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連于慧 2024/12/3
美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊（前兩次出口管制為2022/10、2023/10）：HBM、華為、設備材料，另外還有EDA。整個管制清單串起來，針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的，連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

HBM限制：管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB，目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值，意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過，這項規定有的豁免方式，就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片，這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖，但三星對於中國市場的依賴度比較高，極力遊說HBM2可以持續供應，甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨，就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨，以保證不會單獨銷售到對岸。（就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣，油條不單賣就對了…）不過最後結果看來，只要封裝後的HBM2即有豁免權，也沒限制在哪裡封裝，主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

武漢新芯：估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲，所以被盯上。

為什麼每次的出口管制，長鑫存儲始終能置身事外？ 這問題很多人問，傳出長鑫在美國的遊說團強而有力，也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術，在美國適用的法規是管制度較低的EAR99，目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備，以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

還有，長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖，是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做，直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲，那可能不能只管制一家，得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商，還包括三星西安、SK海力士無錫廠，這代價太大了！

華為體系：芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司，毫不意外都上清單。

設備材料：幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖，包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中，章閣儀器是昇维旭旗下的，深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過，當今這種氣氛下，中微還是不要當唯一例外比較好，免得被當成美國同路人。

EDA：華大九天。這家是中國EDA龍頭，估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具，因此上了清單。

投資機構：建廠資本、智路資本（這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團）

聞泰：上清單感覺最倒霉的是聞泰，不過就做的汽車晶片，然後躺著也中槍，可能是太有名了。

傳三家VEU企業被撤銷：原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體，傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU（Validated End User），經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目，無需額外申請許可證，這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
 

連于慧 2024/11.12

中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失，導致出現上數萬片晶圓報廢事件，甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉，該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長，當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為，原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱，如果該事件導致有不良品低價賣到市場，恐進一步壓抑DRAM價格。
 

在生成式AI需求爆炸性帶動下，全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上，更成為SK海力士、美光、三星競技戰場，反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash，因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟，一直乏人問津，今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中，因為大量消耗wafer，大幅排擠DDR5的產能，帶動價格攀升，但實則效果有限，再加上DDR4和DDR3庫存問題，實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
 

中國記憶體廠的大舉擴增產能動作，一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到，近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為，隨著美國出口管制一年年趨嚴，中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段，在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，其實是不令人意外。因此，原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。不過，根據供應鏈人士指出，這事件應該是人為失誤，因此出現有高管被撤換。
 

據了解，長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片，將逐步朝月產能30萬片邁進，主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4，也開始跨入DDR5、LPDDR5X，並且計劃跨入HBM記憶體，傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上，隨著產能不斷擴大，首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下，DRAM價格也確實一直被壓抑。
 

長鑫存儲成立於2016年，與長江存儲同年成立，當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科（南亞科和德商英飛凌合資），全球DRAM產業陷入一陣大整頓，於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作，當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快，華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走，當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
 

幾年後，長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分，大多數都讓本地員工取代。據悉，長鑫在台籍員工多數離職後，從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長，當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
 

長鑫存儲目前產能超過20萬片，除了合肥廠，也有北京廠，今年以來更增加上海廠，據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時，長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體，從HBM2切入。
 

半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為，一直傳言美國出口管制禁令的重點，會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查，應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然，下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
 

業內人士透露，對於美國出口管制鎖定HBM一事，最緊張的是三星，因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia，美光也成功獲得Nvidia認證，一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
 

相較起來，三星對於中國市場的依賴度最高，仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶，如果接下來HBM輸中被列入出口管制，對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍，例如只管制HBM3以上，但就規格的HBM2以下希望能放行。

連于慧 2024/10/3

中國資本市場上半年狀況不佳，為了避免市場信心崩盤，上海、深圳、北京三大交易所幾乎是取消了所有IPO申請，直到進入下半年，各大交易所才再次重新受理企業IPO。
 



2024年下半，上交所受理的第一個IPO項目，是一家意義上具有重量等級的公司—武漢新芯，其背後代表的是中國NAND Flash大廠長江存儲，同時武漢新芯也正在開發人工智能AI相關的記憶體HBM技術。
 



武漢新芯究竟是何方神聖？ 它是一家三維整合、特色存儲的晶圓代工廠，也有與台系記憶體廠NOR Flash旺宏、華邦相同的SPI NOR Flash產品線，而武漢新芯背後更重要的身份和意義，是中國NAND Flash大廠長江存儲持股68%的子公司。
 



武漢新芯這次的IPO預計募資48億人民幣，這金額不算太高。不過，業界仍將武漢新芯的IPO計劃，視為未來長江存儲的「血庫」之一，因為長江存儲本身要上市有一定難度，但身上又背負NAND Flash芯片國產化的目標，需要擴大NAND Flash產能。
 



武漢新芯前身成立於2006年，最早是中芯國際與武漢政府合作成立，由武漢政府出資成立12吋半導體生產線，製程為65nm～40nm，委由中芯國際代管，於2008年9月正式投產，主要是生產中芯為美國NOR Flash大廠飛索Spansion代工的訂單，以65nm製程技術生產。
 



2008年金融海嘯期間，由於飛索Spansion訂單劇減，武漢新芯陷入嚴重虧損，導致武漢政府想要出售股權。
 



當時，美光積極接洽欲入股武漢新芯，甚至傳出台積電也參與武漢新芯股權的洽談。只是到了最後，中方希望該半導體廠的主導權能維持在中方手上，發一場業界稱為「武漢保衛戰」之役，最後成功由中芯國際注資，並持續保有武漢新芯主導權。
 



中芯國際與武漢新芯的合作到2013年正式結束，由武漢政府接手。期間，新芯也曾和飛索合作3D NAND技術研發，以及與豪威OmniVision（被韋爾半導體收購）合作開發3D IC技術，奠定日後朝3D堆疊發展的根基。
 



長江存儲是一家成立於2016年的NAND Flash半導體公司，雖然成立的時間晚於武漢新芯，但長江存儲成立後，武漢新芯遂變成其旗下轉投資公司，目前長存對武芯持股約68%。
 



2019年長江存儲發表獨家的Xtacking技術，將邏輯與記憶體晶片片做堆疊，以規避既有國際記憶體大廠的專利，該Xtacking技術就是源自於武漢新芯的3D IC技術根基來開發。
 



除此之外，武漢新芯有兩個值得關注的背景。第一，其目前的法定代表人是楊士寧。他過去曾任新加坡特許半導體的CEO、中芯國際COO，同時也曾任長江存儲CEO，之後因為其美籍身份，長江存儲被美國商務部關注後，楊逐漸從長江存儲退下，轉去掌舵武漢新芯。
 



第二，武漢新芯傳出建設12吋的HBM記憶體廠，開始購入HBM技術相關設備，初期月產能為3000片。
 



眾所周知，HBM為技術門檻十分高，目前技術以SK海力士為首，三星和美光極力追趕，HBM記憶體更是AI的敲門磚，武漢新芯作為長江存儲旗下的子公司，也極力參與HBM技術開發、設備採購，以及生產線打造，自然引人注目。







 




根據武漢新芯IPO招股書，是一家具特色工藝晶圓代工企業，聚焦於特色存儲、數模混合和三維整合等業務領域，可提供基於多種技術節點、不同工藝平台的各類半導體產品晶圓代工。
 



2023年營收比重中，晶圓代工佔67%、自有品牌佔16%。以技術平台劃分，特色存儲佔67.7%、數模混合佔20.26%、三維整合佔4.54%。招股書中指出，公司多項技術及產品已廣泛應用於汽車電子、工業控制、消費性電子、電腦等下游領域。
 

要說AI拯救全世界是一點也不為過！2022年底OpenAI刮起的炫風，到2024年都還是熱騰騰的巨大商機。NAND Flash控制晶片大廠慧榮SMI總經理苟嘉章指出，Nvidia囊括AI領域90%市占，其霸主地位在未來3～5年內都很難被撼動，且未來AI算力從雲端會逐漸下放到邊緣端，對存儲產業而言會是史上難得一見機會！
 



即將登場的COMPUTEX 2024也是宛如全球科技界的AI盛會，不但Nvidia、AMD、英特爾、高通、Arm等科技巨頭齊聚一堂，除了AI帶動伺服器和資料中心繼續火熱，更有AI PC、生成式AI手機題材要開始發酵，AI幾乎拯救了全世界的科技產業！
 



苟嘉章也認為，受惠資料中心對於NAND Flash的需求旺，雖然現貨通路端買氣不佳，但資料中心的需求非常強勁，需要的存儲容量從原本4~8TB增加到32TB，估計NAND價格漲到2024年下半年沒問題，一直到2025年上半年目前都沒看到敗象。
 



從供給端來看，苟嘉章也分析，NAND Flash原廠2024年才剛剛轉虧為盈，開始賺錢而已，恢復正常生產會循序漸進，且不會躁進馬上擴建新晶圓廠，大家有志一同以利潤為優先，先把虧的錢賺回來再說。
 



SK海力士第一季毛利率39%，美光20%，據了解，至少要等這些NAND Flash原廠的毛利率連續數季站穩40%以上，才會考慮增加新產能，至少今年都會是NAND Flash存儲產業的甜蜜年。
 



存儲產業在供給端的另一個觀察是各大廠的軍備競賽都集中在DRAM HBM記憶體。最近才傳出三星的HBM3過熱，沒通過Nvidia測試，三星要取代SK海力士成為HBM龍頭的夢想，只能再等等，日前三星才宣布半導體負責人換帥，就是因為AI進度落後之故。
 



業界透露，其實SK海力士現在的HBM技術團隊，其實當初是從三星過去的，三星現在應該是悔不當初。事實上，三星這幾年在Foundrr和Memory兩大關鍵版圖上都狂掉隊很明顯，這與接班人李在鎔2017年入獄有很大關係。這麼大的財閥企業群龍無首，估計各個事業部的負責人也不敢拍板做大決定，等到2021年李在鎔特赦出來，世界早已經出現翻天覆地的變化，現在三星要奮力追趕，自然需花上更多的功夫。
 



苟嘉章的觀點是，三星在記憶體領域長期奠定很深遠的記憶實力，未來在HBM發展上仍是很有機會，且現在最著急的人應該是Nvidia，因為如果HBM主要供應都掌握在一家手裡，Nvidia的AI產品在產能和價格上會一直無法取得更高主導權，因此Nvidia一定會協助三星HBM技術盡快有突破。
 



另外，他也表示QLC NAND也很適合用在資料中心，慧榮會和NAND Flash大廠、模組廠、服務器廠商一起推動AI發展。另外，生成式AI手機會是一大機，平價手機也需要AI功能，未來各項應用對於存儲需要的容量會呈現爆炸性成長。

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群聯：不跟進中國模組廠低價拋售NAND Flash，下半年AI PC生意樂觀
 

 

群聯5月10日舉行法說，執行長潘健成指出，第二季是電子產業傳統淡季，很多手機廠和PC廠都已經吃了很多庫存，暫時不餓，但遇上市場處於傳統淡季需求很弱，中國記憶體模組廠受不了開始低價拋售手上的NAND Flash，但群聯不打算跟進。
 



他指出公司在汽車、企業級SSD、PC OEM等更有附加價值的領域都有斬獲，不會跟進中國記憶體模組廠低價拋售NAND Flash庫存換現金，到了2026年，耕耘許久的高毛利企業級產品線，會是群聯電子最大的營收來源！
 



截至第一季底，群聯合併存貨金額為新台幣301.58億元，較2023年底244億元攀升。今年記憶體產業走出谷底，加上有AI手機、AI PC題材，群聯手握充足庫存，迎接記憶體產業黃金時刻。潘健成指出，現在庫存很夠用，但如果上游原廠需要幫忙，會考慮買一點。
 



群聯指出，NAND原廠渡過虧損的2023年，2024年第一季開始已轉虧為盈，此時的NAND Flash價格走勢穩定有助於產業供需更為健康，如果價格在短期內急增，等同讓終端需求再度縮手，或是縮減NAND搭載的容量。他更直言，NAND價格若在急漲，會出現泡沫化 (Bubble)。
 



在汽車領域，群聯的NAND Flash控制晶片滲透率不錯，但模組系統進入該市場需要時間，此次法說會釋出的好消息是模組系統已經拿下多個design-win案子，會持續在2025和2026年發酵。
 



在手機方面，群聯和高通、聯發科都有合作案子在走，很多都是針對中國本土智能手機的開案上。系統廠方面，第三季開始是傳統旺季，今年又有AI PC的全新換機題材，都陸續會有備貨需求。
 



在企業SSD方面，2023年第一季企業SSD模組佔營收3%，到了2024年第一季佔比提升至5%，公司預計企業SSD未來佔比會快速攀升。
 



群聯也指出，2024 年第一季的營收創歷史同期次高，主要是長期耕耘的Embedded ODM、伺服器應用等Design-in市場有顯著斬獲。再者，若不考慮庫存備抵回轉以及庫藏股轉讓員工費用等影響，1Q24 與 4Q23的原始毛利率其實是相近的，這也反應群聯在Design-in的布局上，有助公司整體的長期獲利穩定度。
 



針對營運，潘健成進一步說明，NAND 原廠在短期內推升市場價格，的確對消費型的 NAND 儲存需求有影響，然群聯廣泛布局 NAND 儲存應用包含工控系統、電競主機、車載應用、企業級 SSD，以及近期擴大推廣的獨家專利 AI 方案“aiDAPTIV+”等各種 Design-in持續如火如荼進行中，這些策略都有效提升群聯在各種“非消費型”應用的市占率及貢獻度提升，近一步貢獻獲利。
 



群聯2024年第一季合併營收新台幣 165.26 億元，較前季增加4.9%，較去年同期增加64%，毛利率33.9%，淨利24.2億元，每股盈餘12.02元。

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長江儲存董事長陳南翔指出，過去50年半導體產業蓬勃發展，全球化的合作功不可沒，展望2030年全球半導體產業規模將達一兆美元，但現在面臨地緣政治和國家安全帶來的強大不 確定性，未來是否還能達到此目標預期，是有問號的。
 

再者，他也在演講結尾呼籲：請建設誠信和公平原則，假設長江存儲依法合規買的設備拿不到或是無法使用，可以設一個時間內，把設備在新的條件下回購， 這樣才公平。



台積電創辦人張忠謀說：“全球化已死”，有人說這是“再全球化”。 陳南翔表示，他個人同意張忠謀的說法，全球化確實死了。
 

不過，陳南翔也針對「再全球化」的觀點，做了一些思考與分享，他用三個緯度來判斷「再全球化」：當企業在進行中長期發展規劃時，是否具備足夠的系統性、 一致性，以及持續性，這是衡量「在全球化」是否能達成的重要指標。



他分享，過去，促進產業繁榮的全球化離不開和諧五要素：市場與競爭、創新與技術標準、供應鏈、人才流動、資源分配。
 

這當中，要特別說明一個點是，過去半導體的全球化主要驅動力是市場化和商業化思維，創造出全球化＋在地化優勢，帶來商業最大化。 但在地緣政治思考、國家安全思考下，去風險化、抑制他人發展等，都把過去和諧的要素都打破。



陳南翔指出，全球化市場對促進產業發展很重要，全球化的創新和標準像是60年代IBM發明DRAM，發揚光大是在韓國，這些發明和創新不屬於任何一個企業或國家，而是任何一個企業或 國家對全球產業鏈價值的貢獻。
 

手機是全球全球化、標準化最極致的展現。 他分享，15年前出差去日本要配另一支專門手機，去其他國家充電器也要另外帶，現在手機已經是全球標準了，給全球消費者最大的效率和便利性。



全球化供應鏈直接參與者有25個國家，間接參與23個國家，相當接近50個國家參與全球化體系，形成「我當中有你，你中有我」。
 

針對全球人才流動中，許多國家推出許多限制措施，防止自己產業人才流失。 另外，在全球化的資源配置方面，中國在高品質發展下，大量外企在中國設廠，以及中國企業到海外作收購佈局，也是全球化資源配置。



只是，這幾年全球化資源配置也被打亂。 疫情後，美國資源配置增加了新加波、馬來西亞、印度、越南等，這些國家都不是傳統的半導體產業重鎮，這當中反應了對當今半導體產業的國家安全思考的結果。