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連于慧 2025.6.12
什麼是世界上有錢也買不到的東西？ 除了真愛，就是DDR4了 ！ 

DDR4即將停產的消息，讓近日的DDR4報價一路狂飆，自從上週五舊規格16Gb DDR4現貨價創下史上頭一遭超過DDR5現貨價之後，DDR4現貨報價與DDR5現貨價差距越拉越大。 這一波DDR4帶頭的大缺貨潮初期看似是關稅課徵之前的提前備貨，但實際供給端缺口比市場預期的大很多，導致DDR4現貨報價越漲越凶猛，未來DDR4合約價必須大舉跟進，更撐住DDR5報價順勢往上。

全球三大DRAM廠終止生產DDR4晶片的消息傳了多時，這次絕對玩真的！ AI伺服器在全球的需求不但沒有降溫，反而在Nvidia黃仁勳四處「傳教」AI世界的美好，加上成為川普口中的「smart cookie」好朋友之後，AI需求持續火熱，少了中國商機，來了中東市場，未來中國降規版AI晶片仍可持續銷售。日前，黃仁勳的「傳教之旅」最新一站來到歐洲，預計兩年內要將歐洲AI算力提升十倍，更宣揚英國需要更多的AI基礎設施，英國首相也聽得如癡如醉，立馬回應要加碼10億英鎊改善基礎設施，全面提升英國的AI算力！

AI需求越來越多，代表HBM記憶體供過於求的警報會逐漸緩解，因為DRAM轉進HBM帶動的技術革新、晶圓面積耗損，以及高毛利率的誘惑，是這一波DRAM缺貨潮最底層的原因，只要AI需求持續高漲，製程轉換帶動產能排擠效應，DRAM缺貨潮的故事才能繼續講下去。尤其近期的DDR4因為全球所有的供應商全數退出，DDR4缺口急速擴大，現貨報價呈現瘋狂上漲。

SK海力士、三星、美光陸續退出DDR4市場，一般仍會保留長壽需求的車規、工業用規格的產品持續供貨，直到合約走完，但很多下游客戶擔心完全斷貨，此刻都想多備貨，得到的回覆是：可以下單，但沒有交期！ 等於是給客戶軟釘子。 有些客戶則是轉向找南亞科求救要貨並且重做認證，目前南亞科幾乎可以算是全球唯一會持續生產DDR4的記憶體廠，將成為最大受益者。

據了解，南亞科在手的DDR4庫存數量原本就不少，受惠DDR4價格飆漲，手上庫存是洛陽紙貴，但仍有些價格沒這麼好的DDR3舊產品需要被消化。業界表示，傳出南亞科可能會提出類似「搭售」的策略，要買炙手可熱的DDR4晶片必須也多少拿一點DDR3晶片，剛好可以利用這一波DDR4的大缺貨，順勢把手上DDR3舊產品庫存給消化掉。

在DDR4供應商銳減下，未來下游客戶的因應方式，可能會將部分新產品規格轉向DDR5晶片，但也有些應用端產品才剛剛從DDR3轉到DDR4，不可能這麼快又轉去用DDR5，像是WiFi 7晶片等。因此，短期內DDR4仍是有相當強勁的需求作支撐，尤其在8Gb規格的DDR4晶片，主要是南亞科供應為主，應用層面十分廣，需求十分強勁。

原本中國長鑫存儲加入DDR4生產，帶給台系記憶體無比的巨大壓力。隨著長鑫存儲決定去拼HBM和DDR5，策略轉彎退出DDR4市場，空出來的DDR4市場未來只會有南亞科供應，華邦也將加入小部分產能。 據了解，長鑫存儲決定提前退出DDR4，全數轉進DDR5和力拼AI伺服器用的HBM記憶體，除了是配合中國官方政策，要全力打造自有的AI伺服器產業鏈，另一方面也是長鑫存儲的DDR5良率相當不錯，給了長鑫不少底氣，決定往高階市場一拼高下，未來長鑫存儲將會變成三星的另一個煩惱。

HBM競爭也是十分劇烈。記憶體業者表示，很多人誤以為HBM技術難如登天，其實堪用的HBM不難做，只是要通過Nvidia的認證非常困難，所以三星才會壓力這麼大。但以後AI晶片選擇很多，ASIC也是另一股勢力，仍是可以適配等級沒這麼高的HBM記憶體。 最後偷偷告訴你，其實錢夠多文章開頭的那兩樣東西都買得到！
 

連于慧 2025.6.9
近期，下游客戶在關稅90天寬限期內瘋狂備貨，帶動DRAM價格狂飆。上週五DRAM現貨市場更出現不尋常訊號，舊規格的16Gb DDR4現貨價格首度超過16Gb DDR5現貨價，創下史上頭一遭！ 除了三大DRAM廠確立退出DDR4市場，專注生產DDR5和HBM，中國長鑫存儲也急轉彎終止剛跨入生產的DDR4產品，全面催生DDR5和HBM自研晶片，配合中國政策建立自己的AI伺服器供應鏈。在全球記憶體大廠全面退出，關稅拉貨潮催化，DDR4價格狂飆，南亞科手上DDR4庫存洛陽紙貴，更傳出南亞科評估將原本轉進DDR5的產能，先倒車回頭生產DDR4，搶佔這一波十年才會出現一次的超級好光景！

在SK海力士、三星、美光、長鑫存儲皆退出DDR4市場後，南亞科成為全球唯一的DDR4供應商，華邦雖然計畫下半年將產線從DDR3轉到DDR4，但DDR4產能規模較南亞科小非常多，相較之下，南亞科手上庫存一堆，過去是賠錢貨、是庫損，短短幾個月的時間，這批庫存即將上演「賠錢貨變黃金戲碼」！

更重要的是，記憶體業界透露，南亞科原本採用1B製程生產DDR4和DDR5，力拼下半年DDR5大量出貨，但這幾個月全球出現太多變化，導致DDR4晶片身價洛陽紙貴，傳出南亞科內部評估要將1B製程原本要投片DDR5的產能，全數回頭轉投片DDR4晶片，搶佔這一波DDR4大缺貨巨大商機，況且南亞科DDR5的良率爬坡一直有點辛苦，剛好遇到DDR4難得一見的大行情，自己突然變成全球唯一DDR4供應商，此時順勢把DDR5投片先轉回DDR4，也算是獲得的某種「下台階」。

業者更透露，今年初時，南亞科還在鼓勵員工可以多休假，強調work life balance身心健康的重要性，但從上個月，已經開始要求部分員工週末找一天來加班，全力上緊發條加速生產。原本南亞科面臨中國長鑫存儲跨入DDR4的巨大壓力，加上轉進DD5良率陣痛期，前後夾殺下，幾乎快喘不過氣來，此時遇到關稅緩徵90天大拉貨潮，以及長鑫存儲退出DDR4轉拼HBM，只能說南亞科不是上輩子燒好香，就是有前世拯救地球，才能如此戲劇化的絕處逢生。

但要提醒，眼前的DDR4現貨價雖然瘋狂飆漲，但DDR4的合約價是幾個月以前談定的，因此合約價仍在低檔慢慢爬升，南亞科與系統廠的交易是以合約價格為主，要等到未來幾個月逐月調升合約價，才會反映在營收和獲利上。更重要的是，往後看，南亞科幾乎可以說是全球唯一DDR4供應商（除了華邦還有少量供應），現在這種時機點，南亞科手上的DDR4庫存根本不用急著快速出貨給下游廠商，要慢慢出貨、有一點惜售的味道、慢慢拉升價格，不急著衝高單月營收，才是最佳策略。

談到中國政策急轉彎，今年全球AI晶片市場更經歷巨大動盪，美國對中國的AI晶片禁令加劇，讓中國產業政策是鐵了心要加速建立自己的AI晶片供應鏈，長鑫存儲是中國唯一的DRAM供應商，雖然去年才剛剛進入DDR4市場，各界認為此舉對台系記憶體廠威脅最大，只是今年在配合中國政府的政策下，已全面轉彎力拼DDR5和HBM晶片。

中國各產業內卷非常嚴重，連電動車「內卷王」比亞迪都被官方示警要車廠間展開「自律對話」並「全面規範價格戰」。業界透露，半導體產業內卷情況也相當嚴重，前幾年一窩蜂蓋成熟製程產能就是一例，最後搞到大家互砍價格結果都不賺錢，未來中國官方不排除會進行「精準補貼」，而優先順序排在最前面的，絕對是AI晶片相關供應鏈。因為算力即國力，美國鎖定中國的AI晶片封鎖之下，未來中國的資源、資金、補貼扶植絕對會擺在AI晶片、HBM晶片上，甚至傳出即使是晶圓代工龍頭的中芯國際，都可能會被削減補貼，畢竟現在中國全力扶持的重點是AI、AI、AI！！

另外，這一波DDR4大缺貨潮，已經開始有蔓延到消費性LPDDR4的跡象，且未來將帶動合約價逐月上調。再者，上週起竟然出現16Gb DDR4現貨價超越16Gb DDR5史上頭一遭，而且8Gb DDR4現貨價也站穩3.1美元以上，接下來DDR5價格有極高的機會會被DDR4的漲價帶上去。

但是，三大負面消息也是不能不提：關稅、匯損、報價漲過頭之後的需求壓抑。

首先，關稅問題就像是每一家科技業者心中的一根刺，到底是20%？還是25%？還是30%？（要課多少就直接快說快說！！）只要我們關稅不要高於韓國就好，但退一萬步說，就像是台積電說的，關稅是進口商要付，半導體是出口商，另外一點是，現在處於DRAM晶片缺貨時期，其實轉嫁給客戶也不是難事，大不了報價再漲價25%。

不過，漲價過猛確實會抑制終端需求（雖然AI以外的終端需求原本就不強），但重點是，DRAM產業特性一向是供給主導的力量遠大於需求主導。意思是，每一次的DRAM大波段缺貨潮，都是始於供給端的帶動，例如有廠商製程轉換不順導致供給減少、當年爾必達/奇夢達/茂德的破產倒閉更是產業大重整，讓供給端從極度失序走向健康。

這一波AI需求帶動的科技大革新，從今年初就開始有許多人擔心AI泡沫化、資料中心供過於求、GPU砍單等負面消息，確實都讓HBM需求有雜音，現在回頭看，AI泡沫化這個擔心不能說已經不存在，但可能不會這麼快發生。前陣子川普和Nvidia、AMD去中東談了一個大案子，中東國家也要開始拼算力即國力蓋起資料中心，阿拉伯聯合大公國更是狂，成為全球一個宣布全體國民可以享受免費使用進階版ChatGPT的國家。

只要AI需求會一直熱下去，HBM對於DRAM排擠就會持續。生產HBM所需要的晶圓面積是相同製程傳統DRAM晶圓的2.5～3倍，而且，轉進最新一代的HBM4.0相較於HBM3.0因為堆疊層數更高、良率更不好控制，估計耗損成本會再增加至少20～30％，由此可知，HBM對於傳統DRAM排擠只會越來越加劇且越來越多，三星、SK海力士、美光、長鑫存儲有哪一家會因為HBM晶片的困難而知難而退嗎？ 當然沒有！ 所以DDR4的缺貨是不可逆的。因此，就算終端需求因為DRAM漲價過高而減少，但供給端只會減少更多，供給、需求兩者PK下，絕對還是缺貨！

最後來談匯率，這可能才是真正的大魔王！ 而且是每一家出口為主的廠商都要面對的問題。以南亞科為例，由於公司還在虧損，即使DDR4現貨價已經狂飆，但因為業務模式是走合約價，只能逐月慢慢調漲，預計要第四季才能轉虧為盈。因此，不免俗的要面對第二季財報持續虧損加上匯損，估計也是一個蠻令人震撼的數字，業界傳出匯損數字約莫新台幣40億元上下…

回到最初，先暫時撇除上述的三的負面因素，整個DRAM市場在DDR4的大缺貨漲價格局非常確立，而且漲價潮有延續到LPDDR4的跡象，DDR5估計也會被一路帶上去。未來缺貨空間最大的DDR4全是台系記憶體廠的天下。有記憶體人士曾說：只要哪一天中國長鑫存儲上了第一級別的擂台賽，對戰國際DRAM廠三星、SK海力士、美光，台系記憶體廠就會獲得救贖。果然如此，只是這一天居然提前來臨，只能說幸福來得太突然了！
 

連于慧 2025.5.12

Computex登場前夕，力積電攜手十家台灣半導體產業鏈供應商：愛普、晶豪、工研院、智成、Skymizer、滿拓、Zentel、力晶微元等，一起全力推廣邊緣運算edgeAI，共同推出3D AI半導體解決方案，瞄準語言模型推論和影像辨識兩大AI應用市場，從IP、IC設計服務、高頻寬記憶體架構、存算整合架構、電源管理晶片到晶圓堆疊、3D封裝等不同層次的技術展示，凸顯台灣以半導體科技為核心，助力全球AI業界發展高效能、低功耗、低成本的創新應用。

力積電在Wafer-on-Wafer晶圓堆疊與3D封裝領域耕耘多年，今年與以下的合作夥伴在Computex展中共同以3D AI半導體解決方案為主題設置展覽專區：

愛普：
提出適合用在AI與HPC應用的VHM技術，透過WoW的多點IO連結，以及愛普自訂的通訊協定，每GB的VHM可以提供超過4TB/s的頻寬並且擁有極為出色的耗能表現。VHMStack為多層堆疊架構的VHM解決方案，提供可擴展的頻寬與容量，滿足SoC對高效能的需求。再者，VHMInterposer與SoC以3D堆疊方式整合，可以保留 VHM的高頻寬優勢，同時具備 Silicon Interposer 的繞線能力。 VHMInterposer每10平方毫米可提供超過1.2GB的記憶體容量，並可整合S-SiCap，進一步強化 SoC 的電源及訊號完整性。

晶豪：
針對本地AI推論需求推出次世代aiPIM技術，搶攻AI 3D記憶體運算市場。晶豪的aiPIM（AI Processing-in-Memory）架構技術，以儲存運算一體化的3D晶片結構，象徵晶豪科進軍 AI 邊緣運算晶片市場的關鍵里程碑，目標打造具備高整合、高頻寬與低功耗 的在地普惠AI運算平台。aiPIM 技術是由晶豪科技主導，藉由與工研院與力積電提供的先進製程與 3D 堆疊代工技術，成功實現記憶體模組與 AI 核心的垂直整合，大幅減少資料搬移延遲，實現在記憶體內直接運算（in-memory computing）的目標。使用者甚至不需要更換舊的CPU，只需要外接新款的aiPIM記憶體，便可以瞬間獲得高效能的AI模型加速。

在市場應用方面，晶豪的aiPIM將導入至智慧相機、物聯網節點、智慧音箱、可攜式裝置等應用場景。未來也將針對工業監控、醫療影像、及私有化語音助手等AI模型提供專用記憶體模組，協助客戶實現邊緣AI即時處理與資料隱私保障的雙重需求。

Zentel：
針對邊緣AI運算的高頻寬、低功耗需求展出RD-LE-HBM（Right-Density, Low-Energy, High-Bandwidth Memory），是一款專為邊緣AI應用設計的記憶體產品。Zentel利用力積電的先進堆疊技術和數十年的記憶體生產經驗，提供「Right-Density」、「Low-Energy」和「High-Bandwidth」記憶體產品，將讀寫資料的傳輸距離盡可能縮短，從而實現高帶寬和低能耗的目標。此記憶體產品將為邊緣AI應用提供更高效、更低延遲、更低能耗的解決方案，進一步推動邊緣AI的發展和應用。

Skymizer：
展示HyperThought高效AI加速器 IP。HyperThought是 Skymizer最新一代 AI 加速器 IP，建構於指令集 LISA v3 架構上，原生支援 Multimodal推論與Agentic Workflow，具備高擴展性與 SoC 整合彈性，適用於行動、車載與嵌入式平台。
HyperThought 的關鍵優勢之一在於記憶體與頻寬的高度最佳化，其軟硬體協同設計平台能平衡運算吞吐與資源瓶頸，透過智慧記憶體調度與低精度運算（INT8/FP16），在有限頻寬下提升效率，支援多模型同時執行與即時反應，特別適用於邊緣裝置部署。

滿拓：
展示優化語言模型的AI IP新一代生成式 AI 解決方案，聚焦於專為大型語言模型LLM設計的高效 AI IP，加速文本理解、語音處理與影像生成等多模態任務。AI IP 針對記憶體存取深度優化，即使在低頻寬環境下仍能維持穩定高效的運算效能，展出內容亦涵蓋高效訓練伺服器與完整工具鏈，協助企業簡化模型訓練與部署流程，強化生成式 AI 在不同應用場景中的導入效率與靈活性。

工研院：
展示與力積電合作的MOSAIC 3D AI 晶片展現透過3D堆疊實現存算一體的創新成果。目前關鍵記憶體存取技術就是HBM，但因製作工序複雜且價格高貴，僅限用於高階伺服器產品。工研院與力積電合作研發全球首款將邏輯運算和記憶體整合在一起，設計出可彈性延伸的3D堆疊技術「MOSAIC 3D AI 晶片」，使晶片間的傳輸距離從微米（um）大幅縮短至奈米（nm），產生的熱能也僅十分之一，成本也僅五分之一。此技術具有模組化、多層次、易於擴展的優勢，可滿足各類型AI產品的應用需求，從攜帶式終端、邊緣運算裝置到HPC伺服器，實現GAI無所不在的願景。

智成：
利用晶圓堆疊將ARM處理器與DRAM整合的IC Design Service House。做出全球第一顆成功結合ARM Ethos-U65 NPU和Cortex-M55，並採用3D Wafer-on-Wafer（WoW）的IC設計公司。智成電子提供客戶獨特的DRAM Controller IP、3D WoW IC設計，到生產製造和封裝測試的一站式Turnkey服務，確保每款晶片設計皆符合最高標準。
 

連于慧 2025/2/25
這一波記憶體股價瘋狂反彈的節奏中，誰的漲勢最為凌厲？ 不是南亞科，也不是華邦，是三星記憶體代理商擎亞。 擎亞這一波的凌厲漲勢來自於三星HBM題材，其實2023年擎亞就拿下三星HBM的代理權，但當時三星HBM量還非常小。直到2024年中，擎亞代理三星HBM炒過一波，但因為去年下半年市場狀況不好，HBM題材也沒有太好的表現。

擎亞在今日的法人說明會中釋出三個關鍵訊息：
第一，拿下三星HBM大中華地區的獨家代理權
第二，三星低階的HBM2系列，預計會在年中EOL（end of life），下半年交貨會以HBM3和HBM3E系列為主。
第三，三星HBM營收2025年將佔擎亞營收至少50％。（根據公司2024年說法是佔20~25%，今年看法大幅調升佔比）

2025年擎亞的HBM代理狀況相較於2024年會有些不一樣，今年擎亞拿到的三星HBM代理權屬於大中華區，不只是台灣代理權。主要是受到川普重返白宮後的影響，美國對中國的高科技管制只會趨嚴，尤其是雙方強烈對峙、比拼國力的AI關鍵戰場上，美國絕對緊緊掐中，而HBM記憶體更是高階AI技術的必要戰略物資。

過去三星有高比例的HBM是供應給中國客戶。如今，基於此大國博弈的背景下，為了避免美國反彈或是被限制從中國出貨，三星從2024年中起，就將多數的HBM發貨地轉到台灣發貨，擎亞也從三星台灣HBM獨家代理商，變成三星HBM大中華地區的獨家代理商，涵蓋台灣和中國的HBM發貨。







在HBM應用上，市場多數圍繞在三星的HBM3E未能打入Nvidia供應鏈的話題，甚至傳出三星必需要重新設計。 AI晶片除了Nvidia之外，GPU供應商還有AMD，據了解AMD也是三星HBM的重要客戶之ㄧ。其他如雲端CSP業者也都在開發自己的ASIC晶片，也都需要搭配HBM記憶體，亞馬遜AWS也是三星HBM客戶。

尤其在「窮人版AI」的DeepSeek問世後，不見得所有的語言模型都需要去買Nvidia最高等級的GPU，也給了其他零組件很多敲開AI大門的機會。

在毛利率方面，擎亞代理的三星HBM產品線毛利率高達5～8％，相較之下，代理三星其他零組件如CIS、OLED、等等的平均毛利率只有2～3％高很多。法人預估，未來毛利率是逐季攀升。

三星會將AI世代最重要的HBM記憶體代理權交給擎亞，而不是給其他同樣是往來很久的代理商如至上等，可能是因為擎亞的三星代理業務上，比較偏重晶圓代工業務，而HBM雖然是記憶體，但主要是與邏輯元件搭配出貨。

更關鍵是，擎亞也扶植兩家子公司CoAsia SEMI及CoAsia NEXELL，分別著重在IC設計的前端與後端工程，IC設計客戶將可透過擎亞，到三星去投片，有點像是世芯和創意的角色，主要就是招攬AI晶片相關的客戶。

 

連于慧 2025/1/9

2024年幾乎每1～2個月都會有三星HBM3E即將通過Nvidia測試通過的消息出來，很像是街坊鄰居三不五時就會關心一下三星「肚皮有沒有動靜」、「什麼時候能添個金孫」、「這次能一舉得男吧！」，突然間三星在全世界多了許多「關心」他的公公婆婆（想必三星壓力是頂天大）。一直到2024年下半，韓國媒體都還在放消息說：快了快了、馬上、即將…會通過Nvidia認證。不過，三星在10月份的投資人會議中也透露雙方合作延宕的訊息。

黃仁勳在CES 2025記者會上直接給出答案：三星的HBM需要全新設計，才能通過Nvidia對於HBM的驗證。

老黃畢竟是非常懂得說會之道且情商超高的人，也補充說：三星是家非常優秀的公司，我相信三星能克服這些困難。 記者追問三星測試也太久了吧？ 黃仁勳回答更妙：韓國人總是比較急（impatient），但這是件好事，Nvidia使用的第一款HBM就是三星做的，相信他們最終一定能成功生產出來，就如同我相信明天是星期三！（記者會當天是星期二）

目前SK海力士是HBM3E記憶體的主要廠商，2024年初8層HBM3E晶片量產交貨，相隔僅半年，2024年下半就再度宣布12層HBM3E晶片量產，容量增加50%。自2013年，SK海力士開始供應從第一代HBM2到第五代HBM3E完整的HBM產品線。海力士的HBM4晶片預計2026年量產。

美光最新的HBM3E晶片，也成功打入Nvidia的H200供應鏈，而且公司也指出，2025年HBM晶片已售罄，被誰買光光大家心裡應該都很清楚（最近換皮衣的那位！！）再者，美光的HBM4晶片也預計會在2026年量產的，應用在Nvidia的Rubin R100產品上。

眼看SK海力士和美光的HBM3E都開始與Nvidia配合，接下來新一代技術更是與台積電保持緊密的技術搭配，三星非常著急！但著急沒有用，2024年著急了一整年，也還是沒有通過認證，接下來要看2025年了。也有人說三星的HBM技術一直沒做好，是因為早期銷售市場以中國為主，當地對於HBM認證的要求不高，所以最後與SK海力士的差距越來越遠。而現在，黃仁勳透露，三星的產品需要「重新設計」。

HBM除了用在現在最夯的AI服務器上，未來自動駕駛輔助系統ADAS對HBM需求也開始升溫。SK海力士已宣布，HBM2E已供應給美國自駕車公司Waymo，三星也表示將在2027年推出車用HBM4E。隨著未來Level 5自駕車需要的記憶體容量、頻寬等條件，已讓目前的傳統車用記憶體無法承擔，因為未來自動駕駛技術會加入AI來增加應變和處理速度，因此也需要HBM記憶體。
 

連于慧 2024/12/22
全球半導體雲端戰火的炙熱程度，已是人人抬頭可看遠處的火花四射，而這股AI熱情已經悄悄「下放」至邊緣端，群聚而起的邊緣AI商機即將引爆，台系半導體廠私下佈局多時的獨門邊緣AI技術，也陸續浮上檯面！

鈺創董事長盧超群每年都會親自出征CES，今年行前特別點名邊緣AI和機器人兩大未來趨勢，將可帶動全球半導體產業再攀高峰！ 盧超群尤其看好生成式AI邊緣端，鈺創推出的全球首創採用WLCSP微型封裝技術的RPC DRAM，相較於傳統DDR3產品，不僅大幅減少超過一半的接腳數，所需PCB面積更僅為原本的十分之一，是兼具尺寸、成本、功耗挑戰的最佳解決方案。再者， RPC DRAM也通過AEC-Q100 Grade-2車規級可靠度測試標準，並打入國際領導品牌車廠供應鏈。

日前，因為雲端AI資料中心的帶動，HBM成為記憶體領域的一陣話題，但鈺創已經看到未來HBM層數技術不斷堆疊上去，未來在能耗會是很帶挑戰，因此公司做法是將資源集中於底層架構和控制器，將重點研發放在記憶體與邏輯之間溝通的技術上，推出獨特的一站式開發平台MemoraiLink，來實現記憶體與邏輯設計的深度整合，提供高頻寬、客製化的利基型記憶體解決方案。

盧超群指出，MemoraiLink並非市場常見的橋接技術如NV Link、UA Link，它是專門做記憶體與邏輯之間的溝通，特點在於控制器的設計。例如，信號線數量由傳統的16根或32根提升至256根，強化數據傳輸效率，以因應邊緣AI運算產生的龐大數據。並且能有效降低功耗，以及縮短開發時程。MemorAiLink 的一站式開發平台也提供多樣的記憶體選擇，提供成本效益最佳化的異質整合多元封裝規畫，加上完整的記憶體介面IP，加速客戶邊緣AI系統解決方案在最短的時間實現落地！

此外，鈺創也展示即將在CEO上展出整合AI與半導體的創新技術，包括針對醫療維安場景打造的智慧相機，該系統整合DRAM、SoC、AI運算，實現高效能、低功耗的應用，目前已在台大醫院竹科分院落地使用，可於醫院內的安全監控、病人行為檢測及醫療器材管理，系統能即時處理影像數據，並結合AI運算判斷異常情況。

鈺創也展示，旗下子公司鈺立微電子正式發表全新eSP936多傳感器影像控制晶片，支援多達 7 路視覺傳感器數據，並搭配專屬的Sense and Reac人機互動開發者介面，實現智慧控制，成為推動智慧應用落地的關鍵引擎。 eSP936晶片結合多模態視覺語言模型，能夠整合多視覺傳感器與即時AI邊緣運算功能，適用於智慧應用場景，無人載具如自動導引車、自主移動機器人、無人機可透過該晶片高速同步處理多路2D影像並生成3D深度圖，提升高精準環境識別能力，搭配嵌入式AI晶片，能有效應對多變的導航環境。此外，工業機器人與服務型機器人則能在複雜場景中獲得更精準的智慧感知，結合即時運算、自動化操作，實現高效率運行。

沉浸式人機互動系統方面，eSP936能結合AI SoC平台，增強Sense and React互動體驗，廣泛應用於視訊會議、擴增教育及XR（擴展實境）領域，這款晶片支援多達7路視覺傳感器數據同步處理，內建DRAM 晶片與廣角影像去扭曲技術，實現高精準度環境感知與多視角3D深度圖生成，同時具備高效能數據壓縮能力，有效減少延遲。此外，其MIPI+USB同時處理技術，確保輸出高品質的2D影像與3D深度圖，進一步提升影像辨識精準度。

 

連于慧 2024/12/18
AI和非AI造成全球科技產業極度懸殊的貧富差距，也反映在記憶體產業上！ 傳統DRAM和NAND Flash乏人問津，高頻寬記憶體HBM卻是洛陽紙貴，原本在該領域腳步一直落後的台系記憶體廠，也決定高調出招！ 南亞科董事會宣布參與DRAM IC設計公司補丁科技的現金增資，以總投資額不超過新台幣6.6億元，現增後取得補丁38%股權。據了解，雙方要一起開發類HBM技術。

補丁科技是何方神聖？ 補丁科技原本就是南亞科的子公司，由丁達剛創立。最早期，丁達剛曾在英特爾、貝爾實驗室工作，1990年代回台灣後，次微米計畫發展DRAM技術時，由美國回來的盧超群、丁達剛、趙瑚、毛敘、陳冠中等人一同實現了自有DRAM技術的量產，之後更是創立了鈺創科技，而基於微米計畫發展的DRAM自有技術也在1994年成立世界先進，當時世界先進就是做DRAM自有技術，一直到2004年才轉型為晶圓代工至今。丁達剛在鈺創成立初期擔任過IC設計副總，也在南亞科工作過，後來成立補丁科技至今，一直是從事DRAM IC設計領域。

補丁科技研發的高頻寬記憶體為HBLL-RAM，立體堆疊記憶體的技術做法和華邦的Cube、力積電/愛普的解決方案類似，都是不需要用到台積電的CoWoS封裝技術。

在應用市場面上，台積電、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封裝是鎖定雲端資料中心伺服器，而南亞科/補丁、華邦、力積電/愛普的解決方案比較偏向鎖定邊緣Edge AI領域，訴求是運算高性能AI計算時，能耗非常低。

據了解，南亞科以10nm DRAM製程和補丁科技一起針對客製化高頻寬記憶體的合作，是要一起開發第二代的HBLL 2。業界人士分析，南亞科內部一直有開發設計這種客製化類HBM技術的團隊，只是一直沒有浮上檯面，這次公開與補丁科技攜手，可能是南亞科內部的類HBM技術開發團隊進度還未成熟，同時補丁科技此時也有資金需求，因此雙方決定一起開發類HBM技術，希望能加速AI應用技術的突破。

記憶體廠佈局AI領域是一道不能迴避的必考題。但是，如果直接去挑戰HBM技術，等同是和美光、SK海力士、三星這幾家DRAM大廠競爭雲端資料中心市場，其技術門檻之高，需要投入資金之龐大，對於台灣記憶體廠而言，完全不實際，更何況三星這樣的強勢競爭者都可以屢屢受挫。

如何做出類似傳統HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封裝技術，繞開台積電的CoWoS封裝技術，是台灣記憶體廠商正在做的解決方案。更重要的是，台記憶體廠這樣做法不需要最先進製程的技術，只需要用成熟的半導體技術就可以實現，差別在於容量密度和耗電，特別適合用在邊緣AI領域。這種類HBM的做法，也比傳統且真正的HBM記憶體便宜非常多，台廠也能利用高性價比的優勢，來創造出一些客製化和特殊需求的市場，來開創藍海。
 

連于慧 2024/12/3
美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊（前兩次出口管制為2022/10、2023/10）：HBM、華為、設備材料，另外還有EDA。整個管制清單串起來，針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的，連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

HBM限制：管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB，目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值，意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過，這項規定有的豁免方式，就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片，這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖，但三星對於中國市場的依賴度比較高，極力遊說HBM2可以持續供應，甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨，就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨，以保證不會單獨銷售到對岸。（就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣，油條不單賣就對了…）不過最後結果看來，只要封裝後的HBM2即有豁免權，也沒限制在哪裡封裝，主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

武漢新芯：估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲，所以被盯上。

為什麼每次的出口管制，長鑫存儲始終能置身事外？ 這問題很多人問，傳出長鑫在美國的遊說團強而有力，也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術，在美國適用的法規是管制度較低的EAR99，目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備，以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

還有，長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖，是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做，直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲，那可能不能只管制一家，得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商，還包括三星西安、SK海力士無錫廠，這代價太大了！

華為體系：芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司，毫不意外都上清單。

設備材料：幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖，包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中，章閣儀器是昇维旭旗下的，深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過，當今這種氣氛下，中微還是不要當唯一例外比較好，免得被當成美國同路人。

EDA：華大九天。這家是中國EDA龍頭，估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具，因此上了清單。

投資機構：建廠資本、智路資本（這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團）

聞泰：上清單感覺最倒霉的是聞泰，不過就做的汽車晶片，然後躺著也中槍，可能是太有名了。

傳三家VEU企業被撤銷：原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體，傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU（Validated End User），經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目，無需額外申請許可證，這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
 

連于慧 2024/11/27
在美國新一輪出口管制即將公佈之際，傳出美國網通大廠已對供應商發出通知函，要從嚴執行提供晶片原產地證明COO（Certification of Original），供應商的產品不能有中國製造，且COO的標準認定更由晶片的最終封裝地點，升級為追溯晶片和光罩產地，確保不是中國製造後的「洗產地」。這次是美國網通設備大廠先執行，業界在觀察未來是否所有消費性電子產品都會跟進。（先前已有Dell先要求所有產品逐漸去中化，傳HP評估跟進中）。
 
關於美國可能進一步要求「去中化」，且嚴格限制晶片產地的消息，我們在7月中有一篇詳盡報導《美國擴大中國成熟製程關稅力道，傳晶片產地認定將追溯至前段半導體製造》。業界透露，網通設備有國家安全考量，因此必須嚴格追溯晶片產地可以理解，但不一定會擴及至所有消費性電子產品，除非有官方規定。
 
先前，傳出PC大廠戴爾已經開了第一槍，要求從美國市場銷售的產品開始，目標在2026年前，PC、ＮB、伺服器和周邊產品如鍵盤、電源供應器等產品內部晶片產地都要完成去中化。雖然Dell出面否認，但業界都心知肚明，這是美國政策引導的方向，像是Dell和HP這樣規模的指標性大廠，以及這次傳出要求供應商提供COO證明的美國網通大廠思科，必須要在官方政策正式出台前，先下手執行。
 
晶片產地「去中化」嚴格實施後，有三個趨勢會更為明確：

第一，是全球科技產品供應鏈分為中國製和非中國製兩套系統運作的趨勢明確。未來，供應鏈安全為第一優先考量，生產成本的考量其次。
 
第二，中國不斷大力擴建成熟製程產能，未來如果只能使用在中國境內產品，會陷入自己卷自己，出現嚴重供過於求。即使產能滿載，都不一定能有合理利潤，只能依靠政府補帖重點企業，然後再來一場嚴峻的淘汰賽。
 
第三，中國以外的成熟製程產能（即台灣邏輯和記憶體半導體廠），眼前有危機，但也深具轉機。表面上的危機是中國因為成熟製程產能供過於求，把價格殺很低。但從另一個角度看，全球晶片「去中化」已經開始多年，只是沒有徹底執行。川普2.0捲土重來，在對中的科技戰略上不會手軟。拜登在最後任期開始從嚴管制，預計川普上任後，科技廠只能選邊站，沒有模糊空間。當所有科技產品的成熟製程投片都必須「去中化」時，台系半導體廠、記憶體廠有機會來一場翻身戰。
 
未來電子產品內的晶片如果都要求去中化，至少在美國市場銷售的部分，所有成熟製程必須大量依賴聯電、世界先進、力積電。記憶體最大獲益者當然是正宗美國招牌的美光，其次是南亞科和華邦兩大記憶體晶圓廠，這兩家台廠大量供應消費性電子、網通設備用的成熟製程利基型記憶體晶片，未來會獲得最大轉單機會。再者，台系記憶體IC設計鈺創和晶豪等，也不能偷偷去中系記憶體廠投片，要乖乖回台系記憶體廠的體系投片。至於兩大韓系記憶體廠三星和SK海力士，主要戰場還是在AI應用上的HBM記憶體。
 
在晶片「去中化」背景下，台系成熟製程大廠聯電、世界先進、力積電，以及記憶體廠南亞科和華邦是唯一可以承接的晶圓代工訂單的供應商群。其他如GlobalFoundries規模有限，英特爾的晶圓代工部門拼的也是對標台積電的先進製程，其成熟製程也只能拉聯電一起合作。
 
現在半導體產業的最大問題不是「紅潮」，是終端需求不振。中國的成熟製程產能再擴下去，只會自己卷自己，最後殺到自己，非中系的供應鏈只要設下防火牆，是可以跳脫紅潮危機的。
 
整體來看，2024年下半的終端需求有比上半年好一些，但仍是反應季節性的旺季不旺。有個很重要的產業背景是，需求不振已經持續很多年了，意即經過多年的消化庫存，現在供應鏈的庫存也處於低水位，只待終端需求一點火，整個產業鏈就會動起來。
 
當前台灣成熟製程廠雖然面臨地緣政治挑戰，但也是前所未有的轉機。川普第一次上任時，把華為禁掉，當時大家認為台積電失去華為這位大客戶，恐面臨訂單空窗期，但事實證明是所有非中系客戶訂單都搶著遞補上來。（當然後來加入疫情背景，供應鏈擔心斷鏈下的搶晶圓潮）。未來歐美會延續供應鏈安全第一的準則，基本上所有成熟製程的晶片都只能依靠台灣，台灣成熟製程半導體廠、記憶體廠的訂單回籠，是遲早的事。
 
關於中國的成熟製程廠，還有一個思考面向。美國和歐洲對於中國不斷擴增成熟製程產能，已經著手防禦。不久前，更傳出美系半導體設備大廠包括應用材料(Applied Materials)和科林研發（Lam Research），要求他們的零組件供應商不能有中國色彩，以遵循美國的出口管制。另外，雖然美國也要求設備廠尤其是ASML要中斷對中國半導體廠的機台設備售後維修服務，但這一點ASML並未同意。在2022年美國出台的出口管制後，基本上只要是美國公民包括綠卡持有者，都不能繼續在中國半導體廠生產基地工作，當時有一波半導體設備廠外國人員撤出潮。
 
業界指出，要設備廠中斷維修服務，業者多半不願意遵從，因為售後服務也是設備廠一大生意來源，不可能斷然放棄，有些還有合約問題，無法直接違約，但這部分後續發展，可能要看美國會動用多少行政手段干預，這也會牽涉中國成熟製程機台後續的維修問題。


 

連于慧 2024/11.12

中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失，導致出現上數萬片晶圓報廢事件，甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉，該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長，當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為，原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱，如果該事件導致有不良品低價賣到市場，恐進一步壓抑DRAM價格。
 

在生成式AI需求爆炸性帶動下，全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上，更成為SK海力士、美光、三星競技戰場，反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash，因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟，一直乏人問津，今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中，因為大量消耗wafer，大幅排擠DDR5的產能，帶動價格攀升，但實則效果有限，再加上DDR4和DDR3庫存問題，實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
 

中國記憶體廠的大舉擴增產能動作，一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到，近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為，隨著美國出口管制一年年趨嚴，中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段，在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，其實是不令人意外。因此，原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。不過，根據供應鏈人士指出，這事件應該是人為失誤，因此出現有高管被撤換。
 

據了解，長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片，將逐步朝月產能30萬片邁進，主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4，也開始跨入DDR5、LPDDR5X，並且計劃跨入HBM記憶體，傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上，隨著產能不斷擴大，首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下，DRAM價格也確實一直被壓抑。
 

長鑫存儲成立於2016年，與長江存儲同年成立，當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科（南亞科和德商英飛凌合資），全球DRAM產業陷入一陣大整頓，於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作，當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快，華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走，當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
 

幾年後，長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分，大多數都讓本地員工取代。據悉，長鑫在台籍員工多數離職後，從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長，當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
 

長鑫存儲目前產能超過20萬片，除了合肥廠，也有北京廠，今年以來更增加上海廠，據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時，長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體，從HBM2切入。
 

半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為，一直傳言美國出口管制禁令的重點，會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查，應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然，下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
 

業內人士透露，對於美國出口管制鎖定HBM一事，最緊張的是三星，因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia，美光也成功獲得Nvidia認證，一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
 

相較起來，三星對於中國市場的依賴度最高，仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶，如果接下來HBM輸中被列入出口管制，對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍，例如只管制HBM3以上，但就規格的HBM2以下希望能放行。

連于慧 2024/11/10

台積電自2024年11月11日起，多數7奈米製程（包含7奈米）以下晶片將先暫停對中國客戶投片，未來採取逐一審核取得美國商務部許可證的方式，來放行下單。該消息最早傳出是停止所有中國7奈米以下客戶的投片，因此被部分人解讀為「假新聞」、「假消息」，事實上不算是停止投片，只是投片前先要先審查，再者也不是所有7奈米製程的客戶都會被拒絕投片。這邊想強調的是，很多最早期獲得的消息細節，確實很難做到100%完全精準，但大方向沒錯，其實不應該以一句「假新聞」來評論或概括整個事件。  
 



先來談談中國7奈米製程被暫時叫停的起源，這肯定與華為找了白手套迂迴繞道拿到台積電7奈米製程產能脫不了干係。美國最近氣氛很詭異，包括商務部主動公開GlobalFoundries自首在3～4年前出貨給黑名單上的中國公司而被罰50萬美元，美眾院中國特別委員會近期又發函給ASML、應用材料、東京威力科創TEL、科林研發Lam Research、KLA等半導體設備公司，要求提供中國客戶清單和出貨細節，更提到讓中國購買製造晶片的設備，等同是幫助俄羅斯取得武器，並威脅台灣安全。
 



看來在川普勝選確定再度入主白宮後，民主黨拜登最後幾個月任期的態度轉為強硬，為的是不讓川普上台後有太多把柄可以抨擊，尤其是對中國的出口管制措施方面，接連爆發一連串的漏洞。
 



台積電針對中國客戶在7奈米製程以下暫停投片，採取先審查發許可證的方式進行，有些人說是美國商務部要求，也有人認為是台積電為了在此敏感期間能更精準把內控做好，主動執行該策略。根據我們掌握的消息指出，美國商務部的人上周確實在台灣拜會幾家公司，當然重點是會晤台積電高層。因此，在此時傳出台積電暫停中國客戶部分7奈米製程投片，我們可以合理推測，與美國商務部或主動、或被動的要求脫不了干係。（我們比較傾向認為是商務部主動提出的要求，或是美方要求中國客戶7奈米以下全部禁止投片，但台積電提議可以從晶片條件來把關，而非是全部都禁止。）
 



談一談台積電針對中國7奈米以下製程的客戶，在投片前須先審批獲得許可證，大概是有哪些限制？
 



根據我們掌握的消息，不會是所有7奈米以下客戶都不能在台積電投片。首先，手機等消費類的產品沒有影響，不在這次的管制範圍，這次主要是管制AI類產品。AI晶片分為訓練和推理，比較可能被嚴加控管的會是AI訓練晶片，像是GPU等，這是美國首要管制的對象！
 



AI推理晶片或許能逃過一劫，列入不受管制的名單範圍，像是自動駕駛ADAS相關晶片會比較偏AI推理，主要是看到障礙物要做出判斷，原則上不受限制，但也要個別晶片開發設計的細節和目的，以及是否為檯面上被關注的公司，例如百度、騰訊、阿里巴巴等知名公司有機率會被特殊審核。
 



業界傳出的版本有4個標準來判斷7奈米製程晶片，是否需要美國商務部的許可證：


電晶體數目超過300
Die size超過300
用HBM記憶體（HBM估計距離中國下一波出口管制名單真的不遠了！）
用CoWoS封裝（所有CoWoS封裝產能剛好可以留給老黃？）





其實以上述四個晶片條件來看，AI訓練晶片確實是四處碰壁。大數據AI訓練晶片通常需要面積大、電晶體多、HBM用上來，估計之後的晶片都要經過許可證的發放。中國有四大雲端平台：華為、百度、騰訊、阿里巴巴，其中華為本來就是被管制公司，但未來其他三家雲公司在台積電開發晶片，可能都會被列為審核名單。
 



台積電部分中國7奈米製程以下客戶，未來投片需要許可證一事，會產生哪些後續影響？
 



目前來看，美國想管控的範圍是在AI技術上，更精準來講是AI訓練相關晶片，不會全部7奈米晶片都禁止。主要導火線當然是這次華為透過白手套獲得台積電7奈米晶片，華為和其白手套的這次大膽操作，確實讓中國許多需要先進製程技術的公司，都差點置於險境。
 



後續帶來的影響是，中國AI和GPU晶圓代工國產化的腳步會加速。其實，今年早先就傳出中國官方鼓勵採購國產化GPU取代Nvidia，中國有兩家晶圓代工廠被點名為GPU生產基地：中芯國際和上海華力微電子。雖然產能有限、技術瓶頸待克服，但看起來這次的7nm以下許可證事件，會讓很多中國IC設計公司都產生擔心，即使是不在這次管制名單中的公司，估計也會想想未來備案。
 



據了解，目前產能雖然有限但相對穩定的中芯國際，產能非常吃緊，未來會優先供貨給三類公司：

第一：華為（基本上在中國，華為已經自成一格成一大類公司）

第二：CPU公司如海光、龍芯、飛騰等

第三：GPU/AI公司如沐曦、天數智芯、燧原（另外兩大GPU公司壁仞、摩爾線程都已上黑名單）
 



中芯國際畢竟產能有限，業界認為除了早期採購的部份用來生產先進製程技術的半導體機台之外，應該也在同步與中國設備廠開發用於先進製程的半導體機台設備。經過這次，中國晶片國產化會加速且更徹底。拜登任期結束倒數計時，估計這幾個月會密集對中國出招，以免等到川普上台後，有些出口管制的漏洞被他拿來說嘴，並用來作為檢討拜登政府之用。

連于慧 2024/10/3

中國資本市場上半年狀況不佳，為了避免市場信心崩盤，上海、深圳、北京三大交易所幾乎是取消了所有IPO申請，直到進入下半年，各大交易所才再次重新受理企業IPO。
 



2024年下半，上交所受理的第一個IPO項目，是一家意義上具有重量等級的公司—武漢新芯，其背後代表的是中國NAND Flash大廠長江存儲，同時武漢新芯也正在開發人工智能AI相關的記憶體HBM技術。
 



武漢新芯究竟是何方神聖？ 它是一家三維整合、特色存儲的晶圓代工廠，也有與台系記憶體廠NOR Flash旺宏、華邦相同的SPI NOR Flash產品線，而武漢新芯背後更重要的身份和意義，是中國NAND Flash大廠長江存儲持股68%的子公司。
 



武漢新芯這次的IPO預計募資48億人民幣，這金額不算太高。不過，業界仍將武漢新芯的IPO計劃，視為未來長江存儲的「血庫」之一，因為長江存儲本身要上市有一定難度，但身上又背負NAND Flash芯片國產化的目標，需要擴大NAND Flash產能。
 



武漢新芯前身成立於2006年，最早是中芯國際與武漢政府合作成立，由武漢政府出資成立12吋半導體生產線，製程為65nm～40nm，委由中芯國際代管，於2008年9月正式投產，主要是生產中芯為美國NOR Flash大廠飛索Spansion代工的訂單，以65nm製程技術生產。
 



2008年金融海嘯期間，由於飛索Spansion訂單劇減，武漢新芯陷入嚴重虧損，導致武漢政府想要出售股權。
 



當時，美光積極接洽欲入股武漢新芯，甚至傳出台積電也參與武漢新芯股權的洽談。只是到了最後，中方希望該半導體廠的主導權能維持在中方手上，發一場業界稱為「武漢保衛戰」之役，最後成功由中芯國際注資，並持續保有武漢新芯主導權。
 



中芯國際與武漢新芯的合作到2013年正式結束，由武漢政府接手。期間，新芯也曾和飛索合作3D NAND技術研發，以及與豪威OmniVision（被韋爾半導體收購）合作開發3D IC技術，奠定日後朝3D堆疊發展的根基。
 



長江存儲是一家成立於2016年的NAND Flash半導體公司，雖然成立的時間晚於武漢新芯，但長江存儲成立後，武漢新芯遂變成其旗下轉投資公司，目前長存對武芯持股約68%。
 



2019年長江存儲發表獨家的Xtacking技術，將邏輯與記憶體晶片片做堆疊，以規避既有國際記憶體大廠的專利，該Xtacking技術就是源自於武漢新芯的3D IC技術根基來開發。
 



除此之外，武漢新芯有兩個值得關注的背景。第一，其目前的法定代表人是楊士寧。他過去曾任新加坡特許半導體的CEO、中芯國際COO，同時也曾任長江存儲CEO，之後因為其美籍身份，長江存儲被美國商務部關注後，楊逐漸從長江存儲退下，轉去掌舵武漢新芯。
 



第二，武漢新芯傳出建設12吋的HBM記憶體廠，開始購入HBM技術相關設備，初期月產能為3000片。
 



眾所周知，HBM為技術門檻十分高，目前技術以SK海力士為首，三星和美光極力追趕，HBM記憶體更是AI的敲門磚，武漢新芯作為長江存儲旗下的子公司，也極力參與HBM技術開發、設備採購，以及生產線打造，自然引人注目。







 




根據武漢新芯IPO招股書，是一家具特色工藝晶圓代工企業，聚焦於特色存儲、數模混合和三維整合等業務領域，可提供基於多種技術節點、不同工藝平台的各類半導體產品晶圓代工。
 



2023年營收比重中，晶圓代工佔67%、自有品牌佔16%。以技術平台劃分，特色存儲佔67.7%、數模混合佔20.26%、三維整合佔4.54%。招股書中指出，公司多項技術及產品已廣泛應用於汽車電子、工業控制、消費性電子、電腦等下游領域。