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連于慧 2025.8.12
美光昨天突發裁撤位於上海將近300名NAND Flash相關的軟體工程師，只留了少部分的FAE人員，主因是公司考慮到手機UFS和eMMC業務沒有利潤，決定全面退出該業務，未來只會賣NAND Flash晶圓給下游的模組廠客戶，讓他們自己去做成UFS和eMMC成品。

據供應鏈透露，美光該策略轉向，主要是AI產品前景的成長性節節攀升，相較之下，傳統PC、智慧型手機等產品需求不突出，因此決定把NAND Flash所有資源都專注在AI伺服器資料中心的業務上，放棄手機記憶體業務。

在2022年，美光也曾宣布撤出上海研發中心的DRAM設計工程團隊，傳出當時公司有提供當地的部分核心員工攜帶家屬移民美國的選項，而當時美光結束上海DRAM設計部門的原因，是基於防止技術外洩的討考量。但這次美光裁撤上海研發部門NAND Flash相關軟體工程師，主要原因應該手機UFS和eMMC業務利潤太低，美光計畫退出，把資源全集中在拼AI資料中心上。

在此之前，美光在內的其他記憶體原廠包括三星、SK海力士、中國長鑫存儲等也都宣布陸續退出DDR4，專注在DDR5和AI伺服器用的HBM記憶體上。顯示AI時代潮流下，為了卡位商機，打贏這場AI這場時代大競賽，全球所有記憶體廠都重新分配資源，只要是利潤不高、不具戰略意義價值的產品性，會陸續被捨棄掉。

DDR4在原廠陸續退出的激勵下，價格出現史上難得一見的暴漲期。有網友說，短短兩個月不到DDR4 3200 32GB單支價格上漲超過50％，DDR4 3200 16GBx2價格上漲47％，這根本比川普的關稅還賺！

根據TrendForce統計，7月消費型DDR4合約價飆漲超過60～85％，因此上修第三季消費性電子DDR4合約價將季增80～90％。PC OEM廠買不到DDR4晶片，只能增加DDR5晶片的機種，DDR4晶片在PC DRAM市場上呈現「價漲量縮」格局，未來在伺服器市場，預計以會加速由DDR4轉進DDR5。

至於智慧型手機上使用的LPDDR4X，多數的記憶體原廠還未停產，不過市場認為未來邁向減少供應，甚至是停產也會是趨勢。TrendForce也統計，第三季上修該產品的價格至季增38～43％。新一代的LPDDR5X主要是應用在中高階的智慧型手機、NB、AI伺服器等產品上，第三季合約價上調幅度，估計約季增10～15％。

美光剛剛宣布上調第三季財測，原本預估單季營收為104億～110億美元、季增11％～18％，毛利率會介於41～43％，ESS介於2.35~2.65美元; 上修後，美光宣布的財測數字為111億~114億美元，季增19.3％～21.4％，毛利率介於44～45％，EPS介於2.78~2.72美元。

 

連于慧 2025.7.10
在全球DRAM供應商都集中火力拚AI伺服器使用的高頻寬HBM記憶體和DDR5之下，原本供過於求的DDR4報價從6月起，不但止跌回升，而且還瘋狂漲價快一倍，原本受到中國DRAM廠長鑫存儲壓制的南亞科，一夕變成全球唯一的DDR4供應商（還有華邦的小部分產能），身價從乏人問津變得洛陽紙貴。不過，DDR4在6月份的幸福飆漲，來得相當突然，但南亞科第二季財報中仍是被4、5月價格下跌影響頗深，合約價的漲勢較現貨價晚，也讓DDR4價格狂飆的效應，在南亞科身上會晚一點反應，以下是南亞科今日法人說明會中，市場對於南亞科的靈魂十大拷問！

2025年第二季財報成果？

南亞科第二季自結財報，單季營收為105.26億元，較第一季成長46.4%，DRAM平均售價ASP較上季微幅下滑，但出貨量大幅成長70％。第二季毛利率為-20.6%，營業淨損為45.1億元，稅後淨損為41.9億元，第二季匯兌損失約11.24億元影響，整體第二季稅後淨損41.09億元，單季EPS虧損1.32元。南亞科第二季財報仍處虧損，是在市場預期之內，主要是DRAM價格在5月以前仍處於低檔，公司也一直對外表示要到第四季才能轉虧為盈。
 
近期DDR4價格暴漲對南亞科帶來的轉機為何？

DRAM在今年5月以前都非常低迷，導致供應商持續虧損，直到今年6月初，確定SK海力士、三星、美光、中國長鑫存儲都全力轉進AI伺服器使用的高頻寬HBM記憶體和DDR5，南亞科生產的主力產品DDR4才自6月起才進入迅猛的漲價階段，更是史上第一次出現DDR4現貨價飛越DDR5的奇觀，16G DDR4更在短短一個月內上漲100％，挽救了南亞科被國際大廠和中國DRAM廠雙面夾殺的窘境，一躍成為全球最大的DDR4晶片供應商，也是DDR4漲價的最大受益者。
 
DDR4在6月單月份價格暴漲，甚至價格高於新規格的DDR5，因此市場認為會加速部分終端應用產品從DDR4轉進DDR5，導致DDR4會在明年再度出現崩跌，這樣的可能性高嗎？

南亞科不認為此趨勢會發生，至少2025年下半都不會看到。目前PC與伺服器市場的確多數已經轉進DDR5，但仍有部分系統基於設計需求使用DDR4。再者，DDR4與LPDDR4在消費性應用中持續增加。以成本結構來看，8Gb DDR4仍優於16Gb DDR5，因此很多應用仍會繼續使用4Gb或8Gb DDR4。

同時，南亞科也不認為DDR4價格在大漲之後會出現崩跌，歷史上從DDR2轉進DDR3，或是DDR3轉進DDR4的世代交替過程中，前代產品價格皆未崩盤，僅溫和調整。
 
今年第三季的DDR4持續短缺，帶動價格上漲，是實際需求？還是有客戶重複下單的狀況？

根據南亞科觀察，DDR4需求為扎實的需求，因此對下半年DDR4行情充滿信心。

隨著6月起DDR4嚴重缺貨、價格飆漲，原本預計第三季轉盈，有沒有機會在第三季提前轉虧為盈呢？

南亞科總經理李培瑛進表示，全球三大DRAM廠紛紛提出DDR4最後出貨日，促使DDR4漲勢兇猛，南亞科也快速調整產能，增加DDR4的產出比重，目前DDR4產能已經達到50％，DDR3和LPDDR3佔比約20％，其他部分為DDR5。 展望下半年，第三季DRAM合約價確定大幅上調，加上庫存水位也可以顯著改善，單季毛利率有機會轉正，但淨利要轉正仍是要拼一下，第四季確定能擺脫虧損，迎向獲利。
 
產能利用率走勢為何？

今年4、5月市場低迷時有小幅度減產，6月已經全產能生產，產能利用率滿載。
 
目前製程技術的進度？ 以及DDR4和DDR5投片的比重和狀況？

目前南亞科採用10奈米級第二代製程（1B）的16Gb DDR5-5600和8Gb DDR4投片產品已經進入量產，而16Gb DDR5-6400也進入送樣階段，預期的今年底，1B製程節點的DRAM產品將占總產能30%以上。

再者，1B製程節點投片的DDR5和DDR4的比重是可以彈性調整的，因此也會根據客戶的需求和市場狀況彈性進行調配，而目前客戶對於DDR4的需求是高於DDR5。

在舊製程20奈米方面，該節點仍在生產許多8Gb和4Gb DDR4產品，以及部分的DDR3、LPDDR4和LPDDR3，也是可以根據客戶需求調配。
 
DDR4價格大漲，目前出貨比重是否有增加？

合計LPDDR4在內，6月份整體DDR4系列產品佔南亞科的總出貨已經超過50%。


市場應用端的趨勢走勢為何？

未來的趨勢是AI智慧型手機的升級會推動高密度LPDRAM需求，AI PC初期需求是來自企業市場的驅動，但傳統PC需求仍是保守。另外，DDR4/LPDDR4在PC和智慧型手機中的使用比重逐漸下降，但在消費性應用的使用率仍在上升中。
 
2025年和2026年的資本支出為何？

南亞科預估2025年全年資本支出約196億，較2024年161億元增加，2025年的位元出貨量Bit shipment由原先超過30%上調至40%。 至於2026年資本支出，可能與2025年相當。

 

連于慧 2025.6.26
美光本季財報終於不再讓分析師失望，高頻寬記憶體HBM一飛沖天，加上資料中心中的低功耗LPDRAM獨家大量供貨的成果，已明顯反映在財報上，終於讓分析師露出甚感欣慰的一抹微笑！ 以下是美光財報的技術與產品進展重點，分為有市場關心的DDR4停產狀況、AI伺服器用HBM、DRAM和NAND先進製程的展望：

關於DDR4和LPDDR4的停產(EOL)：

美光指出，DRAM先進製程包括1β和1γ將專注生產最新一代產品如DD5、LP5和HBM，不會用來生產DDR4和LP4產品。DDR4和LP4是採用1α DRAM製程生產，美光更強調，幾個月前就已向行動、客戶端、資料中心和消費等客戶發出DDR4和LP4的停產通知，唯一例外的是針對支援汽車、工業、國防和網路等領域長期且需求相對較低的客戶，會持續供應1α DRAM產品。




美光預期，DDR4最終發貨時間將在兩到三個季度後，預計到2025年財年下半，DD4產品佔總營收會下降到僅個位數，DDR4的缺貨在短期內會日益嚴重，目前手上DD4的庫存分配情況，正在與客戶討論，盡量滿足其需求。


AI伺服器用的HBM記憶體：


第三季會計年度財報中，美光的HBM收入較上一季度增加50%。




12層HBM3E良率和產能都持續提，預計HBM市佔率將在2025年下半年達到與整體 DRAM市佔率相當的水平。
AMD Advancing AI 大會上宣布美光的 HBM3E 36GB獲得Instinct MI355X GPU 平台採用。美光表示，目前正在向四家客戶大量出貨HBM產品（涵蓋GPU和ASIC平台）。




隨著生成式 AI 工作負載的規模和複雜性不斷增長，對 HBM 的效能需求也不斷提升。美光的HBM4會採用成熟的1β DRAM 技術，並結合內部開發和製造的CMOS邏輯基礎晶片，可提供超過2.0 TB/s的單記憶體堆疊頻寬，相較上一代晶片，性能會提升60%以上。再者，與HBM3E的功耗性能相比HBM4功耗將會降低20%。目前美光已向多家客戶交付 HBM4 樣品，預計2026年會配合客戶量產。


DRAM技術製程進展：


在1γ（1-gamma）DRAM技術製程上，良率提升速度已經超過1β（1-beta）製程上創下的紀錄。第三季度也完成了幾個關鍵的產品里程碑，包括首批基於1γ的LP5 DRAM認證樣品的出貨。




美光在1γ DRAM上導入了極紫外光微影技術EUV，與1β DRAM相比，美光的1γ DRAM位元密度提升30%，功耗降低20%以上，效能提升15%，之後會在整個DRAM產品組合中運用1γ技術。
HBM收入較上一季度增加50%，美光整個DRAM事業營收創下新高的另一個推手，是高容量 DIMM和低功耗伺服器 DRAM，該組合的解決方案在本季營收再創新高。美光率先在伺服器上導入低功耗 DRAM，目前是唯一大量交貨的供應商，這也使得高容量DIMM和低功耗伺服器產品，在2025財年的營收貢獻，與去年同期成長了5倍。


NAND Flash和SSD技術與產品進度：


美光在資料中心SSD領域，已成功問鼎市佔率第二。
美光已開始對基於G9 2TB QLC NAND 的SSD產品進行認證，並持續提升G9製程的產能。
資料中心SSD的市佔率也是逐季創新高，本季伺服器的9550高效能SSD正式進入NVIDIA GB200 NVL72 推薦供應商名單，並完成了多家原始OEM商的更多客戶認證。


PC市場：


美光預期2025年PC市場出貨量將以低個位數百分比成長，未來幾個季度，會是AI PC普及和Windows 11升級週期的關鍵。


手機市場：


2025年智慧型手機出貨量將維持低個位數成長，AI仍是智慧型手機DRAM容量成長的主力，目前一般智慧型手機的記憶體容量僅為8GB，未來搭載記憶體朝12GB或更大容量邁進。
美光目前採用1β和1γ技術製程生產LP5X DRAM，以及採用8G和9G技術製程生產UFS4 NAND產品。在本季度，已開始出貨基於1γ製程的LP5X記憶體的認證樣品，為2026年的旗艦智慧型手機記憶體做足準備。


汽車和工業和消費嵌入式市場方面：


美光預計 L2 和 L3 自動駕駛輔助系統ADAS，以及支援AI的車載資訊娛樂系統的普及率會不斷提高，將推動記憶體和儲存容量的成長，以及更高頻寬的需求。因此，美光在汽車市場推出業界首款支援9.6 Gbps高速的1β雙通道 LP5 DRAM，已於本季度量產。
工業領域方面，工廠自動化趨勢下，客戶對AI應用投資加快腳步，但DDR4和LPDDR4供應受限、通路庫存低，使得DDR4產品價格不斷上漲。


製造回流美國政策：


在川普倡導製造回流美國的政策下，美光才宣布將在未來 20 多年內在美國投資約 2,000 億美元，其中包括 1,500 億美元用於製造，500 億美元用於研發。
作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光在先前已宣布的計劃基礎上額外投資 300億美元，包括在愛達荷州建造第二座NAND Flash晶圓廠，以及擴建和現代化位於弗吉尼亞州的現有晶圓廠，主要是應用在汽車、航空航天、國防和工業領域的晶片。美國的 DRAM 晶圓產能達到規模後，也將會引進先進封裝產能，以支持AI伺服器中HBM記憶體高速的成長。美光強調，正對全球營運進行嚴格的投資，隨著時間的推移並且根據需求來增加供給。




在愛達荷州的第一座晶圓廠 ID1已經在2025年6月實現里程碑，預計該廠房將在2027年下半年開始投產首批DRAM晶圓。位於愛達荷州的第二家晶圓廠ID2在受益於ID1的規模化生產經濟效益，並增強研發中心的共址優勢，從而提高效率並縮短上市時間。之前美國的「晶片法案」給了美光61億美元補助款，用於紐約州和愛德荷州Boise蓋兩座晶圓廠，美光將會先從紐約的晶圓廠投入生產。


市場展望：


部分客戶可能因關稅相關因素提前拉貨，但客戶端也不斷暗示今年下半年的需求仍是很好。
美光預計2025年產業DRAM位元需求成長率將達到10%左右，NAND位元需求成長率將達到兩位數左右，非HBM DRAM和NAND位元供應成長率，將低於產業位元需求成長率。從中期來看，美光預期DRAM 和 NAND的產業需求複合年增長率將達到中等水平。
因為製程轉換，美光2025 財年末的NAND晶圓產能會較2024財年末減少10%。


庫存：


第三季會計年度末，美光庫存為87億美元，庫存週轉天數為139天，庫存季減2.8億美元。公司也指出，預計在2025財年結束時，DRAM庫存將保持緊俏，NAND庫存將大幅減少。


 

連于慧 2025.6.12
什麼是世界上有錢也買不到的東西？ 除了真愛，就是DDR4了 ！ 

DDR4即將停產的消息，讓近日的DDR4報價一路狂飆，自從上週五舊規格16Gb DDR4現貨價創下史上頭一遭超過DDR5現貨價之後，DDR4現貨報價與DDR5現貨價差距越拉越大。 這一波DDR4帶頭的大缺貨潮初期看似是關稅課徵之前的提前備貨，但實際供給端缺口比市場預期的大很多，導致DDR4現貨報價越漲越凶猛，未來DDR4合約價必須大舉跟進，更撐住DDR5報價順勢往上。

全球三大DRAM廠終止生產DDR4晶片的消息傳了多時，這次絕對玩真的！ AI伺服器在全球的需求不但沒有降溫，反而在Nvidia黃仁勳四處「傳教」AI世界的美好，加上成為川普口中的「smart cookie」好朋友之後，AI需求持續火熱，少了中國商機，來了中東市場，未來中國降規版AI晶片仍可持續銷售。日前，黃仁勳的「傳教之旅」最新一站來到歐洲，預計兩年內要將歐洲AI算力提升十倍，更宣揚英國需要更多的AI基礎設施，英國首相也聽得如癡如醉，立馬回應要加碼10億英鎊改善基礎設施，全面提升英國的AI算力！

AI需求越來越多，代表HBM記憶體供過於求的警報會逐漸緩解，因為DRAM轉進HBM帶動的技術革新、晶圓面積耗損，以及高毛利率的誘惑，是這一波DRAM缺貨潮最底層的原因，只要AI需求持續高漲，製程轉換帶動產能排擠效應，DRAM缺貨潮的故事才能繼續講下去。尤其近期的DDR4因為全球所有的供應商全數退出，DDR4缺口急速擴大，現貨報價呈現瘋狂上漲。

SK海力士、三星、美光陸續退出DDR4市場，一般仍會保留長壽需求的車規、工業用規格的產品持續供貨，直到合約走完，但很多下游客戶擔心完全斷貨，此刻都想多備貨，得到的回覆是：可以下單，但沒有交期！ 等於是給客戶軟釘子。 有些客戶則是轉向找南亞科求救要貨並且重做認證，目前南亞科幾乎可以算是全球唯一會持續生產DDR4的記憶體廠，將成為最大受益者。

據了解，南亞科在手的DDR4庫存數量原本就不少，受惠DDR4價格飆漲，手上庫存是洛陽紙貴，但仍有些價格沒這麼好的DDR3舊產品需要被消化。業界表示，傳出南亞科可能會提出類似「搭售」的策略，要買炙手可熱的DDR4晶片必須也多少拿一點DDR3晶片，剛好可以利用這一波DDR4的大缺貨，順勢把手上DDR3舊產品庫存給消化掉。

在DDR4供應商銳減下，未來下游客戶的因應方式，可能會將部分新產品規格轉向DDR5晶片，但也有些應用端產品才剛剛從DDR3轉到DDR4，不可能這麼快又轉去用DDR5，像是WiFi 7晶片等。因此，短期內DDR4仍是有相當強勁的需求作支撐，尤其在8Gb規格的DDR4晶片，主要是南亞科供應為主，應用層面十分廣，需求十分強勁。

原本中國長鑫存儲加入DDR4生產，帶給台系記憶體無比的巨大壓力。隨著長鑫存儲決定去拼HBM和DDR5，策略轉彎退出DDR4市場，空出來的DDR4市場未來只會有南亞科供應，華邦也將加入小部分產能。 據了解，長鑫存儲決定提前退出DDR4，全數轉進DDR5和力拼AI伺服器用的HBM記憶體，除了是配合中國官方政策，要全力打造自有的AI伺服器產業鏈，另一方面也是長鑫存儲的DDR5良率相當不錯，給了長鑫不少底氣，決定往高階市場一拼高下，未來長鑫存儲將會變成三星的另一個煩惱。

HBM競爭也是十分劇烈。記憶體業者表示，很多人誤以為HBM技術難如登天，其實堪用的HBM不難做，只是要通過Nvidia的認證非常困難，所以三星才會壓力這麼大。但以後AI晶片選擇很多，ASIC也是另一股勢力，仍是可以適配等級沒這麼高的HBM記憶體。 最後偷偷告訴你，其實錢夠多文章開頭的那兩樣東西都買得到！
 

連于慧 2025.6.9
近期，下游客戶在關稅90天寬限期內瘋狂備貨，帶動DRAM價格狂飆。上週五DRAM現貨市場更出現不尋常訊號，舊規格的16Gb DDR4現貨價格首度超過16Gb DDR5現貨價，創下史上頭一遭！ 除了三大DRAM廠確立退出DDR4市場，專注生產DDR5和HBM，中國長鑫存儲也急轉彎終止剛跨入生產的DDR4產品，全面催生DDR5和HBM自研晶片，配合中國政策建立自己的AI伺服器供應鏈。在全球記憶體大廠全面退出，關稅拉貨潮催化，DDR4價格狂飆，南亞科手上DDR4庫存洛陽紙貴，更傳出南亞科評估將原本轉進DDR5的產能，先倒車回頭生產DDR4，搶佔這一波十年才會出現一次的超級好光景！

在SK海力士、三星、美光、長鑫存儲皆退出DDR4市場後，南亞科成為全球唯一的DDR4供應商，華邦雖然計畫下半年將產線從DDR3轉到DDR4，但DDR4產能規模較南亞科小非常多，相較之下，南亞科手上庫存一堆，過去是賠錢貨、是庫損，短短幾個月的時間，這批庫存即將上演「賠錢貨變黃金戲碼」！

更重要的是，記憶體業界透露，南亞科原本採用1B製程生產DDR4和DDR5，力拼下半年DDR5大量出貨，但這幾個月全球出現太多變化，導致DDR4晶片身價洛陽紙貴，傳出南亞科內部評估要將1B製程原本要投片DDR5的產能，全數回頭轉投片DDR4晶片，搶佔這一波DDR4大缺貨巨大商機，況且南亞科DDR5的良率爬坡一直有點辛苦，剛好遇到DDR4難得一見的大行情，自己突然變成全球唯一DDR4供應商，此時順勢把DDR5投片先轉回DDR4，也算是獲得的某種「下台階」。

業者更透露，今年初時，南亞科還在鼓勵員工可以多休假，強調work life balance身心健康的重要性，但從上個月，已經開始要求部分員工週末找一天來加班，全力上緊發條加速生產。原本南亞科面臨中國長鑫存儲跨入DDR4的巨大壓力，加上轉進DD5良率陣痛期，前後夾殺下，幾乎快喘不過氣來，此時遇到關稅緩徵90天大拉貨潮，以及長鑫存儲退出DDR4轉拼HBM，只能說南亞科不是上輩子燒好香，就是有前世拯救地球，才能如此戲劇化的絕處逢生。

但要提醒，眼前的DDR4現貨價雖然瘋狂飆漲，但DDR4的合約價是幾個月以前談定的，因此合約價仍在低檔慢慢爬升，南亞科與系統廠的交易是以合約價格為主，要等到未來幾個月逐月調升合約價，才會反映在營收和獲利上。更重要的是，往後看，南亞科幾乎可以說是全球唯一DDR4供應商（除了華邦還有少量供應），現在這種時機點，南亞科手上的DDR4庫存根本不用急著快速出貨給下游廠商，要慢慢出貨、有一點惜售的味道、慢慢拉升價格，不急著衝高單月營收，才是最佳策略。

談到中國政策急轉彎，今年全球AI晶片市場更經歷巨大動盪，美國對中國的AI晶片禁令加劇，讓中國產業政策是鐵了心要加速建立自己的AI晶片供應鏈，長鑫存儲是中國唯一的DRAM供應商，雖然去年才剛剛進入DDR4市場，各界認為此舉對台系記憶體廠威脅最大，只是今年在配合中國政府的政策下，已全面轉彎力拼DDR5和HBM晶片。

中國各產業內卷非常嚴重，連電動車「內卷王」比亞迪都被官方示警要車廠間展開「自律對話」並「全面規範價格戰」。業界透露，半導體產業內卷情況也相當嚴重，前幾年一窩蜂蓋成熟製程產能就是一例，最後搞到大家互砍價格結果都不賺錢，未來中國官方不排除會進行「精準補貼」，而優先順序排在最前面的，絕對是AI晶片相關供應鏈。因為算力即國力，美國鎖定中國的AI晶片封鎖之下，未來中國的資源、資金、補貼扶植絕對會擺在AI晶片、HBM晶片上，甚至傳出即使是晶圓代工龍頭的中芯國際，都可能會被削減補貼，畢竟現在中國全力扶持的重點是AI、AI、AI！！

另外，這一波DDR4大缺貨潮，已經開始有蔓延到消費性LPDDR4的跡象，且未來將帶動合約價逐月上調。再者，上週起竟然出現16Gb DDR4現貨價超越16Gb DDR5史上頭一遭，而且8Gb DDR4現貨價也站穩3.1美元以上，接下來DDR5價格有極高的機會會被DDR4的漲價帶上去。

但是，三大負面消息也是不能不提：關稅、匯損、報價漲過頭之後的需求壓抑。

首先，關稅問題就像是每一家科技業者心中的一根刺，到底是20%？還是25%？還是30%？（要課多少就直接快說快說！！）只要我們關稅不要高於韓國就好，但退一萬步說，就像是台積電說的，關稅是進口商要付，半導體是出口商，另外一點是，現在處於DRAM晶片缺貨時期，其實轉嫁給客戶也不是難事，大不了報價再漲價25%。

不過，漲價過猛確實會抑制終端需求（雖然AI以外的終端需求原本就不強），但重點是，DRAM產業特性一向是供給主導的力量遠大於需求主導。意思是，每一次的DRAM大波段缺貨潮，都是始於供給端的帶動，例如有廠商製程轉換不順導致供給減少、當年爾必達/奇夢達/茂德的破產倒閉更是產業大重整，讓供給端從極度失序走向健康。

這一波AI需求帶動的科技大革新，從今年初就開始有許多人擔心AI泡沫化、資料中心供過於求、GPU砍單等負面消息，確實都讓HBM需求有雜音，現在回頭看，AI泡沫化這個擔心不能說已經不存在，但可能不會這麼快發生。前陣子川普和Nvidia、AMD去中東談了一個大案子，中東國家也要開始拼算力即國力蓋起資料中心，阿拉伯聯合大公國更是狂，成為全球一個宣布全體國民可以享受免費使用進階版ChatGPT的國家。

只要AI需求會一直熱下去，HBM對於DRAM排擠就會持續。生產HBM所需要的晶圓面積是相同製程傳統DRAM晶圓的2.5～3倍，而且，轉進最新一代的HBM4.0相較於HBM3.0因為堆疊層數更高、良率更不好控制，估計耗損成本會再增加至少20～30％，由此可知，HBM對於傳統DRAM排擠只會越來越加劇且越來越多，三星、SK海力士、美光、長鑫存儲有哪一家會因為HBM晶片的困難而知難而退嗎？ 當然沒有！ 所以DDR4的缺貨是不可逆的。因此，就算終端需求因為DRAM漲價過高而減少，但供給端只會減少更多，供給、需求兩者PK下，絕對還是缺貨！

最後來談匯率，這可能才是真正的大魔王！ 而且是每一家出口為主的廠商都要面對的問題。以南亞科為例，由於公司還在虧損，即使DDR4現貨價已經狂飆，但因為業務模式是走合約價，只能逐月慢慢調漲，預計要第四季才能轉虧為盈。因此，不免俗的要面對第二季財報持續虧損加上匯損，估計也是一個蠻令人震撼的數字，業界傳出匯損數字約莫新台幣40億元上下…

回到最初，先暫時撇除上述的三的負面因素，整個DRAM市場在DDR4的大缺貨漲價格局非常確立，而且漲價潮有延續到LPDDR4的跡象，DDR5估計也會被一路帶上去。未來缺貨空間最大的DDR4全是台系記憶體廠的天下。有記憶體人士曾說：只要哪一天中國長鑫存儲上了第一級別的擂台賽，對戰國際DRAM廠三星、SK海力士、美光，台系記憶體廠就會獲得救贖。果然如此，只是這一天居然提前來臨，只能說幸福來得太突然了！
 

連于慧 2025.5.12

Computex登場前夕，力積電攜手十家台灣半導體產業鏈供應商：愛普、晶豪、工研院、智成、Skymizer、滿拓、Zentel、力晶微元等，一起全力推廣邊緣運算edgeAI，共同推出3D AI半導體解決方案，瞄準語言模型推論和影像辨識兩大AI應用市場，從IP、IC設計服務、高頻寬記憶體架構、存算整合架構、電源管理晶片到晶圓堆疊、3D封裝等不同層次的技術展示，凸顯台灣以半導體科技為核心，助力全球AI業界發展高效能、低功耗、低成本的創新應用。

力積電在Wafer-on-Wafer晶圓堆疊與3D封裝領域耕耘多年，今年與以下的合作夥伴在Computex展中共同以3D AI半導體解決方案為主題設置展覽專區：

愛普：
提出適合用在AI與HPC應用的VHM技術，透過WoW的多點IO連結，以及愛普自訂的通訊協定，每GB的VHM可以提供超過4TB/s的頻寬並且擁有極為出色的耗能表現。VHMStack為多層堆疊架構的VHM解決方案，提供可擴展的頻寬與容量，滿足SoC對高效能的需求。再者，VHMInterposer與SoC以3D堆疊方式整合，可以保留 VHM的高頻寬優勢，同時具備 Silicon Interposer 的繞線能力。 VHMInterposer每10平方毫米可提供超過1.2GB的記憶體容量，並可整合S-SiCap，進一步強化 SoC 的電源及訊號完整性。

晶豪：
針對本地AI推論需求推出次世代aiPIM技術，搶攻AI 3D記憶體運算市場。晶豪的aiPIM（AI Processing-in-Memory）架構技術，以儲存運算一體化的3D晶片結構，象徵晶豪科進軍 AI 邊緣運算晶片市場的關鍵里程碑，目標打造具備高整合、高頻寬與低功耗 的在地普惠AI運算平台。aiPIM 技術是由晶豪科技主導，藉由與工研院與力積電提供的先進製程與 3D 堆疊代工技術，成功實現記憶體模組與 AI 核心的垂直整合，大幅減少資料搬移延遲，實現在記憶體內直接運算（in-memory computing）的目標。使用者甚至不需要更換舊的CPU，只需要外接新款的aiPIM記憶體，便可以瞬間獲得高效能的AI模型加速。

在市場應用方面，晶豪的aiPIM將導入至智慧相機、物聯網節點、智慧音箱、可攜式裝置等應用場景。未來也將針對工業監控、醫療影像、及私有化語音助手等AI模型提供專用記憶體模組，協助客戶實現邊緣AI即時處理與資料隱私保障的雙重需求。

Zentel：
針對邊緣AI運算的高頻寬、低功耗需求展出RD-LE-HBM（Right-Density, Low-Energy, High-Bandwidth Memory），是一款專為邊緣AI應用設計的記憶體產品。Zentel利用力積電的先進堆疊技術和數十年的記憶體生產經驗，提供「Right-Density」、「Low-Energy」和「High-Bandwidth」記憶體產品，將讀寫資料的傳輸距離盡可能縮短，從而實現高帶寬和低能耗的目標。此記憶體產品將為邊緣AI應用提供更高效、更低延遲、更低能耗的解決方案，進一步推動邊緣AI的發展和應用。

Skymizer：
展示HyperThought高效AI加速器 IP。HyperThought是 Skymizer最新一代 AI 加速器 IP，建構於指令集 LISA v3 架構上，原生支援 Multimodal推論與Agentic Workflow，具備高擴展性與 SoC 整合彈性，適用於行動、車載與嵌入式平台。
HyperThought 的關鍵優勢之一在於記憶體與頻寬的高度最佳化，其軟硬體協同設計平台能平衡運算吞吐與資源瓶頸，透過智慧記憶體調度與低精度運算（INT8/FP16），在有限頻寬下提升效率，支援多模型同時執行與即時反應，特別適用於邊緣裝置部署。

滿拓：
展示優化語言模型的AI IP新一代生成式 AI 解決方案，聚焦於專為大型語言模型LLM設計的高效 AI IP，加速文本理解、語音處理與影像生成等多模態任務。AI IP 針對記憶體存取深度優化，即使在低頻寬環境下仍能維持穩定高效的運算效能，展出內容亦涵蓋高效訓練伺服器與完整工具鏈，協助企業簡化模型訓練與部署流程，強化生成式 AI 在不同應用場景中的導入效率與靈活性。

工研院：
展示與力積電合作的MOSAIC 3D AI 晶片展現透過3D堆疊實現存算一體的創新成果。目前關鍵記憶體存取技術就是HBM，但因製作工序複雜且價格高貴，僅限用於高階伺服器產品。工研院與力積電合作研發全球首款將邏輯運算和記憶體整合在一起，設計出可彈性延伸的3D堆疊技術「MOSAIC 3D AI 晶片」，使晶片間的傳輸距離從微米（um）大幅縮短至奈米（nm），產生的熱能也僅十分之一，成本也僅五分之一。此技術具有模組化、多層次、易於擴展的優勢，可滿足各類型AI產品的應用需求，從攜帶式終端、邊緣運算裝置到HPC伺服器，實現GAI無所不在的願景。

智成：
利用晶圓堆疊將ARM處理器與DRAM整合的IC Design Service House。做出全球第一顆成功結合ARM Ethos-U65 NPU和Cortex-M55，並採用3D Wafer-on-Wafer（WoW）的IC設計公司。智成電子提供客戶獨特的DRAM Controller IP、3D WoW IC設計，到生產製造和封裝測試的一站式Turnkey服務，確保每款晶片設計皆符合最高標準。
 

連于慧 2025/2/25
這一波記憶體股價瘋狂反彈的節奏中，誰的漲勢最為凌厲？ 不是南亞科，也不是華邦，是三星記憶體代理商擎亞。 擎亞這一波的凌厲漲勢來自於三星HBM題材，其實2023年擎亞就拿下三星HBM的代理權，但當時三星HBM量還非常小。直到2024年中，擎亞代理三星HBM炒過一波，但因為去年下半年市場狀況不好，HBM題材也沒有太好的表現。

擎亞在今日的法人說明會中釋出三個關鍵訊息：
第一，拿下三星HBM大中華地區的獨家代理權
第二，三星低階的HBM2系列，預計會在年中EOL（end of life），下半年交貨會以HBM3和HBM3E系列為主。
第三，三星HBM營收2025年將佔擎亞營收至少50％。（根據公司2024年說法是佔20~25%，今年看法大幅調升佔比）

2025年擎亞的HBM代理狀況相較於2024年會有些不一樣，今年擎亞拿到的三星HBM代理權屬於大中華區，不只是台灣代理權。主要是受到川普重返白宮後的影響，美國對中國的高科技管制只會趨嚴，尤其是雙方強烈對峙、比拼國力的AI關鍵戰場上，美國絕對緊緊掐中，而HBM記憶體更是高階AI技術的必要戰略物資。

過去三星有高比例的HBM是供應給中國客戶。如今，基於此大國博弈的背景下，為了避免美國反彈或是被限制從中國出貨，三星從2024年中起，就將多數的HBM發貨地轉到台灣發貨，擎亞也從三星台灣HBM獨家代理商，變成三星HBM大中華地區的獨家代理商，涵蓋台灣和中國的HBM發貨。







在HBM應用上，市場多數圍繞在三星的HBM3E未能打入Nvidia供應鏈的話題，甚至傳出三星必需要重新設計。 AI晶片除了Nvidia之外，GPU供應商還有AMD，據了解AMD也是三星HBM的重要客戶之ㄧ。其他如雲端CSP業者也都在開發自己的ASIC晶片，也都需要搭配HBM記憶體，亞馬遜AWS也是三星HBM客戶。

尤其在「窮人版AI」的DeepSeek問世後，不見得所有的語言模型都需要去買Nvidia最高等級的GPU，也給了其他零組件很多敲開AI大門的機會。

在毛利率方面，擎亞代理的三星HBM產品線毛利率高達5～8％，相較之下，代理三星其他零組件如CIS、OLED、等等的平均毛利率只有2～3％高很多。法人預估，未來毛利率是逐季攀升。

三星會將AI世代最重要的HBM記憶體代理權交給擎亞，而不是給其他同樣是往來很久的代理商如至上等，可能是因為擎亞的三星代理業務上，比較偏重晶圓代工業務，而HBM雖然是記憶體，但主要是與邏輯元件搭配出貨。

更關鍵是，擎亞也扶植兩家子公司CoAsia SEMI及CoAsia NEXELL，分別著重在IC設計的前端與後端工程，IC設計客戶將可透過擎亞，到三星去投片，有點像是世芯和創意的角色，主要就是招攬AI晶片相關的客戶。

 

連于慧 2025/1/9

2024年幾乎每1～2個月都會有三星HBM3E即將通過Nvidia測試通過的消息出來，很像是街坊鄰居三不五時就會關心一下三星「肚皮有沒有動靜」、「什麼時候能添個金孫」、「這次能一舉得男吧！」，突然間三星在全世界多了許多「關心」他的公公婆婆（想必三星壓力是頂天大）。一直到2024年下半，韓國媒體都還在放消息說：快了快了、馬上、即將…會通過Nvidia認證。不過，三星在10月份的投資人會議中也透露雙方合作延宕的訊息。

黃仁勳在CES 2025記者會上直接給出答案：三星的HBM需要全新設計，才能通過Nvidia對於HBM的驗證。

老黃畢竟是非常懂得說會之道且情商超高的人，也補充說：三星是家非常優秀的公司，我相信三星能克服這些困難。 記者追問三星測試也太久了吧？ 黃仁勳回答更妙：韓國人總是比較急（impatient），但這是件好事，Nvidia使用的第一款HBM就是三星做的，相信他們最終一定能成功生產出來，就如同我相信明天是星期三！（記者會當天是星期二）

目前SK海力士是HBM3E記憶體的主要廠商，2024年初8層HBM3E晶片量產交貨，相隔僅半年，2024年下半就再度宣布12層HBM3E晶片量產，容量增加50%。自2013年，SK海力士開始供應從第一代HBM2到第五代HBM3E完整的HBM產品線。海力士的HBM4晶片預計2026年量產。

美光最新的HBM3E晶片，也成功打入Nvidia的H200供應鏈，而且公司也指出，2025年HBM晶片已售罄，被誰買光光大家心裡應該都很清楚（最近換皮衣的那位！！）再者，美光的HBM4晶片也預計會在2026年量產的，應用在Nvidia的Rubin R100產品上。

眼看SK海力士和美光的HBM3E都開始與Nvidia配合，接下來新一代技術更是與台積電保持緊密的技術搭配，三星非常著急！但著急沒有用，2024年著急了一整年，也還是沒有通過認證，接下來要看2025年了。也有人說三星的HBM技術一直沒做好，是因為早期銷售市場以中國為主，當地對於HBM認證的要求不高，所以最後與SK海力士的差距越來越遠。而現在，黃仁勳透露，三星的產品需要「重新設計」。

HBM除了用在現在最夯的AI服務器上，未來自動駕駛輔助系統ADAS對HBM需求也開始升溫。SK海力士已宣布，HBM2E已供應給美國自駕車公司Waymo，三星也表示將在2027年推出車用HBM4E。隨著未來Level 5自駕車需要的記憶體容量、頻寬等條件，已讓目前的傳統車用記憶體無法承擔，因為未來自動駕駛技術會加入AI來增加應變和處理速度，因此也需要HBM記憶體。
 

連于慧 2024/12/22
全球半導體雲端戰火的炙熱程度，已是人人抬頭可看遠處的火花四射，而這股AI熱情已經悄悄「下放」至邊緣端，群聚而起的邊緣AI商機即將引爆，台系半導體廠私下佈局多時的獨門邊緣AI技術，也陸續浮上檯面！

鈺創董事長盧超群每年都會親自出征CES，今年行前特別點名邊緣AI和機器人兩大未來趨勢，將可帶動全球半導體產業再攀高峰！ 盧超群尤其看好生成式AI邊緣端，鈺創推出的全球首創採用WLCSP微型封裝技術的RPC DRAM，相較於傳統DDR3產品，不僅大幅減少超過一半的接腳數，所需PCB面積更僅為原本的十分之一，是兼具尺寸、成本、功耗挑戰的最佳解決方案。再者， RPC DRAM也通過AEC-Q100 Grade-2車規級可靠度測試標準，並打入國際領導品牌車廠供應鏈。

日前，因為雲端AI資料中心的帶動，HBM成為記憶體領域的一陣話題，但鈺創已經看到未來HBM層數技術不斷堆疊上去，未來在能耗會是很帶挑戰，因此公司做法是將資源集中於底層架構和控制器，將重點研發放在記憶體與邏輯之間溝通的技術上，推出獨特的一站式開發平台MemoraiLink，來實現記憶體與邏輯設計的深度整合，提供高頻寬、客製化的利基型記憶體解決方案。

盧超群指出，MemoraiLink並非市場常見的橋接技術如NV Link、UA Link，它是專門做記憶體與邏輯之間的溝通，特點在於控制器的設計。例如，信號線數量由傳統的16根或32根提升至256根，強化數據傳輸效率，以因應邊緣AI運算產生的龐大數據。並且能有效降低功耗，以及縮短開發時程。MemorAiLink 的一站式開發平台也提供多樣的記憶體選擇，提供成本效益最佳化的異質整合多元封裝規畫，加上完整的記憶體介面IP，加速客戶邊緣AI系統解決方案在最短的時間實現落地！

此外，鈺創也展示即將在CEO上展出整合AI與半導體的創新技術，包括針對醫療維安場景打造的智慧相機，該系統整合DRAM、SoC、AI運算，實現高效能、低功耗的應用，目前已在台大醫院竹科分院落地使用，可於醫院內的安全監控、病人行為檢測及醫療器材管理，系統能即時處理影像數據，並結合AI運算判斷異常情況。

鈺創也展示，旗下子公司鈺立微電子正式發表全新eSP936多傳感器影像控制晶片，支援多達 7 路視覺傳感器數據，並搭配專屬的Sense and Reac人機互動開發者介面，實現智慧控制，成為推動智慧應用落地的關鍵引擎。 eSP936晶片結合多模態視覺語言模型，能夠整合多視覺傳感器與即時AI邊緣運算功能，適用於智慧應用場景，無人載具如自動導引車、自主移動機器人、無人機可透過該晶片高速同步處理多路2D影像並生成3D深度圖，提升高精準環境識別能力，搭配嵌入式AI晶片，能有效應對多變的導航環境。此外，工業機器人與服務型機器人則能在複雜場景中獲得更精準的智慧感知，結合即時運算、自動化操作，實現高效率運行。

沉浸式人機互動系統方面，eSP936能結合AI SoC平台，增強Sense and React互動體驗，廣泛應用於視訊會議、擴增教育及XR（擴展實境）領域，這款晶片支援多達7路視覺傳感器數據同步處理，內建DRAM 晶片與廣角影像去扭曲技術，實現高精準度環境感知與多視角3D深度圖生成，同時具備高效能數據壓縮能力，有效減少延遲。此外，其MIPI+USB同時處理技術，確保輸出高品質的2D影像與3D深度圖，進一步提升影像辨識精準度。

 

連于慧 2024/12/18
AI和非AI造成全球科技產業極度懸殊的貧富差距，也反映在記憶體產業上！ 傳統DRAM和NAND Flash乏人問津，高頻寬記憶體HBM卻是洛陽紙貴，原本在該領域腳步一直落後的台系記憶體廠，也決定高調出招！ 南亞科董事會宣布參與DRAM IC設計公司補丁科技的現金增資，以總投資額不超過新台幣6.6億元，現增後取得補丁38%股權。據了解，雙方要一起開發類HBM技術。

補丁科技是何方神聖？ 補丁科技原本就是南亞科的子公司，由丁達剛創立。最早期，丁達剛曾在英特爾、貝爾實驗室工作，1990年代回台灣後，次微米計畫發展DRAM技術時，由美國回來的盧超群、丁達剛、趙瑚、毛敘、陳冠中等人一同實現了自有DRAM技術的量產，之後更是創立了鈺創科技，而基於微米計畫發展的DRAM自有技術也在1994年成立世界先進，當時世界先進就是做DRAM自有技術，一直到2004年才轉型為晶圓代工至今。丁達剛在鈺創成立初期擔任過IC設計副總，也在南亞科工作過，後來成立補丁科技至今，一直是從事DRAM IC設計領域。

補丁科技研發的高頻寬記憶體為HBLL-RAM，立體堆疊記憶體的技術做法和華邦的Cube、力積電/愛普的解決方案類似，都是不需要用到台積電的CoWoS封裝技術。

在應用市場面上，台積電、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封裝是鎖定雲端資料中心伺服器，而南亞科/補丁、華邦、力積電/愛普的解決方案比較偏向鎖定邊緣Edge AI領域，訴求是運算高性能AI計算時，能耗非常低。

據了解，南亞科以10nm DRAM製程和補丁科技一起針對客製化高頻寬記憶體的合作，是要一起開發第二代的HBLL 2。業界人士分析，南亞科內部一直有開發設計這種客製化類HBM技術的團隊，只是一直沒有浮上檯面，這次公開與補丁科技攜手，可能是南亞科內部的類HBM技術開發團隊進度還未成熟，同時補丁科技此時也有資金需求，因此雙方決定一起開發類HBM技術，希望能加速AI應用技術的突破。

記憶體廠佈局AI領域是一道不能迴避的必考題。但是，如果直接去挑戰HBM技術，等同是和美光、SK海力士、三星這幾家DRAM大廠競爭雲端資料中心市場，其技術門檻之高，需要投入資金之龐大，對於台灣記憶體廠而言，完全不實際，更何況三星這樣的強勢競爭者都可以屢屢受挫。

如何做出類似傳統HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封裝技術，繞開台積電的CoWoS封裝技術，是台灣記憶體廠商正在做的解決方案。更重要的是，台記憶體廠這樣做法不需要最先進製程的技術，只需要用成熟的半導體技術就可以實現，差別在於容量密度和耗電，特別適合用在邊緣AI領域。這種類HBM的做法，也比傳統且真正的HBM記憶體便宜非常多，台廠也能利用高性價比的優勢，來創造出一些客製化和特殊需求的市場，來開創藍海。
 

連于慧 2024/12/3
美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊（前兩次出口管制為2022/10、2023/10）：HBM、華為、設備材料，另外還有EDA。整個管制清單串起來，針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的，連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

HBM限制：管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB，目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值，意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過，這項規定有的豁免方式，就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片，這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖，但三星對於中國市場的依賴度比較高，極力遊說HBM2可以持續供應，甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨，就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨，以保證不會單獨銷售到對岸。（就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣，油條不單賣就對了…）不過最後結果看來，只要封裝後的HBM2即有豁免權，也沒限制在哪裡封裝，主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

武漢新芯：估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲，所以被盯上。

為什麼每次的出口管制，長鑫存儲始終能置身事外？ 這問題很多人問，傳出長鑫在美國的遊說團強而有力，也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術，在美國適用的法規是管制度較低的EAR99，目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備，以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

還有，長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖，是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做，直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲，那可能不能只管制一家，得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商，還包括三星西安、SK海力士無錫廠，這代價太大了！

華為體系：芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司，毫不意外都上清單。

設備材料：幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖，包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中，章閣儀器是昇维旭旗下的，深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過，當今這種氣氛下，中微還是不要當唯一例外比較好，免得被當成美國同路人。

EDA：華大九天。這家是中國EDA龍頭，估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具，因此上了清單。

投資機構：建廠資本、智路資本（這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團）

聞泰：上清單感覺最倒霉的是聞泰，不過就做的汽車晶片，然後躺著也中槍，可能是太有名了。

傳三家VEU企業被撤銷：原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體，傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU（Validated End User），經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目，無需額外申請許可證，這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
 

連于慧 2024/11/27
在美國新一輪出口管制即將公佈之際，傳出美國網通大廠已對供應商發出通知函，要從嚴執行提供晶片原產地證明COO（Certification of Original），供應商的產品不能有中國製造，且COO的標準認定更由晶片的最終封裝地點，升級為追溯晶片和光罩產地，確保不是中國製造後的「洗產地」。這次是美國網通設備大廠先執行，業界在觀察未來是否所有消費性電子產品都會跟進。（先前已有Dell先要求所有產品逐漸去中化，傳HP評估跟進中）。
 
關於美國可能進一步要求「去中化」，且嚴格限制晶片產地的消息，我們在7月中有一篇詳盡報導《美國擴大中國成熟製程關稅力道，傳晶片產地認定將追溯至前段半導體製造》。業界透露，網通設備有國家安全考量，因此必須嚴格追溯晶片產地可以理解，但不一定會擴及至所有消費性電子產品，除非有官方規定。
 
先前，傳出PC大廠戴爾已經開了第一槍，要求從美國市場銷售的產品開始，目標在2026年前，PC、ＮB、伺服器和周邊產品如鍵盤、電源供應器等產品內部晶片產地都要完成去中化。雖然Dell出面否認，但業界都心知肚明，這是美國政策引導的方向，像是Dell和HP這樣規模的指標性大廠，以及這次傳出要求供應商提供COO證明的美國網通大廠思科，必須要在官方政策正式出台前，先下手執行。
 
晶片產地「去中化」嚴格實施後，有三個趨勢會更為明確：

第一，是全球科技產品供應鏈分為中國製和非中國製兩套系統運作的趨勢明確。未來，供應鏈安全為第一優先考量，生產成本的考量其次。
 
第二，中國不斷大力擴建成熟製程產能，未來如果只能使用在中國境內產品，會陷入自己卷自己，出現嚴重供過於求。即使產能滿載，都不一定能有合理利潤，只能依靠政府補帖重點企業，然後再來一場嚴峻的淘汰賽。
 
第三，中國以外的成熟製程產能（即台灣邏輯和記憶體半導體廠），眼前有危機，但也深具轉機。表面上的危機是中國因為成熟製程產能供過於求，把價格殺很低。但從另一個角度看，全球晶片「去中化」已經開始多年，只是沒有徹底執行。川普2.0捲土重來，在對中的科技戰略上不會手軟。拜登在最後任期開始從嚴管制，預計川普上任後，科技廠只能選邊站，沒有模糊空間。當所有科技產品的成熟製程投片都必須「去中化」時，台系半導體廠、記憶體廠有機會來一場翻身戰。
 
未來電子產品內的晶片如果都要求去中化，至少在美國市場銷售的部分，所有成熟製程必須大量依賴聯電、世界先進、力積電。記憶體最大獲益者當然是正宗美國招牌的美光，其次是南亞科和華邦兩大記憶體晶圓廠，這兩家台廠大量供應消費性電子、網通設備用的成熟製程利基型記憶體晶片，未來會獲得最大轉單機會。再者，台系記憶體IC設計鈺創和晶豪等，也不能偷偷去中系記憶體廠投片，要乖乖回台系記憶體廠的體系投片。至於兩大韓系記憶體廠三星和SK海力士，主要戰場還是在AI應用上的HBM記憶體。
 
在晶片「去中化」背景下，台系成熟製程大廠聯電、世界先進、力積電，以及記憶體廠南亞科和華邦是唯一可以承接的晶圓代工訂單的供應商群。其他如GlobalFoundries規模有限，英特爾的晶圓代工部門拼的也是對標台積電的先進製程，其成熟製程也只能拉聯電一起合作。
 
現在半導體產業的最大問題不是「紅潮」，是終端需求不振。中國的成熟製程產能再擴下去，只會自己卷自己，最後殺到自己，非中系的供應鏈只要設下防火牆，是可以跳脫紅潮危機的。
 
整體來看，2024年下半的終端需求有比上半年好一些，但仍是反應季節性的旺季不旺。有個很重要的產業背景是，需求不振已經持續很多年了，意即經過多年的消化庫存，現在供應鏈的庫存也處於低水位，只待終端需求一點火，整個產業鏈就會動起來。
 
當前台灣成熟製程廠雖然面臨地緣政治挑戰，但也是前所未有的轉機。川普第一次上任時，把華為禁掉，當時大家認為台積電失去華為這位大客戶，恐面臨訂單空窗期，但事實證明是所有非中系客戶訂單都搶著遞補上來。（當然後來加入疫情背景，供應鏈擔心斷鏈下的搶晶圓潮）。未來歐美會延續供應鏈安全第一的準則，基本上所有成熟製程的晶片都只能依靠台灣，台灣成熟製程半導體廠、記憶體廠的訂單回籠，是遲早的事。
 
關於中國的成熟製程廠，還有一個思考面向。美國和歐洲對於中國不斷擴增成熟製程產能，已經著手防禦。不久前，更傳出美系半導體設備大廠包括應用材料(Applied Materials)和科林研發（Lam Research），要求他們的零組件供應商不能有中國色彩，以遵循美國的出口管制。另外，雖然美國也要求設備廠尤其是ASML要中斷對中國半導體廠的機台設備售後維修服務，但這一點ASML並未同意。在2022年美國出台的出口管制後，基本上只要是美國公民包括綠卡持有者，都不能繼續在中國半導體廠生產基地工作，當時有一波半導體設備廠外國人員撤出潮。
 
業界指出，要設備廠中斷維修服務，業者多半不願意遵從，因為售後服務也是設備廠一大生意來源，不可能斷然放棄，有些還有合約問題，無法直接違約，但這部分後續發展，可能要看美國會動用多少行政手段干預，這也會牽涉中國成熟製程機台後續的維修問題。