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連于慧 2024/12/3
美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊（前兩次出口管制為2022/10、2023/10）：HBM、華為、設備材料，另外還有EDA。整個管制清單串起來，針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的，連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

HBM限制：管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB，目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值，意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過，這項規定有的豁免方式，就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片，這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖，但三星對於中國市場的依賴度比較高，極力遊說HBM2可以持續供應，甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨，就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨，以保證不會單獨銷售到對岸。（就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣，油條不單賣就對了…）不過最後結果看來，只要封裝後的HBM2即有豁免權，也沒限制在哪裡封裝，主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

武漢新芯：估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲，所以被盯上。

為什麼每次的出口管制，長鑫存儲始終能置身事外？ 這問題很多人問，傳出長鑫在美國的遊說團強而有力，也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術，在美國適用的法規是管制度較低的EAR99，目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備，以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

還有，長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖，是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做，直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲，那可能不能只管制一家，得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商，還包括三星西安、SK海力士無錫廠，這代價太大了！

華為體系：芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司，毫不意外都上清單。

設備材料：幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖，包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中，章閣儀器是昇维旭旗下的，深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過，當今這種氣氛下，中微還是不要當唯一例外比較好，免得被當成美國同路人。

EDA：華大九天。這家是中國EDA龍頭，估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具，因此上了清單。

投資機構：建廠資本、智路資本（這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團）

聞泰：上清單感覺最倒霉的是聞泰，不過就做的汽車晶片，然後躺著也中槍，可能是太有名了。

傳三家VEU企業被撤銷：原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體，傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU（Validated End User），經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目，無需額外申請許可證，這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
 

連于慧 2024/11/27
在美國新一輪出口管制即將公佈之際，傳出美國網通大廠已對供應商發出通知函，要從嚴執行提供晶片原產地證明COO（Certification of Original），供應商的產品不能有中國製造，且COO的標準認定更由晶片的最終封裝地點，升級為追溯晶片和光罩產地，確保不是中國製造後的「洗產地」。這次是美國網通設備大廠先執行，業界在觀察未來是否所有消費性電子產品都會跟進。（先前已有Dell先要求所有產品逐漸去中化，傳HP評估跟進中）。
 
關於美國可能進一步要求「去中化」，且嚴格限制晶片產地的消息，我們在7月中有一篇詳盡報導《美國擴大中國成熟製程關稅力道，傳晶片產地認定將追溯至前段半導體製造》。業界透露，網通設備有國家安全考量，因此必須嚴格追溯晶片產地可以理解，但不一定會擴及至所有消費性電子產品，除非有官方規定。
 
先前，傳出PC大廠戴爾已經開了第一槍，要求從美國市場銷售的產品開始，目標在2026年前，PC、ＮB、伺服器和周邊產品如鍵盤、電源供應器等產品內部晶片產地都要完成去中化。雖然Dell出面否認，但業界都心知肚明，這是美國政策引導的方向，像是Dell和HP這樣規模的指標性大廠，以及這次傳出要求供應商提供COO證明的美國網通大廠思科，必須要在官方政策正式出台前，先下手執行。
 
晶片產地「去中化」嚴格實施後，有三個趨勢會更為明確：

第一，是全球科技產品供應鏈分為中國製和非中國製兩套系統運作的趨勢明確。未來，供應鏈安全為第一優先考量，生產成本的考量其次。
 
第二，中國不斷大力擴建成熟製程產能，未來如果只能使用在中國境內產品，會陷入自己卷自己，出現嚴重供過於求。即使產能滿載，都不一定能有合理利潤，只能依靠政府補帖重點企業，然後再來一場嚴峻的淘汰賽。
 
第三，中國以外的成熟製程產能（即台灣邏輯和記憶體半導體廠），眼前有危機，但也深具轉機。表面上的危機是中國因為成熟製程產能供過於求，把價格殺很低。但從另一個角度看，全球晶片「去中化」已經開始多年，只是沒有徹底執行。川普2.0捲土重來，在對中的科技戰略上不會手軟。拜登在最後任期開始從嚴管制，預計川普上任後，科技廠只能選邊站，沒有模糊空間。當所有科技產品的成熟製程投片都必須「去中化」時，台系半導體廠、記憶體廠有機會來一場翻身戰。
 
未來電子產品內的晶片如果都要求去中化，至少在美國市場銷售的部分，所有成熟製程必須大量依賴聯電、世界先進、力積電。記憶體最大獲益者當然是正宗美國招牌的美光，其次是南亞科和華邦兩大記憶體晶圓廠，這兩家台廠大量供應消費性電子、網通設備用的成熟製程利基型記憶體晶片，未來會獲得最大轉單機會。再者，台系記憶體IC設計鈺創和晶豪等，也不能偷偷去中系記憶體廠投片，要乖乖回台系記憶體廠的體系投片。至於兩大韓系記憶體廠三星和SK海力士，主要戰場還是在AI應用上的HBM記憶體。
 
在晶片「去中化」背景下，台系成熟製程大廠聯電、世界先進、力積電，以及記憶體廠南亞科和華邦是唯一可以承接的晶圓代工訂單的供應商群。其他如GlobalFoundries規模有限，英特爾的晶圓代工部門拼的也是對標台積電的先進製程，其成熟製程也只能拉聯電一起合作。
 
現在半導體產業的最大問題不是「紅潮」，是終端需求不振。中國的成熟製程產能再擴下去，只會自己卷自己，最後殺到自己，非中系的供應鏈只要設下防火牆，是可以跳脫紅潮危機的。
 
整體來看，2024年下半的終端需求有比上半年好一些，但仍是反應季節性的旺季不旺。有個很重要的產業背景是，需求不振已經持續很多年了，意即經過多年的消化庫存，現在供應鏈的庫存也處於低水位，只待終端需求一點火，整個產業鏈就會動起來。
 
當前台灣成熟製程廠雖然面臨地緣政治挑戰，但也是前所未有的轉機。川普第一次上任時，把華為禁掉，當時大家認為台積電失去華為這位大客戶，恐面臨訂單空窗期，但事實證明是所有非中系客戶訂單都搶著遞補上來。（當然後來加入疫情背景，供應鏈擔心斷鏈下的搶晶圓潮）。未來歐美會延續供應鏈安全第一的準則，基本上所有成熟製程的晶片都只能依靠台灣，台灣成熟製程半導體廠、記憶體廠的訂單回籠，是遲早的事。
 
關於中國的成熟製程廠，還有一個思考面向。美國和歐洲對於中國不斷擴增成熟製程產能，已經著手防禦。不久前，更傳出美系半導體設備大廠包括應用材料(Applied Materials)和科林研發（Lam Research），要求他們的零組件供應商不能有中國色彩，以遵循美國的出口管制。另外，雖然美國也要求設備廠尤其是ASML要中斷對中國半導體廠的機台設備售後維修服務，但這一點ASML並未同意。在2022年美國出台的出口管制後，基本上只要是美國公民包括綠卡持有者，都不能繼續在中國半導體廠生產基地工作，當時有一波半導體設備廠外國人員撤出潮。
 
業界指出，要設備廠中斷維修服務，業者多半不願意遵從，因為售後服務也是設備廠一大生意來源，不可能斷然放棄，有些還有合約問題，無法直接違約，但這部分後續發展，可能要看美國會動用多少行政手段干預，這也會牽涉中國成熟製程機台後續的維修問題。


 

連于慧 2024/11.12

中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失，導致出現上數萬片晶圓報廢事件，甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉，該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長，當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為，原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱，如果該事件導致有不良品低價賣到市場，恐進一步壓抑DRAM價格。
 

在生成式AI需求爆炸性帶動下，全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上，更成為SK海力士、美光、三星競技戰場，反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash，因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟，一直乏人問津，今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中，因為大量消耗wafer，大幅排擠DDR5的產能，帶動價格攀升，但實則效果有限，再加上DDR4和DDR3庫存問題，實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
 

中國記憶體廠的大舉擴增產能動作，一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到，近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為，隨著美國出口管制一年年趨嚴，中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段，在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，其實是不令人意外。因此，原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。不過，根據供應鏈人士指出，這事件應該是人為失誤，因此出現有高管被撤換。
 

據了解，長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片，將逐步朝月產能30萬片邁進，主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4，也開始跨入DDR5、LPDDR5X，並且計劃跨入HBM記憶體，傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上，隨著產能不斷擴大，首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下，DRAM價格也確實一直被壓抑。
 

長鑫存儲成立於2016年，與長江存儲同年成立，當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科（南亞科和德商英飛凌合資），全球DRAM產業陷入一陣大整頓，於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作，當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快，華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走，當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
 

幾年後，長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分，大多數都讓本地員工取代。據悉，長鑫在台籍員工多數離職後，從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長，當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
 

長鑫存儲目前產能超過20萬片，除了合肥廠，也有北京廠，今年以來更增加上海廠，據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時，長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體，從HBM2切入。
 

半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為，一直傳言美國出口管制禁令的重點，會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查，應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然，下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
 

業內人士透露，對於美國出口管制鎖定HBM一事，最緊張的是三星，因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia，美光也成功獲得Nvidia認證，一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
 

相較起來，三星對於中國市場的依賴度最高，仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶，如果接下來HBM輸中被列入出口管制，對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍，例如只管制HBM3以上，但就規格的HBM2以下希望能放行。

連于慧 2024/11/10

台積電自2024年11月11日起，多數7奈米製程（包含7奈米）以下晶片將先暫停對中國客戶投片，未來採取逐一審核取得美國商務部許可證的方式，來放行下單。該消息最早傳出是停止所有中國7奈米以下客戶的投片，因此被部分人解讀為「假新聞」、「假消息」，事實上不算是停止投片，只是投片前先要先審查，再者也不是所有7奈米製程的客戶都會被拒絕投片。這邊想強調的是，很多最早期獲得的消息細節，確實很難做到100%完全精準，但大方向沒錯，其實不應該以一句「假新聞」來評論或概括整個事件。  
 



先來談談中國7奈米製程被暫時叫停的起源，這肯定與華為找了白手套迂迴繞道拿到台積電7奈米製程產能脫不了干係。美國最近氣氛很詭異，包括商務部主動公開GlobalFoundries自首在3～4年前出貨給黑名單上的中國公司而被罰50萬美元，美眾院中國特別委員會近期又發函給ASML、應用材料、東京威力科創TEL、科林研發Lam Research、KLA等半導體設備公司，要求提供中國客戶清單和出貨細節，更提到讓中國購買製造晶片的設備，等同是幫助俄羅斯取得武器，並威脅台灣安全。
 



看來在川普勝選確定再度入主白宮後，民主黨拜登最後幾個月任期的態度轉為強硬，為的是不讓川普上台後有太多把柄可以抨擊，尤其是對中國的出口管制措施方面，接連爆發一連串的漏洞。
 



台積電針對中國客戶在7奈米製程以下暫停投片，採取先審查發許可證的方式進行，有些人說是美國商務部要求，也有人認為是台積電為了在此敏感期間能更精準把內控做好，主動執行該策略。根據我們掌握的消息指出，美國商務部的人上周確實在台灣拜會幾家公司，當然重點是會晤台積電高層。因此，在此時傳出台積電暫停中國客戶部分7奈米製程投片，我們可以合理推測，與美國商務部或主動、或被動的要求脫不了干係。（我們比較傾向認為是商務部主動提出的要求，或是美方要求中國客戶7奈米以下全部禁止投片，但台積電提議可以從晶片條件來把關，而非是全部都禁止。）
 



談一談台積電針對中國7奈米以下製程的客戶，在投片前須先審批獲得許可證，大概是有哪些限制？
 



根據我們掌握的消息，不會是所有7奈米以下客戶都不能在台積電投片。首先，手機等消費類的產品沒有影響，不在這次的管制範圍，這次主要是管制AI類產品。AI晶片分為訓練和推理，比較可能被嚴加控管的會是AI訓練晶片，像是GPU等，這是美國首要管制的對象！
 



AI推理晶片或許能逃過一劫，列入不受管制的名單範圍，像是自動駕駛ADAS相關晶片會比較偏AI推理，主要是看到障礙物要做出判斷，原則上不受限制，但也要個別晶片開發設計的細節和目的，以及是否為檯面上被關注的公司，例如百度、騰訊、阿里巴巴等知名公司有機率會被特殊審核。
 



業界傳出的版本有4個標準來判斷7奈米製程晶片，是否需要美國商務部的許可證：


電晶體數目超過300
Die size超過300
用HBM記憶體（HBM估計距離中國下一波出口管制名單真的不遠了！）
用CoWoS封裝（所有CoWoS封裝產能剛好可以留給老黃？）





其實以上述四個晶片條件來看，AI訓練晶片確實是四處碰壁。大數據AI訓練晶片通常需要面積大、電晶體多、HBM用上來，估計之後的晶片都要經過許可證的發放。中國有四大雲端平台：華為、百度、騰訊、阿里巴巴，其中華為本來就是被管制公司，但未來其他三家雲公司在台積電開發晶片，可能都會被列為審核名單。
 



台積電部分中國7奈米製程以下客戶，未來投片需要許可證一事，會產生哪些後續影響？
 



目前來看，美國想管控的範圍是在AI技術上，更精準來講是AI訓練相關晶片，不會全部7奈米晶片都禁止。主要導火線當然是這次華為透過白手套獲得台積電7奈米晶片，華為和其白手套的這次大膽操作，確實讓中國許多需要先進製程技術的公司，都差點置於險境。
 



後續帶來的影響是，中國AI和GPU晶圓代工國產化的腳步會加速。其實，今年早先就傳出中國官方鼓勵採購國產化GPU取代Nvidia，中國有兩家晶圓代工廠被點名為GPU生產基地：中芯國際和上海華力微電子。雖然產能有限、技術瓶頸待克服，但看起來這次的7nm以下許可證事件，會讓很多中國IC設計公司都產生擔心，即使是不在這次管制名單中的公司，估計也會想想未來備案。
 



據了解，目前產能雖然有限但相對穩定的中芯國際，產能非常吃緊，未來會優先供貨給三類公司：

第一：華為（基本上在中國，華為已經自成一格成一大類公司）

第二：CPU公司如海光、龍芯、飛騰等

第三：GPU/AI公司如沐曦、天數智芯、燧原（另外兩大GPU公司壁仞、摩爾線程都已上黑名單）
 



中芯國際畢竟產能有限，業界認為除了早期採購的部份用來生產先進製程技術的半導體機台之外，應該也在同步與中國設備廠開發用於先進製程的半導體機台設備。經過這次，中國晶片國產化會加速且更徹底。拜登任期結束倒數計時，估計這幾個月會密集對中國出招，以免等到川普上台後，有些出口管制的漏洞被他拿來說嘴，並用來作為檢討拜登政府之用。

連于慧 2024/10/22



力積電與日本SBI集團合作破局事件的完整來龍去脈，黃崇仁在今日法說會中完整交代，他強調七點：
 



第一，力積電與日本SBI集團在2023年6月首度簽署MOU，這也是雙方唯一簽署過的合約，而這份MOU的效力是一年，一直到2024年6月底為止，日本SBI集團都提不出合理的半導體蓋廠財務規劃。


第二，2024年1月日本SBI集團急著去申請日本政府的1400億日圓補助款，且要求力積電擔任申請人。當時，SBI集團才第一次對力積電說，日本政府給1400億日圓補助款的條件是，必須由力積電出面作保證人，保證JSMC連續營運10年，如果加上前面5年的建廠時間，整個擔保的時間跨度可能高達15年。但關鍵是，JSMC的大股東是SBI集團，力積電並沒有持股，所以認為要以力積電名義去擔保毫無持股且由SBI控制的JSMC，是不合理的。
 



第三，力積電認為SBI集團提不出完整個半導體蓋廠財務規劃，且認為這幾年日本通膨嚴重、缺工嚴重，整個建廠成本是台灣四倍，沒有完整個財務規劃下不能且戰且走，更不能擔任共同申請日人。
 



第四，在SBI集團提出要擔任共同申請人且需要負擔10年連續營運的保證後，力積電找了三家律師事務所、行政程序法專家、日本最大會計事務所後得到的結論：假使力積電擔任共同申請人，等同對日方政府有行政契約，將面臨兩大風險：
 


要保證JSMC十年營運，那如果營運無法持續，等於是要力積電扛責任，這會有違反台灣證交法的風險，專業經理人也會有背信問題。
 
簽了連帶保證人，未來JSMC財報需要合併到力積電，即使力積電對JSMC並沒有股權和實質投資，未來也將影響聯貸銀行的合約。
 




第五，對於日本SBI集團對於與力積電的合作，解讀為「合資」，力積電指出，初期確實有提到可以後續可以利用合作獲得的權利金再投入，但這佔的股份也是非常小，但卻要負起日本政府要求的保證連續營運十年的條件，完全不合理。
 



第六，力積電表示與印度塔塔集團合作，和放棄日本毫無關係。背景是印度政府也想做自己的產業鏈，希望與力積電合作建立Fab，讓力積電選擇合作夥伴，他們塔塔是個好的合作人選。
 



印度政府提供70～80億美元，塔塔集團自己本身就是印度最大電子公司，有充足的資源和人力，加上印度工程師非常。因此，力積電在該合作案上，可以只提供Fab IP服務，擔任協助角色，未來四年可以獲得200億元的現金收入。
 



第七，相較於日本的合作案，力積電認為與印度塔塔合作，可以只教對方技術，剩下問題都由印度方處理，但在日本的合作案上，日本政府要求力積電擔任沒有持股的JSMC做十年的連帶保證人，態度太過強硬。
 



解釋完與日本SBI集團的合作破局原委，力積電也分析了目前市場狀況：
 




中國大陸成熟製程極度競爭，力積電如何因應？


目前與對岸半導體的最大競爭差距就是政府補助，但中國廠商就算是產能滿載，也無法賺錢，殺價、內卷、惡性競爭太嚴重。




DRAM：資料中心對AI需求熱絡，HBM排擠DDR5 DDR4產能。不過，最近AI PC雖然喊的很熱，但實際需求一般，很多模組廠急著出清手上的庫存，壓低價格。加上，某韓系大廠（姓三名星）低家拋售2500萬顆4G DDR3顆粒，導致消費性電子市場除了要承受需求不佳，供給端承受了更大的波動。





車用IC：歐美的庫存消化已經到尾聲，需求緩步回升中。因應歐美客戶的去中化，尤其是PMIC等產品線，第三季看到接單量增加，預計這些歐美客戶增加的訂單下，2024年可以回填面板驅動IC和Sensor的產能空缺。





大尺寸TV用的面板驅動IC：需求下滑。





小尺寸智慧手機用的面板驅動IC：有急單但能見度不高，且有價格壓力。





1111和黑色星期五帶來的消費增加有限，對第四季投片看法保守。





手機/PC用PMIC：需求持平。


 

連于慧
過去曾是張忠謀口中的兩隻「700磅大猩猩」的英特爾與三星，前者在COMPUTEX期間CEO積極巡攤位與下游OEM廠搏感情; 另一家三星則是SEMICON Taiwan期間，與台積電高層坐在台上華山論劍談AI，兩家公司高層中間還特別隔著一個Google代表，微妙的距離看上去是「友達以上，合作未滿」！
 



在「AI晶片世紀對談」中，作為論壇主持人的日月光執行長吳田玉話鋒犀利指出：你們看這AI商機多大、多美好，迫使我們得跟韓國的朋友（指同在台上的三星）來討論AI這個議題。話一說完還不忘問台積電共同營運長米玉傑「我這樣說有太超過嗎？」


他也不斷拋出同一個議題讓大家思考：今日我們對AI的投資如此巨大，包括三星、SK海力士、台積電在硬體製造上高度資本密集的投入，還有先進封裝、設備材料行業極力往前衝，但最大的受益者卻是美國，且前方回收之日十分漫長。
 



三星記憶體業務副總李禎培Jung-bae Lee認為，現在只是投資播種期而已，呼籲要有耐心。
 



確實，在AI時代已經明顯落後的三星，不但需要展現耐心極力追趕，更對勁敵台積電努力拋出橄欖枝。其實，就算三星想選擇「躺平」...大客戶Nvidia也絕對不會允許！
 



只是，進入HBM4技術世代後，三星面臨的壓力會比以往更巨大，因為要面臨記憶體和邏輯兩大勁敵SK海力士和台積電的攜手合作。




 



從HBM4技術開始，記憶體與邏輯之間的邊界開始被打破，台積電更是直接嶄露跨足記憶體的雄心，與SK海力士宣布合作共同開發HBM4記憶體，將於2026年正式量產。
 



在HBM領域已經落後的三星，眼看SK海力士和台積電合作，心中著急自是不言而喻，在SEMICON TAIWAN 2024中，三星表示，HBM4合作將不限於自家晶圓代工廠，對台積電揮手的意圖十分明顯。
 



翻開台積電的歷史，身為半導體常勝軍的張忠謀，DRAM一直是他的魔咒。台積電在1994年主導成立世界先進做DRAM，卻在2000年之後宣布退出，從此專注在邏輯製程領域，不碰記憶體。
 



沒想到在20年後，AI這股颶風讓台積電順理成章打開記憶體大門，更與一向是對立面的韓國，並肩作戰成為技術盟友！
 



為什麼HBM會需要台積電邏輯製程技術的幫助？ 
 



HBM的架構是將DRAM晶片堆疊在Base Die（基礎裸晶）之上，再用矽穿孔TSV技術結合，之前HBM的Base Die是用DRAM製程做，但從HBM4開始，考慮到需要更強大的運算功能和傳輸速度加快，HBM的Base Die需要改成用由先進邏輯製程生產。而SK海力士沒有邏輯先進製程，因此需要與台積電合作，預計雙方合作的HBM4產品會用到台積電的5奈米製程。
 



李禎培在「AI晶片世紀對談」論壇中也指出，為了打破限制，HBM必須加入邏輯處理的技術，提供客製化HBM，現在三星HBM4的Base Die已經交給晶圓代工廠。
 



他更強調，HBM4技術世代後，記憶體業者、晶圓代工廠、客戶三方之間的合作越將更為緊密，而三星本身有記憶體、晶圓代工等業務，可滿足客戶一條龍式生產服務。再者，三星記憶體已準備好Base Die的IP解決方案，可以提供給客戶自行設計，保持代工服務彈性，因此未來合作並不限於三星自己的晶圓代工廠。
 



SK海力士社長金柱善（Justin Kim）也出席了大師論壇，表示2024年以來已經來台灣十次了！ 至於為何而來，台下聽眾皆是會心一笑。
 



SK海力士與三星一同出席SEMICON TAIWAN 2024舉辦的大師論壇，是這兩家韓系記憶體廠首次在台灣同台競技，目的都是拉攏台灣的半導體產業供應鏈。
 



這要感謝AI時代，把台灣產業鏈的重要性提升到另一個高度與層次，讓台灣成功掌握PC、智慧型手機時代後，又站在AI時代的浪潮頂峰！
 



金柱善表示，台灣和南韓之間要密切合作，能彰顯高度價值，不僅是對眼前業務有利，也是為了因應解決前方挑戰而共同努力。
 



他也表示，SK海力士在HBM領域享有最高的全球市占率，HBM3E是市面上最具主導地位的產品，預計9月就會推出12層堆疊的HBM3E產品，應用在AI伺服器上。同時，SK海力士的HBM4也在研發中，將配合客戶量產時程，在結合自己HBM技術和台積電的先進製程代工，將會誕生無與倫比的產品。

AI應用需求的高寬頻記憶體HBM，以及AI PC換機潮需要的DDR5，是AI大時代下所需要的兩款晶片，全數都掌握在三大國際記憶體廠手上，這是巨頭們的競技主戰場！台灣記憶體供應商中，唯有南亞科將在2024年中首度切入DDR5供應行列，因此備受市場關注。
 



不過，近日記憶體市場的氣氛，一反之前欣欣向榮的基調，開始出現眾多雜音，主要有三方面疑慮：首先，市場傳出南亞科年中量產的DDR5鎖定5600MHz（DDR5最低時脈4800）認證時間可能會比預期長，開始擔心其DDR5放量的時間點可能延後。對此南亞科回應：「謠言！沒有這種事。」
 

再者，DRAM現貨價格始終很冷清，持續與合約價表現嚴重脫鉤，主要是反應終端需求沒有起色。最新的618促銷檔期對整個消費市場的刺激仍是有限，DDR3和DDR4沒有循之前預期有補漲跡象，反而是價格更疲弱。由於DDR3和DDR4本身就一直有庫存偏高的問題，現在買氣無法點火加速消化庫存，恐會加劇之後價格走跌。
 



第三，是來自中國DRAM產能將持續放大帶來的壓力。長鑫存儲這幾年一直是美系半導體設備廠的大買家之一，擴產的產品集中在DDR4利基型記憶體、LPDDR5行動記憶體等，與台系記憶體南亞科、華邦兩家供應商基本上是狹路相逢，長期目標長鑫月產能上看超過30萬片。
 



市場期待南亞科在2024年中之後，可以快速駛上DDR5賽道，部分產能加速遠離中國漸漸握有主導權的DDR4戰場，避免中國DRAM產能大舉開出。這一切都要看南亞科在年中後，轉進DDR5的速度夠不夠快，2024年下半成為南亞科很關鍵的時期。
 



此外，傳出長鑫存儲除了現有合肥、北京兩地的晶圓廠，也要在上海唐鎮成立據點，是否會投入相同產品線建置，或是有其他規劃尚不得而知。同時，也傳出長鑫有IPO的計畫，估值將不低於1000億元人民幣。
 



以製程技術角度來看，美國的出口管制清單將長鑫限制在18nm製程以下，意思是長鑫在採購先進製程機台設備時，18nm以下的設備會受到限制。目前長鑫是以自主研發介於18nm和19nm的技術，也不斷拉高國產設備使用的比重。
 



在產能方面，三期全開的滿載產能可能高達單月36萬片，一旦全產能運行，對於整個利基型記憶體市場帶來的壓力將十分巨大。
 



雖然長鑫的晶片主要還是滿足中國內需市場的消費性產品為主，但長期來看，如果是處於消費需求不能提升，而持續產能過剩下，各種低價產品的輸出和外溢是絕對會發生。
 



短期看記憶體市場有兩個觀點。第一，DDR4和DDR3短期的問題在買氣不振和庫存仍高，DRAM現貨價格仍是下跌。大家看好7、8月傳統旺季會有需求刺激買氣，然若是今年走上旺季不旺的格局，DDR4和DDR3加速拋出庫存，恐讓價格更疲弱。
 



第二，AI PC是今年COMPUTEX最大賣點，更是整個科技產業寄與厚望的殺手級應用。高通高喊的「The PC Reborn」僅是開短而已，這是PC產業大復興的機會，不會是短線炒作的商機而已。不過，假如首波AI PC買氣有限，DDR5價格不排除會出現補跌。
 



長線而言，要密切觀察的當然是中國DRAM廠的擴產會逐漸傾巢而出。首當其衝的不會是三星、SK海力士、美光三大記憶體大廠火拼的HBM和DDDR5戰場，受到正面衝擊的都是台系記憶體廠南亞科和華邦的DDR4/DDR3/LPDDR5等產品，因此這部分要滾動式觀察其發展。

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2024年COMPUTEX創下史上空前盛況，加上Nvidia黃仁勳帶動的“逛夜市”風潮，台灣成為全世界最閃亮的地方。Nvidia於COMPUTEX期間舉行的全球媒體記者會中，第一個被提出的問題居然是與AI息息相關的HBM記憶體，在盛況空前的COMPUTEX舉行當下，國際記憶體大廠的HBM武力佈局完全沒有鬆懈的一刻！
 



美光Micron在COMPUTEX期間舉行了一場新技術發佈會，宣布推出GDDR7繪圖記憶體，採用美光1-beta技術。不過，在場媒體最關心的話題，仍是HBM！ 連美光主管在當天主軸是GDDR7的聯訪記者會開到最後，都開玩笑表示：“還有任何關於HBM的問題嗎？”
 



HBM技術非常複雜，要做十幾、二十層的堆疊，技術門檻非常高。但是，如果沒有HBM記憶體，GPU也無用武之地，AI商機也是海市蜃樓。
 



美光的HBM記憶體將在台灣和日本兩地生產。事實上，美光有60%的DRAM產能放在台灣生產，1-Beta 製程已在台灣廠房進入量產，預計2025年會在台灣引入EUV機台來生產1γ（Gamma）製程DRAM晶片。在日本廣島廠方面，美光也會引入EUV機台，在2025年生產1γ(Gamma) DRAM。
 



美光2024年已經宣佈24GB的HBM3E記憶體正式量產，採用1-Beta 製程技術，獲得Nvidia的H200 GPU採用，預計2024年第二季開始出貨，第三季放量。同時，美光也宣布推出12 層堆疊的36GB HBM3E樣品。
 



美光看好到了2025年HBM3E的市占率將可望上升到20~25%，與美光在全球DRAM市佔率相當。HBM市佔率的提升，背後象徵兩大意義，一是技術上站穩腳步，二是產能要能跟上腳步。另外，H200的採用也是一大助力。
 



美光在HBM上急起直追，以及強大的企圖心，看在日前傳出HBM產品不順、出現過熱且未通過Nvidia認證的三星的眼裡，勢必是著急不已。
 



接下來，來談一天COMPUTEX當天美光的技術發佈會的重點。
 



美光次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣，採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構，最高速度達每秒32 Gb，系統頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%。
 



相比前一代GDDR6，美光GDDR7的能源效率亦提升超過50%，有效改善散熱問題並延長電池壽命。GDDR7新的睡眠模式可降低系統待機功耗最高達70%。
 



美光GDDR7擁有四個獨立通道，最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間。
 



美光預計，採用GDDR7製作的顯示卡在1080p、1440p和4K解析度下的光線追蹤和光柵化每秒幀數（FPS）相較於GDDR6和GDDR6X可提升超過30%。
 



GDDR7產品的推出，讓完美光的產品布局CPU、NPU和GPU元件的邊緣 AI 推理應用，提供 DDR、LPDDR 和 GDDR 記憶體選項。針對遊戲應用，美光GDDR7記憶體透過效能和幀緩衝區擴展，以可隨遊戲內容變換的場景、玩家和故事情節實現 AI 增強的遊戲體驗。
 



美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，透過採用先進製程和介面技術打造出最高頻寬的記憶體解決方案，再次引領記憶體產業創新，並維持在繪圖記憶體效能的領導地位。

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鈺創董事長盧超群指出，自家利基型記憶體DRAM陸續導入WiFi 7、機器人、汽車、智慧家庭等新應用領域，整體來看2024年下半年景氣會優於上半年，2025年會延續這股景氣回升力道，DRAM價格可望重回疫情前水平。
 



全球記憶體產業谷底翻身的軌跡，也是拜OpenAI帶動生成式AI狂潮之賜，新式HBM記憶體成為AI伺服器必備，吃掉越來越多DDR5的產能。再者，DDR5是PC主流規格，下半年起又有AI PC題材發酵，使得國際DRAM大廠需要不斷加大HBM、DDR5投片，陸續棄守DDR3、DDR4市場。利基型記憶體市場在此背景下，開始邁向供需平衡，待庫存消化後，產業會越來越健康。
 



盧超群表示，鈺創耕耘的不少新產品領域逐漸發酵，尤其網通相關的利基型記憶體產品一直是鈺創的重點佈局，占營收比重超過30%，鈺創提供完整的DRAM、SPI NAND Flash解決方案，滿足客戶從WiFi 5、WiFi 6/WiFi 6E、WiFi 7需要的規格與容量。
 



他進一步指出，鈺創的利基型記憶體產品線已經獲得WiFI主晶片供應商包括高通、博通、聯發科和瑞昱列入合格供應商清單 (Approved Vendor List，AVL)。並且，已經看到8Gb/4Gb的DDR4、4Gb DDR3導入印太和歐洲客戶的Wi-Fi 6E產品並進入量產，且在WiFi 7方面，8Gb/4Gb DDR4也獲得Wi-Fi 7晶片組供應商的清單認可，陸續向終端客戶提供樣品。
 



不單是網通，公司也指出，在汽車、智慧家電等業務上，日前都有回升跡象，像是汽車領域，鈺創的產品導入車子車載市場包括顯示器、娛樂系統、硬碟、數位音訊、行車記錄器等、環景系統、ADAS等。
 



智慧家電方面，鈺創的KGD和Discrete方案也導入像是智慧門鎖、全景相機、藍光DVD播放器、智慧音箱、掃地機器人等，未來期待更多邊緣AI商機落地。
 



展望未來，盧超群指出，2030 年全球由 AI 主導的經濟產值高達 80 兆美元，其中硬體僅佔40分之1，大概 2 兆美元，而半導體約0.5兆美元。台灣建立了半導體加異質整合的應用堡壘，一定會卡位到創新技術，就如同台灣過往在 PC、手機等，都抓到應用爆發的關鍵。
 



他也訂下目標，鈺創要在半導體0.5兆美元佔有一席之地，尤其懂邏輯的業者不一定懂記憶體，懂記憶體的不一定懂異質整合，鈺創因為掌握了邏輯IC和DRAM兩大技術，位居獨特地位，要利用異質整合技術的優勢，贏得AI時代的巨大商機。
 



再者，鈺創看好許許多利基型DRAM客戶在拿到產品後，需要額外找尋封裝和Controller IP服務，導致效能犧牲和成本墊高。因此，鈺創提出一站式開發服務「MemorAiLink」，提供多樣化的記憶體選擇，並提供完整的IP服務，實現高度複雜晶片設計並縮短產品上市時間。
 



盧超群解釋，要發揮鈺創在邏輯IC和記憶體兩邊的強項，MemorAiLink平台可讓記憶體與不同元件封裝整合，實現高度複雜的晶片設計及縮短產品上市時間，MemorAiLink平台率先推出異質整合晶片產品，切入影音擷取IC次系統市場，且現在客戶已經進入量產，可讓客戶產品多重訊號切換或融合，讓影音串流應用或商業模式提供更多可能性。

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歡迎轉載文章，請註明出處：SEMICONVoice  

 
中美貿易戰隨著美國宣布對電動車、半導體、鋰電池課徵高關稅而再度緊張。尤其，美國針對中國半導體的關稅提高到50%，將導致現在中國已經供過於求的成熟製程產能，未來過剩的情況更嚴重，因為採用中國成熟製程所生產的半導體產品，勢必因為高關稅而減少外銷。
 



因此，預計中國官方將祭出更多的政策與方案，來加大力度來推動國產化，可能是更多的補貼政策刺激國產化的速度前進。否則，這幾年中國瘋狂新建的成熟製程晶圓代工廠，產能過剩的情況將難以想像。
 



美國這次的大舉提高關稅，最大一刀是砍向電動車，關稅直接拉到100%，呼應特斯拉馬斯克所言「如果沒有貿易壁壘，世界上多數汽車企業都會被中企擊垮。」但目前比亞迪並未進軍美國，中國電動車在美國佔比不高，提高電動車關稅是在防範未來，要觀察的是歐盟會不會跟進針對中國電動車課高關稅，因為中國電動車在歐洲佔比很高。
 



美國關稅的第二大刀是對中國半導體出手，關稅從25%提高到50%，主要目的是降低美國對中國成熟製程產能的依賴。
 



美國手上有兩張牌「關稅」與「出口管制」，在先進製程上，美國拿出的是出口管制禁令，而在成熟製程上，則是拿出籌謀已經的關稅政策。
 



過去幾年美國已循序漸進透過限制設備與材料的進口，封鎖中國在14~16nm以下的先進製程的邏輯晶片製造。
 



後遺症是，中國開始往成熟製程領域來擴充產能，過去幾年加速購買機台設備，甚至是二手機台設備也搶購，中國半導體廠就是怕美國的禁令一步步逼近下，連成熟製程都被封鎖。
 

長期下來，演變成中國的成熟製程產能過剩，便宜的IC、廉價的產品逐漸外銷到全世界且極具競爭力，席捲全球，美國也因此有了警戒。
 



不過，對中國成熟製程發出限制令不是美國想做的，祭出高關稅的手段壓制，才是美國一直以來的計畫。
 



除了要阻擋中國低價產品輸出海外，晶片透過外銷產品滲透到所有電子產品之外，美國打得另一個算盤是，降低對中國製造的傳統晶片的依賴度，於是宣佈將半導體關稅提高到50%。未來將會產生四個影響：
 



第一，過去幾年來，歐美客戶原本委由中國半導體代工，在地緣政治的氣氛下，都逐漸將訂單轉出，首選當然是轉給台灣半導體廠代工，包括台積電、聯電、力積電、世界先進。像是，面板驅動IC原本是台灣的強項，後來中國不斷逼近追趕，一方面也是狹持其在面板上的優勢之故。
 



未來中國的晶圓代工廠會承接中國客戶訂單為主，形成一個世界，兩個系統。至於NAND Flash和DRAM記憶體產品，目前中國分別有長江存儲和合肥長鑫為供應商，未來也將以供給本土需求為主。
 



第二，中國會加速推展「國產化」，祭出更多政策來鼓勵國產化進程。
 



美國對中國半導體課徵50%關稅，就是衝著中國成熟製程產能而來，如果中國不加速去推國產化，使用國產IC，未來成熟製程供過於求的嚴重程度，會難以想像。總之，未來中國應該會加速「國產化」，以去除嚴重過剩的成熟製程產能。
 



第三，如果有想要外銷給美國市場的中國客戶，搞不好會選擇到非中國本土系統的晶圓代工廠投片，或是使用非中國製造的IC，不然半導體產品會被課徵50%關稅，估計消費型產品的機率最大。
 



第四，該趨勢發展下去，全世界電子相關產品會持續面臨成本上漲的挑戰。原本全球化運作的世界，現在分裂成兩個系統運作，自然會帶來成本上升。

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歡迎轉載文章，請註明出處：SEMICONVoice  

 

鈺創董事長盧超群出席力積電銅鑼12吋廠啟用儀式時對《SEMICONVoice》表示，AI廣泛使用的高頻寬記憶體HBM要堆疊8層、16層，售價高達300美元～600美元，這在半導體產業根本是天價，而且還一堆客戶都搶著要買。
 



盧超群進一步分析，現在HBM記憶體還在技術與良率的摸索期，良率瓶頸要完全打開至少要花上2～3年時間，因此HBM對傳統DRAM產能的排擠才剛開始而已。
 



重點是，現在三大DRAM廠都在搶著爭奪HBM巨大商機，每一家記憶體廠都想當HBM老大，根本沒有力氣去對付傳統DRAM，更是傾公司所有資源和最優秀的工程師都去做HBM，預期下半年利基型DRAM產業會供給量不足，價格一定會水漲船高。
 



DRAM業界人士更對《SEMICONVoice》透露，投產HBM記憶體不單有耗損wafer面積的問題，且HBM投產製程周期是DDR5的三倍之多，良率又還沒拉上來，現在HBM商機大爆發，但DRAM廠的生產和產能準備沒跟上腳步。
 



尤其，過去兩年記憶體廠財報出現鉅額虧損，因此都沒有積極擴增新產能，只是把原本減產的部分逐漸恢復正常生產，但這對於未來AI時代所需要用到的DRAM和NAND Flash產能根本不夠，現在又有HBM技術瓶頸，未來DRAM產能會十分緊俏。
 



或許你覺得現在終端需求還不好，但半導體產業鏈已經渡過漫長的庫存消化，等到PC、手機、伺服器的需求都恢復正常後，客戶和通路商開始會回補庫存，DRAM吃緊的問題會更加嚴重。
 



市調機構TrendForce也發布報告指出，在403地震前，原先預估第二季DRAM合約價會上漲約3～8%，而最新統計出來的數據是上修漲幅大漲至13～18%。
 



針對HBM排擠DRAM產能的程度，三星的HBM3e產品是採用1alpha製程節點，預計到2024年底將占用1alpha製程產能約60%，會排擠到DDR5供給量。尤其，第三季HBM3e進入生產放量的時間點，買方已經同意提前到第二季備貨，以防第三季HBM供應會出現短缺。
 



TrendForce也統計，HBM位元需求可望高度成長，2024年將成長近200%，2025年再進一步倍增。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%，2025年將有機會突破30%。
 



身為HBM龍頭的SK海力士也指出，DRAM產業需求確實之前較為疲弱，但下半年需求逐漸復甦，加上HBM會吃掉更多的產能，隨著越來越多DRAM產能挪移去生產HBM，傳統DRAM供應量勢必會減少，且慢慢地，供應鏈現有的庫存都會消化殆盡，看好DRAM後勢價格走勢。
 



SK海力士也宣布，2024年HBM產能全部售罄，2025年產能基本上也賣完，為了鞏固SK海力士在HBM領域的領先地位，計畫5月會推出12層堆疊的HBM3E樣品，規劃第三季進入量產。
 



更早前，美光也宣布2024年HBM產能全部售罄，2025年產能多數產能也都被預訂。HBM全球狂熱的程度，算是記憶體史上罕見！
 



SK海力士為了鞏固HBM技術的領先地位，也宣布最新世代堆疊16層的HBM3E技術研發進度，目標是2026年進入量產。據了解，相較12層的HBM，SK海力士的16層HBM以相同的高度堆疊更多DRAM晶粒（die），更關鍵的是能同步減少DRAM厚度，並防止出現晶圓翹曲（warpage），SK海力士為克服這些技術難題，從HBM2E開始就採用領先的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術，並且不斷進行改良。
 



在HBM大戰中，長年龍頭的三星居然成為SK海力士的手下敗將，日前傳出不服輸的三星，精挑細選集結了100名頂尖的工程師，組成一支HBM團隊，目的就是爭取Nvidia的HBM訂單，讓良率和品質能通過Nvidia的標準，進而一步步蠶食鯨吞SK海力士手上的訂單。
 



三星目前的重心是在全球首款36GB 12層堆疊HBM3E，相較堆疊8層的HBM產品，堆疊12層的HBM3E可讓AI學習速度提升34%。三星總裁兼執行長慶桂顯Kye Hyun Kyung指出：“第一回合輸了，但第二回合是非贏不可。”

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三星從2年前就規劃逐步要退出DDR3供應，市場傳出，原本計畫2024年底要針對DDR3做EOL（end-of-life）現在提前至2024年中停止生產DDR3，而SK海力士在DDR3晶片上的供應原本就不多，預計未來會更淡出DDR3供應之列。業界預期，DDR3提前退役，可望加速DDR3庫存消化，準備啟動另一番漲勢。
 



記憶體今年市況不錯，主要是2023年上游原廠虧損嚴重，開始從源頭控盤拉抬價格，這招式是千年不變，萬年受用！NAND Flash和DRAM產業也在這一輪的景氣循環中，正大光明地走出谷底，等待終端需求大力添加柴火。
 



這一波DRAM產業有兩個題材，一是AI需要的高頻寬記憶體HBM對於DDR5的排擠效應，且HBM真的吃掉很多記憶體的Wafer產能; 第二是韓系國際記憶體大廠年底前要陸續退出DDR3的生產之列。
 



兩大韓廠三星、SK海力士要退出DDR3生產已經規劃許久，日前傳出最大供應商三星原本是計劃年底前停止生產，基於產能配置，提前到2024年中停止生產DDR3，SK海力士原本的DDR3供應數量就很少，逐步淡出符合預期規劃，這對於台灣DRAM相關廠商是好消息。
 



HBM在AI時代成為要角，記憶體產業主軸是“排擠”。

首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未來在技術、產能、資源分配上，無論是SK海力士、三星或美光，絕對是全力搶占HBM市佔率，AI才是未來主角。因此，這些大廠不可能會有太多產能給傳統的DRAM，HBM對DDR5產能的排擠，恐怕剛開始而已。除非，你覺得AI是泡沫，是曇花一現，你覺得ChatGPT很快會消失。
 



業界分析，HBM生產週期包含TSV封裝，比DDR5的生產週期至少多出1.5個月，HBM3E的Wafer面積更是DDR5的三倍大。假如投片16Gb DDR5顆粒，每片Wafer的Gross die是1800顆，同樣的Wafer拿去生產HBM3E，搞不好只剩下600顆。
 



DRAM廠為了解決HBM瓶頸且拉升良率，只會有越來越多的DRAM產能轉移到HBM身上。有消息指出，HBM平均良率約在65%左右，但業界認為實際的良率其實更低。而且，HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都不能用。另外，HBM的生命週期又比傳統DRAM短。
 



美光執行長Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因為包含了邏輯控制晶片，加上更複雜的封裝堆疊，且生產HBM過程會很大幅度影響良率，因此生產HBM3和HBM3E會吃掉很大部分的DRAM Wafer供應。
 



輝達Nvidia執行長黃仁勳也指出，HBM是技術奇蹟，它的技術非常複雜，但能提高AI效能，附加價值非常高，他非常重視與SK 海力士、三星在HBM記憶體上的合作關係。
 



全球市場中，HBM市佔率最高的是SK海力士，其次是三星，兩者合計應該有占90%市場，美光排名第三。
 



目前，SK 海力士的 HBM3E已經量產，輝達Nvidia絕對是優先出貨的重要客戶。
 



三星的8層HBM3E在量產時程上微幅落後，外傳，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。幸好，三星最終仍是拿下輝達H200訂單。三星也強調自己將會推出業界首款12層HBM3E，是目前容量最高HBM產品，預計會很快量產。

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