舊規格的HBM例如HBM3/HBM3e等，利潤可能還不如標準型DRAM，於是，傳出三星開始思考將部分舊規格的HBM減產，可能回頭生產標準型DRAM產品，或是升級幾台設備去滿足客戶更多的更高規格HBM4的需求。這種「反排擠」是合理的現象，目前記憶體產業的產能真的非常非常吃緊，在沒有新產能加入的情況下，必須在現有的產能配置上，將「利潤最大化」!




中國的記憶體產能不會是PC廠的救火隊！ 長鑫存儲明年要拼IPO了，要IPO就要端出最高大上的題材，DDR4利潤再好，上市審議過會的時候，總不能跟人家說…因為舊產品DDR4現在賺大錢了，所以我們決定回頭多做一點，這樣IPO上不了檯面。近期長鑫發布了新一代的DDR5和LPDDR5X產品，預計2026年全面量產，這個題材可以讓長鑫的競爭對手直接挑戰三星、美光等國際大廠，檔次完全是從地方本土劇直上Netflix，這才是IPO時端得上檯面的題材。再者，長鑫的總產能到2026年底，會從28萬片提升至30萬片，屬於原本的規劃，都不是新增產能，不會打亂這一波記憶體超級循環。




2026年記憶體產業「上肥下瘦」格局確立，記憶體廠全面大賺，中小型通路商在拿不到貨、沒有特殊管道下，會出現糧荒後的生存危機。糧荒有多嚴重？ 連美光自己都宣布的結束旗下專門做消費性業務的Crucial品牌，因為實在沒有足量的NAND晶片可以去支援消費性產品，產能都被雲端CSP大廠吸走，可見這一波DRAM、NAND缺貨潮是產業結構性的新常態，不會是短暫週期性現象。另外，是下游OEM/ODM組裝廠、手機廠等，須面臨晶片不足和漲價的困擾，勢必壓縮利潤或下修出貨量。


 

連于慧 2025.8.12
美光昨天突發裁撤位於上海將近300名NAND Flash相關的軟體工程師，只留了少部分的FAE人員，主因是公司考慮到手機UFS和eMMC業務沒有利潤，決定全面退出該業務，未來只會賣NAND Flash晶圓給下游的模組廠客戶，讓他們自己去做成UFS和eMMC成品。

據供應鏈透露，美光該策略轉向，主要是AI產品前景的成長性節節攀升，相較之下，傳統PC、智慧型手機等產品需求不突出，因此決定把NAND Flash所有資源都專注在AI伺服器資料中心的業務上，放棄手機記憶體業務。

在2022年，美光也曾宣布撤出上海研發中心的DRAM設計工程團隊，傳出當時公司有提供當地的部分核心員工攜帶家屬移民美國的選項，而當時美光結束上海DRAM設計部門的原因，是基於防止技術外洩的討考量。但這次美光裁撤上海研發部門NAND Flash相關軟體工程師，主要原因應該手機UFS和eMMC業務利潤太低，美光計畫退出，把資源全集中在拼AI資料中心上。

在此之前，美光在內的其他記憶體原廠包括三星、SK海力士、中國長鑫存儲等也都宣布陸續退出DDR4，專注在DDR5和AI伺服器用的HBM記憶體上。顯示AI時代潮流下，為了卡位商機，打贏這場AI這場時代大競賽，全球所有記憶體廠都重新分配資源，只要是利潤不高、不具戰略意義價值的產品性，會陸續被捨棄掉。

DDR4在原廠陸續退出的激勵下，價格出現史上難得一見的暴漲期。有網友說，短短兩個月不到DDR4 3200 32GB單支價格上漲超過50％，DDR4 3200 16GBx2價格上漲47％，這根本比川普的關稅還賺！

根據TrendForce統計，7月消費型DDR4合約價飆漲超過60～85％，因此上修第三季消費性電子DDR4合約價將季增80～90％。PC OEM廠買不到DDR4晶片，只能增加DDR5晶片的機種，DDR4晶片在PC DRAM市場上呈現「價漲量縮」格局，未來在伺服器市場，預計以會加速由DDR4轉進DDR5。

至於智慧型手機上使用的LPDDR4X，多數的記憶體原廠還未停產，不過市場認為未來邁向減少供應，甚至是停產也會是趨勢。TrendForce也統計，第三季上修該產品的價格至季增38～43％。新一代的LPDDR5X主要是應用在中高階的智慧型手機、NB、AI伺服器等產品上，第三季合約價上調幅度，估計約季增10～15％。

美光剛剛宣布上調第三季財測，原本預估單季營收為104億～110億美元、季增11％～18％，毛利率會介於41～43％，ESS介於2.35~2.65美元; 上修後，美光宣布的財測數字為111億~114億美元，季增19.3％～21.4％，毛利率介於44～45％，EPS介於2.78~2.72美元。

 

連于慧 2025/2/25
這一波記憶體股價瘋狂反彈的節奏中，誰的漲勢最為凌厲？ 不是南亞科，也不是華邦，是三星記憶體代理商擎亞。 擎亞這一波的凌厲漲勢來自於三星HBM題材，其實2023年擎亞就拿下三星HBM的代理權，但當時三星HBM量還非常小。直到2024年中，擎亞代理三星HBM炒過一波，但因為去年下半年市場狀況不好，HBM題材也沒有太好的表現。

擎亞在今日的法人說明會中釋出三個關鍵訊息：
第一，拿下三星HBM大中華地區的獨家代理權
第二，三星低階的HBM2系列，預計會在年中EOL（end of life），下半年交貨會以HBM3和HBM3E系列為主。
第三，三星HBM營收2025年將佔擎亞營收至少50％。（根據公司2024年說法是佔20~25%，今年看法大幅調升佔比）

2025年擎亞的HBM代理狀況相較於2024年會有些不一樣，今年擎亞拿到的三星HBM代理權屬於大中華區，不只是台灣代理權。主要是受到川普重返白宮後的影響，美國對中國的高科技管制只會趨嚴，尤其是雙方強烈對峙、比拼國力的AI關鍵戰場上，美國絕對緊緊掐中，而HBM記憶體更是高階AI技術的必要戰略物資。

過去三星有高比例的HBM是供應給中國客戶。如今，基於此大國博弈的背景下，為了避免美國反彈或是被限制從中國出貨，三星從2024年中起，就將多數的HBM發貨地轉到台灣發貨，擎亞也從三星台灣HBM獨家代理商，變成三星HBM大中華地區的獨家代理商，涵蓋台灣和中國的HBM發貨。







在HBM應用上，市場多數圍繞在三星的HBM3E未能打入Nvidia供應鏈的話題，甚至傳出三星必需要重新設計。 AI晶片除了Nvidia之外，GPU供應商還有AMD，據了解AMD也是三星HBM的重要客戶之ㄧ。其他如雲端CSP業者也都在開發自己的ASIC晶片，也都需要搭配HBM記憶體，亞馬遜AWS也是三星HBM客戶。

尤其在「窮人版AI」的DeepSeek問世後，不見得所有的語言模型都需要去買Nvidia最高等級的GPU，也給了其他零組件很多敲開AI大門的機會。

在毛利率方面，擎亞代理的三星HBM產品線毛利率高達5～8％，相較之下，代理三星其他零組件如CIS、OLED、等等的平均毛利率只有2～3％高很多。法人預估，未來毛利率是逐季攀升。

三星會將AI世代最重要的HBM記憶體代理權交給擎亞，而不是給其他同樣是往來很久的代理商如至上等，可能是因為擎亞的三星代理業務上，比較偏重晶圓代工業務，而HBM雖然是記憶體，但主要是與邏輯元件搭配出貨。

更關鍵是，擎亞也扶植兩家子公司CoAsia SEMI及CoAsia NEXELL，分別著重在IC設計的前端與後端工程，IC設計客戶將可透過擎亞，到三星去投片，有點像是世芯和創意的角色，主要就是招攬AI晶片相關的客戶。

 

連于慧 2025/1/9

2024年幾乎每1～2個月都會有三星HBM3E即將通過Nvidia測試通過的消息出來，很像是街坊鄰居三不五時就會關心一下三星「肚皮有沒有動靜」、「什麼時候能添個金孫」、「這次能一舉得男吧！」，突然間三星在全世界多了許多「關心」他的公公婆婆（想必三星壓力是頂天大）。一直到2024年下半，韓國媒體都還在放消息說：快了快了、馬上、即將…會通過Nvidia認證。不過，三星在10月份的投資人會議中也透露雙方合作延宕的訊息。

黃仁勳在CES 2025記者會上直接給出答案：三星的HBM需要全新設計，才能通過Nvidia對於HBM的驗證。

老黃畢竟是非常懂得說會之道且情商超高的人，也補充說：三星是家非常優秀的公司，我相信三星能克服這些困難。 記者追問三星測試也太久了吧？ 黃仁勳回答更妙：韓國人總是比較急（impatient），但這是件好事，Nvidia使用的第一款HBM就是三星做的，相信他們最終一定能成功生產出來，就如同我相信明天是星期三！（記者會當天是星期二）

目前SK海力士是HBM3E記憶體的主要廠商，2024年初8層HBM3E晶片量產交貨，相隔僅半年，2024年下半就再度宣布12層HBM3E晶片量產，容量增加50%。自2013年，SK海力士開始供應從第一代HBM2到第五代HBM3E完整的HBM產品線。海力士的HBM4晶片預計2026年量產。

美光最新的HBM3E晶片，也成功打入Nvidia的H200供應鏈，而且公司也指出，2025年HBM晶片已售罄，被誰買光光大家心裡應該都很清楚（最近換皮衣的那位！！）再者，美光的HBM4晶片也預計會在2026年量產的，應用在Nvidia的Rubin R100產品上。

眼看SK海力士和美光的HBM3E都開始與Nvidia配合，接下來新一代技術更是與台積電保持緊密的技術搭配，三星非常著急！但著急沒有用，2024年著急了一整年，也還是沒有通過認證，接下來要看2025年了。也有人說三星的HBM技術一直沒做好，是因為早期銷售市場以中國為主，當地對於HBM認證的要求不高，所以最後與SK海力士的差距越來越遠。而現在，黃仁勳透露，三星的產品需要「重新設計」。

HBM除了用在現在最夯的AI服務器上，未來自動駕駛輔助系統ADAS對HBM需求也開始升溫。SK海力士已宣布，HBM2E已供應給美國自駕車公司Waymo，三星也表示將在2027年推出車用HBM4E。隨著未來Level 5自駕車需要的記憶體容量、頻寬等條件，已讓目前的傳統車用記憶體無法承擔，因為未來自動駕駛技術會加入AI來增加應變和處理速度，因此也需要HBM記憶體。
 

連于慧 2024/12/18
AI和非AI造成全球科技產業極度懸殊的貧富差距，也反映在記憶體產業上！ 傳統DRAM和NAND Flash乏人問津，高頻寬記憶體HBM卻是洛陽紙貴，原本在該領域腳步一直落後的台系記憶體廠，也決定高調出招！ 南亞科董事會宣布參與DRAM IC設計公司補丁科技的現金增資，以總投資額不超過新台幣6.6億元，現增後取得補丁38%股權。據了解，雙方要一起開發類HBM技術。

補丁科技是何方神聖？ 補丁科技原本就是南亞科的子公司，由丁達剛創立。最早期，丁達剛曾在英特爾、貝爾實驗室工作，1990年代回台灣後，次微米計畫發展DRAM技術時，由美國回來的盧超群、丁達剛、趙瑚、毛敘、陳冠中等人一同實現了自有DRAM技術的量產，之後更是創立了鈺創科技，而基於微米計畫發展的DRAM自有技術也在1994年成立世界先進，當時世界先進就是做DRAM自有技術，一直到2004年才轉型為晶圓代工至今。丁達剛在鈺創成立初期擔任過IC設計副總，也在南亞科工作過，後來成立補丁科技至今，一直是從事DRAM IC設計領域。

補丁科技研發的高頻寬記憶體為HBLL-RAM，立體堆疊記憶體的技術做法和華邦的Cube、力積電/愛普的解決方案類似，都是不需要用到台積電的CoWoS封裝技術。

在應用市場面上，台積電、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封裝是鎖定雲端資料中心伺服器，而南亞科/補丁、華邦、力積電/愛普的解決方案比較偏向鎖定邊緣Edge AI領域，訴求是運算高性能AI計算時，能耗非常低。

據了解，南亞科以10nm DRAM製程和補丁科技一起針對客製化高頻寬記憶體的合作，是要一起開發第二代的HBLL 2。業界人士分析，南亞科內部一直有開發設計這種客製化類HBM技術的團隊，只是一直沒有浮上檯面，這次公開與補丁科技攜手，可能是南亞科內部的類HBM技術開發團隊進度還未成熟，同時補丁科技此時也有資金需求，因此雙方決定一起開發類HBM技術，希望能加速AI應用技術的突破。

記憶體廠佈局AI領域是一道不能迴避的必考題。但是，如果直接去挑戰HBM技術，等同是和美光、SK海力士、三星這幾家DRAM大廠競爭雲端資料中心市場，其技術門檻之高，需要投入資金之龐大，對於台灣記憶體廠而言，完全不實際，更何況三星這樣的強勢競爭者都可以屢屢受挫。

如何做出類似傳統HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封裝技術，繞開台積電的CoWoS封裝技術，是台灣記憶體廠商正在做的解決方案。更重要的是，台記憶體廠這樣做法不需要最先進製程的技術，只需要用成熟的半導體技術就可以實現，差別在於容量密度和耗電，特別適合用在邊緣AI領域。這種類HBM的做法，也比傳統且真正的HBM記憶體便宜非常多，台廠也能利用高性價比的優勢，來創造出一些客製化和特殊需求的市場，來開創藍海。
 

連于慧 2024/12/9
台積電創辦人張忠謀隔了26年，終於出版自傳下冊，今日下午台灣政商圈重要嘉賓都出席新書發表會。在場，許久未露面的前台積董事暨法務長陳國慈與魏哲家並排而坐互動熱絡，看得出兩人交情不錯。林百里一到現場就很主動跟跟在場嘉賓魏哲家、陳國慈、曾繁城、陳良基、殷琪、王伯元、陳俊聖、錢國維、張孝威、苗豐強等一一握手寒暄。殷琪和王伯元並肩而坐，兩人頻繁互動，王雪紅、黃崇仁、陳泰銘、宋學仁也都低調前往。

台積電高階經營階層參與者也不少，有大家都很熟悉的何麗梅、TSIA理事長侯永清、發言人黃仁昭、最年輕剛升官的副總李文如、身負重任的中生代副總莊瑞萍、廠務大將莊子壽、持有TSMC股票超過百億的傳奇林錦坤、負責OIP生態的魯立忠，還有前台積電高層林坤禧、王建光等。以及，世界先進董事長方略。

蔡英文的開場分享蠻有梗的，她眼裡的張忠謀講話比法律人更直接，在書中不太用形容詞在人或事上面，張淑芬是唯一例外。張忠謀六次代表台灣出席APEC經濟領袖會議，每一次都會問清楚任務，行程結束回來後更會說明達成了哪些部分。蔡英文透露一個小故事，去年張忠謀最後一次去APEC之前，知道他對稿子的要求很高，因此蔡英文早早親自參與準備致詞稿給張忠謀，誰知道張在不知道稿件有蔡的參與下，還把稿子給退了。

蔡英文指出，台灣20年前地緣政治和現在不一樣，當時開放主力的八吋晶圓到中國大陸佈局一事，政府承受贊成和反對的雙邊壓力，蔡時任陸委會主委，也擔心台積電晚一步到大陸設立八吋晶圓會失去先機，沒想到張忠謀告訴她：如何兼顧中國市場和保持台灣技術領先已有想法，政府禁就禁，撤就撤，一切配合。蔡英文表示，作為當時的執政團隊，她心中只有感激，也因為台積電一直堅持先進製程根留台灣，讓台灣半導體成為世界級的產業，十分佩服張忠謀的遠見與宏觀。

談到英特爾：
直至今日，張忠謀談到英特爾，仍是強調他一直把英特爾當朋友，無論是就個人情感或是公司層面。個人方面，張忠謀與英特爾兩位創辦人Robert Noyce和Gordon Moore算是第一代半導體人，30多歲年輕時常常一起開技術會議，晚上一起喝啤酒、唱歌、吃飯，跟英特爾後來幾任CEO也都是朋友，直到最近這位剛走路的CEO，好像跟我們敵對似的。

他對於英特爾目前困境的看法，非常一針見血，認為如果沒有新策略，也沒有新CEO，這是比較難的。同時他也不斷提到，董事會是關鍵。

張忠謀認為在四年前，英特爾董事會對於公司的策略和未來缺乏定見，導致誰的口才好就找誰來當CEO，結果是Pat最會講話，他見過Pat兩次，確實也覺得Pat口才確實不錯，但是找公司CEO用這種誰口才好就採取誰的策略，這是很不好的。張忠謀進一步說，也許他們（英特爾）有策略，只是沒有公開說，正在找能夠執行的人，假如是這種情況，那問題比較簡單。

他也認為，英特爾應該要專注AI，而不是走Pat路線做Foundry，關鍵還是要看董事會怎麼想了！ 今日在談到英特爾困境時，張忠謀數度提到董事會應該要為今日英特爾的困局負最大責任，包括會找Pat當CEO和買單他的策略，也是董事會該負責。

談三星：
張忠謀點出，三星所面臨的問題，看起來不是決策上的錯誤，而是技術問題，也就是技術策略的問題。他在自傳中提到，三星做記憶體是「誘惑與野心的致命交集」，三星前會長李健熙曾說台灣要做記憶體是做不來的，不如跟三星合作，張忠謀以「不知道的魔鬼，比知道的更險惡」 （Better the devil you know than the devil you don't）形容，直到現在，他仍是認為跟三星合作恐怕不太好。

談黃仁勳：
張忠謀談到邀請黃仁勳擔任台積電的CEO，是因為認識對方十幾年，黃無論是品格、視野、專業等特質都很好。他表示，自己和Robert Noyce和Gordon Moore都屬於第一代半導體人，是做IC的，第二、三代半導體人是computer science、怎麼設計IC，黃仁勳算是第二代或第三代。張忠謀也提到自傳中也寫到邀請黃仁勳出任台積電CEO的這一段往事，有特別徵詢黃的同意才發表在自傳中。黃仁勳還特別問了：CC（魏哲家）會不會在乎？ 張忠謀回答：我想他不會在乎。

張忠謀也點出即使當年黃仁勳有興趣，要過的關也不少。當年黃仁勳手上還有7.5%技術股，對公司是有責任要履行的，不能拿了就走，就算黃仁勳想帶走，台積電也不能讓他保留股份的同時，又擔任公司CEO，這對客戶會有偏袒的問題。所以，即使他願意離開Nvidia到台積電，也不能讓他保留股份，他自己應該也清楚這中間問題很多。如果他當年答應了，就不是現在的夜市走路有風的「兆元男」了。

 

連于慧 2024/12/3
美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊（前兩次出口管制為2022/10、2023/10）：HBM、華為、設備材料，另外還有EDA。整個管制清單串起來，針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的，連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

HBM限制：管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB，目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值，意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過，這項規定有的豁免方式，就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片，這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖，但三星對於中國市場的依賴度比較高，極力遊說HBM2可以持續供應，甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨，就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨，以保證不會單獨銷售到對岸。（就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣，油條不單賣就對了…）不過最後結果看來，只要封裝後的HBM2即有豁免權，也沒限制在哪裡封裝，主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

武漢新芯：估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲，所以被盯上。

為什麼每次的出口管制，長鑫存儲始終能置身事外？ 這問題很多人問，傳出長鑫在美國的遊說團強而有力，也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術，在美國適用的法規是管制度較低的EAR99，目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備，以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

還有，長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖，是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做，直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲，那可能不能只管制一家，得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商，還包括三星西安、SK海力士無錫廠，這代價太大了！

華為體系：芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司，毫不意外都上清單。

設備材料：幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖，包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中，章閣儀器是昇维旭旗下的，深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過，當今這種氣氛下，中微還是不要當唯一例外比較好，免得被當成美國同路人。

EDA：華大九天。這家是中國EDA龍頭，估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具，因此上了清單。

投資機構：建廠資本、智路資本（這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團）

聞泰：上清單感覺最倒霉的是聞泰，不過就做的汽車晶片，然後躺著也中槍，可能是太有名了。

傳三家VEU企業被撤銷：原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體，傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU（Validated End User），經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目，無需額外申請許可證，這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
 

連于慧 2024/11.12

中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失，導致出現上數萬片晶圓報廢事件，甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉，該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長，當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為，原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱，如果該事件導致有不良品低價賣到市場，恐進一步壓抑DRAM價格。
 

在生成式AI需求爆炸性帶動下，全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上，更成為SK海力士、美光、三星競技戰場，反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash，因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟，一直乏人問津，今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中，因為大量消耗wafer，大幅排擠DDR5的產能，帶動價格攀升，但實則效果有限，再加上DDR4和DDR3庫存問題，實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
 

中國記憶體廠的大舉擴增產能動作，一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到，近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為，隨著美國出口管制一年年趨嚴，中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段，在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，其實是不令人意外。因此，原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。不過，根據供應鏈人士指出，這事件應該是人為失誤，因此出現有高管被撤換。
 

據了解，長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片，將逐步朝月產能30萬片邁進，主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4，也開始跨入DDR5、LPDDR5X，並且計劃跨入HBM記憶體，傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上，隨著產能不斷擴大，首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下，DRAM價格也確實一直被壓抑。
 

長鑫存儲成立於2016年，與長江存儲同年成立，當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科（南亞科和德商英飛凌合資），全球DRAM產業陷入一陣大整頓，於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作，當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快，華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走，當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
 

幾年後，長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分，大多數都讓本地員工取代。據悉，長鑫在台籍員工多數離職後，從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長，當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
 

長鑫存儲目前產能超過20萬片，除了合肥廠，也有北京廠，今年以來更增加上海廠，據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時，長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體，從HBM2切入。
 

半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為，一直傳言美國出口管制禁令的重點，會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查，應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然，下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
 

業內人士透露，對於美國出口管制鎖定HBM一事，最緊張的是三星，因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia，美光也成功獲得Nvidia認證，一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
 

相較起來，三星對於中國市場的依賴度最高，仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶，如果接下來HBM輸中被列入出口管制，對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍，例如只管制HBM3以上，但就規格的HBM2以下希望能放行。

連于慧
過去曾是張忠謀口中的兩隻「700磅大猩猩」的英特爾與三星，前者在COMPUTEX期間CEO積極巡攤位與下游OEM廠搏感情; 另一家三星則是SEMICON Taiwan期間，與台積電高層坐在台上華山論劍談AI，兩家公司高層中間還特別隔著一個Google代表，微妙的距離看上去是「友達以上，合作未滿」！
 



在「AI晶片世紀對談」中，作為論壇主持人的日月光執行長吳田玉話鋒犀利指出：你們看這AI商機多大、多美好，迫使我們得跟韓國的朋友（指同在台上的三星）來討論AI這個議題。話一說完還不忘問台積電共同營運長米玉傑「我這樣說有太超過嗎？」


他也不斷拋出同一個議題讓大家思考：今日我們對AI的投資如此巨大，包括三星、SK海力士、台積電在硬體製造上高度資本密集的投入，還有先進封裝、設備材料行業極力往前衝，但最大的受益者卻是美國，且前方回收之日十分漫長。
 



三星記憶體業務副總李禎培Jung-bae Lee認為，現在只是投資播種期而已，呼籲要有耐心。
 



確實，在AI時代已經明顯落後的三星，不但需要展現耐心極力追趕，更對勁敵台積電努力拋出橄欖枝。其實，就算三星想選擇「躺平」...大客戶Nvidia也絕對不會允許！
 



只是，進入HBM4技術世代後，三星面臨的壓力會比以往更巨大，因為要面臨記憶體和邏輯兩大勁敵SK海力士和台積電的攜手合作。




 



從HBM4技術開始，記憶體與邏輯之間的邊界開始被打破，台積電更是直接嶄露跨足記憶體的雄心，與SK海力士宣布合作共同開發HBM4記憶體，將於2026年正式量產。
 



在HBM領域已經落後的三星，眼看SK海力士和台積電合作，心中著急自是不言而喻，在SEMICON TAIWAN 2024中，三星表示，HBM4合作將不限於自家晶圓代工廠，對台積電揮手的意圖十分明顯。
 



翻開台積電的歷史，身為半導體常勝軍的張忠謀，DRAM一直是他的魔咒。台積電在1994年主導成立世界先進做DRAM，卻在2000年之後宣布退出，從此專注在邏輯製程領域，不碰記憶體。
 



沒想到在20年後，AI這股颶風讓台積電順理成章打開記憶體大門，更與一向是對立面的韓國，並肩作戰成為技術盟友！
 



為什麼HBM會需要台積電邏輯製程技術的幫助？ 
 



HBM的架構是將DRAM晶片堆疊在Base Die（基礎裸晶）之上，再用矽穿孔TSV技術結合，之前HBM的Base Die是用DRAM製程做，但從HBM4開始，考慮到需要更強大的運算功能和傳輸速度加快，HBM的Base Die需要改成用由先進邏輯製程生產。而SK海力士沒有邏輯先進製程，因此需要與台積電合作，預計雙方合作的HBM4產品會用到台積電的5奈米製程。
 



李禎培在「AI晶片世紀對談」論壇中也指出，為了打破限制，HBM必須加入邏輯處理的技術，提供客製化HBM，現在三星HBM4的Base Die已經交給晶圓代工廠。
 



他更強調，HBM4技術世代後，記憶體業者、晶圓代工廠、客戶三方之間的合作越將更為緊密，而三星本身有記憶體、晶圓代工等業務，可滿足客戶一條龍式生產服務。再者，三星記憶體已準備好Base Die的IP解決方案，可以提供給客戶自行設計，保持代工服務彈性，因此未來合作並不限於三星自己的晶圓代工廠。
 



SK海力士社長金柱善（Justin Kim）也出席了大師論壇，表示2024年以來已經來台灣十次了！ 至於為何而來，台下聽眾皆是會心一笑。
 



SK海力士與三星一同出席SEMICON TAIWAN 2024舉辦的大師論壇，是這兩家韓系記憶體廠首次在台灣同台競技，目的都是拉攏台灣的半導體產業供應鏈。
 



這要感謝AI時代，把台灣產業鏈的重要性提升到另一個高度與層次，讓台灣成功掌握PC、智慧型手機時代後，又站在AI時代的浪潮頂峰！
 



金柱善表示，台灣和南韓之間要密切合作，能彰顯高度價值，不僅是對眼前業務有利，也是為了因應解決前方挑戰而共同努力。
 



他也表示，SK海力士在HBM領域享有最高的全球市占率，HBM3E是市面上最具主導地位的產品，預計9月就會推出12層堆疊的HBM3E產品，應用在AI伺服器上。同時，SK海力士的HBM4也在研發中，將配合客戶量產時程，在結合自己HBM技術和台積電的先進製程代工，將會誕生無與倫比的產品。

鈺創董事長盧超群出席力積電銅鑼12吋廠啟用儀式時對《SEMICONVoice》表示，AI廣泛使用的高頻寬記憶體HBM要堆疊8層、16層，售價高達300美元～600美元，這在半導體產業根本是天價，而且還一堆客戶都搶著要買。
 



盧超群進一步分析，現在HBM記憶體還在技術與良率的摸索期，良率瓶頸要完全打開至少要花上2～3年時間，因此HBM對傳統DRAM產能的排擠才剛開始而已。
 



重點是，現在三大DRAM廠都在搶著爭奪HBM巨大商機，每一家記憶體廠都想當HBM老大，根本沒有力氣去對付傳統DRAM，更是傾公司所有資源和最優秀的工程師都去做HBM，預期下半年利基型DRAM產業會供給量不足，價格一定會水漲船高。
 



DRAM業界人士更對《SEMICONVoice》透露，投產HBM記憶體不單有耗損wafer面積的問題，且HBM投產製程周期是DDR5的三倍之多，良率又還沒拉上來，現在HBM商機大爆發，但DRAM廠的生產和產能準備沒跟上腳步。
 



尤其，過去兩年記憶體廠財報出現鉅額虧損，因此都沒有積極擴增新產能，只是把原本減產的部分逐漸恢復正常生產，但這對於未來AI時代所需要用到的DRAM和NAND Flash產能根本不夠，現在又有HBM技術瓶頸，未來DRAM產能會十分緊俏。
 



或許你覺得現在終端需求還不好，但半導體產業鏈已經渡過漫長的庫存消化，等到PC、手機、伺服器的需求都恢復正常後，客戶和通路商開始會回補庫存，DRAM吃緊的問題會更加嚴重。
 



市調機構TrendForce也發布報告指出，在403地震前，原先預估第二季DRAM合約價會上漲約3～8%，而最新統計出來的數據是上修漲幅大漲至13～18%。
 



針對HBM排擠DRAM產能的程度，三星的HBM3e產品是採用1alpha製程節點，預計到2024年底將占用1alpha製程產能約60%，會排擠到DDR5供給量。尤其，第三季HBM3e進入生產放量的時間點，買方已經同意提前到第二季備貨，以防第三季HBM供應會出現短缺。
 



TrendForce也統計，HBM位元需求可望高度成長，2024年將成長近200%，2025年再進一步倍增。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%，2025年將有機會突破30%。
 



身為HBM龍頭的SK海力士也指出，DRAM產業需求確實之前較為疲弱，但下半年需求逐漸復甦，加上HBM會吃掉更多的產能，隨著越來越多DRAM產能挪移去生產HBM，傳統DRAM供應量勢必會減少，且慢慢地，供應鏈現有的庫存都會消化殆盡，看好DRAM後勢價格走勢。
 



SK海力士也宣布，2024年HBM產能全部售罄，2025年產能基本上也賣完，為了鞏固SK海力士在HBM領域的領先地位，計畫5月會推出12層堆疊的HBM3E樣品，規劃第三季進入量產。
 



更早前，美光也宣布2024年HBM產能全部售罄，2025年產能多數產能也都被預訂。HBM全球狂熱的程度，算是記憶體史上罕見！
 



SK海力士為了鞏固HBM技術的領先地位，也宣布最新世代堆疊16層的HBM3E技術研發進度，目標是2026年進入量產。據了解，相較12層的HBM，SK海力士的16層HBM以相同的高度堆疊更多DRAM晶粒（die），更關鍵的是能同步減少DRAM厚度，並防止出現晶圓翹曲（warpage），SK海力士為克服這些技術難題，從HBM2E開始就採用領先的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術，並且不斷進行改良。
 



在HBM大戰中，長年龍頭的三星居然成為SK海力士的手下敗將，日前傳出不服輸的三星，精挑細選集結了100名頂尖的工程師，組成一支HBM團隊，目的就是爭取Nvidia的HBM訂單，讓良率和品質能通過Nvidia的標準，進而一步步蠶食鯨吞SK海力士手上的訂單。
 



三星目前的重心是在全球首款36GB 12層堆疊HBM3E，相較堆疊8層的HBM產品，堆疊12層的HBM3E可讓AI學習速度提升34%。三星總裁兼執行長慶桂顯Kye Hyun Kyung指出：“第一回合輸了，但第二回合是非贏不可。”

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三星從2年前就規劃逐步要退出DDR3供應，市場傳出，原本計畫2024年底要針對DDR3做EOL（end-of-life）現在提前至2024年中停止生產DDR3，而SK海力士在DDR3晶片上的供應原本就不多，預計未來會更淡出DDR3供應之列。業界預期，DDR3提前退役，可望加速DDR3庫存消化，準備啟動另一番漲勢。
 



記憶體今年市況不錯，主要是2023年上游原廠虧損嚴重，開始從源頭控盤拉抬價格，這招式是千年不變，萬年受用！NAND Flash和DRAM產業也在這一輪的景氣循環中，正大光明地走出谷底，等待終端需求大力添加柴火。
 



這一波DRAM產業有兩個題材，一是AI需要的高頻寬記憶體HBM對於DDR5的排擠效應，且HBM真的吃掉很多記憶體的Wafer產能; 第二是韓系國際記憶體大廠年底前要陸續退出DDR3的生產之列。
 



兩大韓廠三星、SK海力士要退出DDR3生產已經規劃許久，日前傳出最大供應商三星原本是計劃年底前停止生產，基於產能配置，提前到2024年中停止生產DDR3，SK海力士原本的DDR3供應數量就很少，逐步淡出符合預期規劃，這對於台灣DRAM相關廠商是好消息。
 



HBM在AI時代成為要角，記憶體產業主軸是“排擠”。

首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未來在技術、產能、資源分配上，無論是SK海力士、三星或美光，絕對是全力搶占HBM市佔率，AI才是未來主角。因此，這些大廠不可能會有太多產能給傳統的DRAM，HBM對DDR5產能的排擠，恐怕剛開始而已。除非，你覺得AI是泡沫，是曇花一現，你覺得ChatGPT很快會消失。
 



業界分析，HBM生產週期包含TSV封裝，比DDR5的生產週期至少多出1.5個月，HBM3E的Wafer面積更是DDR5的三倍大。假如投片16Gb DDR5顆粒，每片Wafer的Gross die是1800顆，同樣的Wafer拿去生產HBM3E，搞不好只剩下600顆。
 



DRAM廠為了解決HBM瓶頸且拉升良率，只會有越來越多的DRAM產能轉移到HBM身上。有消息指出，HBM平均良率約在65%左右，但業界認為實際的良率其實更低。而且，HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都不能用。另外，HBM的生命週期又比傳統DRAM短。
 



美光執行長Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因為包含了邏輯控制晶片，加上更複雜的封裝堆疊，且生產HBM過程會很大幅度影響良率，因此生產HBM3和HBM3E會吃掉很大部分的DRAM Wafer供應。
 



輝達Nvidia執行長黃仁勳也指出，HBM是技術奇蹟，它的技術非常複雜，但能提高AI效能，附加價值非常高，他非常重視與SK 海力士、三星在HBM記憶體上的合作關係。
 



全球市場中，HBM市佔率最高的是SK海力士，其次是三星，兩者合計應該有占90%市場，美光排名第三。
 



目前，SK 海力士的 HBM3E已經量產，輝達Nvidia絕對是優先出貨的重要客戶。
 



三星的8層HBM3E在量產時程上微幅落後，外傳，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。幸好，三星最終仍是拿下輝達H200訂單。三星也強調自己將會推出業界首款12層HBM3E，是目前容量最高HBM產品，預計會很快量產。

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