TAG :長江存儲

  • View More china.JPEG
    半導體

    美國徹底封鎖中國HBM、華為、設備材料產業鏈,脫鉤大戰正式上演

    連于慧 2024/12/3
    美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊(前兩次出口管制為2022/10、2023/10):HBM、華為、設備材料,另外還有EDA。整個管制清單串起來,針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的,連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

    HBM限制:管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB,目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值,意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過,這項規定有的豁免方式,就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片,這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

    之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖,但三星對於中國市場的依賴度比較高,極力遊說HBM2可以持續供應,甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨,就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨,以保證不會單獨銷售到對岸。(就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣,油條不單賣就對了…)不過最後結果看來,只要封裝後的HBM2即有豁免權,也沒限制在哪裡封裝,主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

    武漢新芯:估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲,所以被盯上。

    為什麼每次的出口管制,長鑫存儲始終能置身事外? 這問題很多人問,傳出長鑫在美國的遊說團強而有力,也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術,在美國適用的法規是管制度較低的EAR99,目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備,以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

    還有,長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖,是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做,直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲,那可能不能只管制一家,得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商,還包括三星西安、SK海力士無錫廠,這代價太大了!

    華為體系:芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司,毫不意外都上清單。

    設備材料:幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖,包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中,章閣儀器是昇维旭旗下的,深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過,當今這種氣氛下,中微還是不要當唯一例外比較好,免得被當成美國同路人。

    EDA:華大九天。這家是中國EDA龍頭,估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具,因此上了清單。

    投資機構:建廠資本、智路資本(這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團)

    聞泰:上清單感覺最倒霉的是聞泰,不過就做的汽車晶片,然後躺著也中槍,可能是太有名了。

    傳三家VEU企業被撤銷:原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體,傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU(Validated End User),經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目,無需額外申請許可證,這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
     
  • View More 長鑫.JPG
    半導體

    中國DRAM廠長鑫存儲傳上萬片報廢晶圓,前台積電上海廠長遭撤換

    連于慧 2024/11.12

    中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失,導致出現上數萬片晶圓報廢事件,甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉,該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長,當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為,原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱,如果該事件導致有不良品低價賣到市場,恐進一步壓抑DRAM價格。
     

    在生成式AI需求爆炸性帶動下,全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上,更成為SK海力士、美光、三星競技戰場,反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash,因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟,一直乏人問津,今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中,因為大量消耗wafer,大幅排擠DDR5的產能,帶動價格攀升,但實則效果有限,再加上DDR4和DDR3庫存問題,實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
     

    中國記憶體廠的大舉擴增產能動作,一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到,近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為,隨著美國出口管制一年年趨嚴,中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段,在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況,其實是不令人意外。因此,原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤,可能與導入國產化的材料或設備有關。不過,根據供應鏈人士指出,這事件應該是人為失誤,因此出現有高管被撤換。
     

    據了解,長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片,將逐步朝月產能30萬片邁進,主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4,也開始跨入DDR5、LPDDR5X,並且計劃跨入HBM記憶體,傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上,隨著產能不斷擴大,首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下,DRAM價格也確實一直被壓抑。
     

    長鑫存儲成立於2016年,與長江存儲同年成立,當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科(南亞科和德商英飛凌合資),全球DRAM產業陷入一陣大整頓,於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作,當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快,華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走,當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
     

    幾年後,長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分,大多數都讓本地員工取代。據悉,長鑫在台籍員工多數離職後,從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長,當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
     

    長鑫存儲目前產能超過20萬片,除了合肥廠,也有北京廠,今年以來更增加上海廠,據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時,長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體,從HBM2切入。
     

    半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為,一直傳言美國出口管制禁令的重點,會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查,應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然,下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
     

    業內人士透露,對於美國出口管制鎖定HBM一事,最緊張的是三星,因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia,美光也成功獲得Nvidia認證,一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
     

    相較起來,三星對於中國市場的依賴度最高,仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶,如果接下來HBM輸中被列入出口管制,對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍,例如只管制HBM3以上,但就規格的HBM2以下希望能放行。
  • View More xmc.JPG
    半導體

    中國NAND Flash大廠長江存儲「血庫」來了!旗下武漢新芯IPO啟動

    連于慧 2024/10/3

    中國資本市場上半年狀況不佳,為了避免市場信心崩盤,上海、深圳、北京三大交易所幾乎是取消了所有IPO申請,直到進入下半年,各大交易所才再次重新受理企業IPO。
     



    2024年下半,上交所受理的第一個IPO項目,是一家意義上具有重量等級的公司—武漢新芯,其背後代表的是中國NAND Flash大廠長江存儲,同時武漢新芯也正在開發人工智能AI相關的記憶體HBM技術。
     



    武漢新芯究竟是何方神聖? 它是一家三維整合、特色存儲的晶圓代工廠,也有與台系記憶體廠NOR Flash旺宏、華邦相同的SPI NOR Flash產品線,而武漢新芯背後更重要的身份和意義,是中國NAND Flash大廠長江存儲持股68%的子公司。
     



    武漢新芯這次的IPO預計募資48億人民幣,這金額不算太高。不過,業界仍將武漢新芯的IPO計劃,視為未來長江存儲的「血庫」之一,因為長江存儲本身要上市有一定難度,但身上又背負NAND Flash芯片國產化的目標,需要擴大NAND Flash產能。
     



    武漢新芯前身成立於2006年,最早是中芯國際與武漢政府合作成立,由武漢政府出資成立12吋半導體生產線,製程為65nm~40nm,委由中芯國際代管,於2008年9月正式投產,主要是生產中芯為美國NOR Flash大廠飛索Spansion代工的訂單,以65nm製程技術生產。
     



    2008年金融海嘯期間,由於飛索Spansion訂單劇減,武漢新芯陷入嚴重虧損,導致武漢政府想要出售股權。
     



    當時,美光積極接洽欲入股武漢新芯,甚至傳出台積電也參與武漢新芯股權的洽談。只是到了最後,中方希望該半導體廠的主導權能維持在中方手上,發一場業界稱為「武漢保衛戰」之役,最後成功由中芯國際注資,並持續保有武漢新芯主導權。
     



    中芯國際與武漢新芯的合作到2013年正式結束,由武漢政府接手。期間,新芯也曾和飛索合作3D NAND技術研發,以及與豪威OmniVision(被韋爾半導體收購)合作開發3D IC技術,奠定日後朝3D堆疊發展的根基。
     



    長江存儲是一家成立於2016年的NAND Flash半導體公司,雖然成立的時間晚於武漢新芯,但長江存儲成立後,武漢新芯遂變成其旗下轉投資公司,目前長存對武芯持股約68%。
     



    2019年長江存儲發表獨家的Xtacking技術,將邏輯與記憶體晶片片做堆疊,以規避既有國際記憶體大廠的專利,該Xtacking技術就是源自於武漢新芯的3D IC技術根基來開發。
     



    除此之外,武漢新芯有兩個值得關注的背景。第一,其目前的法定代表人是楊士寧。他過去曾任新加坡特許半導體的CEO、中芯國際COO,同時也曾任長江存儲CEO,之後因為其美籍身份,長江存儲被美國商務部關注後,楊逐漸從長江存儲退下,轉去掌舵武漢新芯。
     



    第二,武漢新芯傳出建設12吋的HBM記憶體廠,開始購入HBM技術相關設備,初期月產能為3000片。
     



    眾所周知,HBM為技術門檻十分高,目前技術以SK海力士為首,三星和美光極力追趕,HBM記憶體更是AI的敲門磚,武漢新芯作為長江存儲旗下的子公司,也極力參與HBM技術開發、設備採購,以及生產線打造,自然引人注目。







     




    根據武漢新芯IPO招股書,是一家具特色工藝晶圓代工企業,聚焦於特色存儲、數模混合和三維整合等業務領域,可提供基於多種技術節點、不同工藝平台的各類半導體產品晶圓代工。
     



    2023年營收比重中,晶圓代工佔67%、自有品牌佔16%。以技術平台劃分,特色存儲佔67.7%、數模混合佔20.26%、三維整合佔4.54%。招股書中指出,公司多項技術及產品已廣泛應用於汽車電子、工業控制、消費性電子、電腦等下游領域。
     
  • View More 圖庫.JPG
    半導體

    50%關稅加上去,恐讓中國成熟製程產能過剩更嚴重,「國產化」速度勢必提前

     
    中美貿易戰隨著美國宣布對電動車、半導體、鋰電池課徵高關稅而再度緊張。尤其,美國針對中國半導體的關稅提高到50%,將導致現在中國已經供過於求的成熟製程產能,未來過剩的情況更嚴重,因為採用中國成熟製程所生產的半導體產品,勢必因為高關稅而減少外銷。
     



    因此,預計中國官方將祭出更多的政策與方案,來加大力度來推動國產化,可能是更多的補貼政策刺激國產化的速度前進。否則,這幾年中國瘋狂新建的成熟製程晶圓代工廠,產能過剩的情況將難以想像。
     



    美國這次的大舉提高關稅,最大一刀是砍向電動車,關稅直接拉到100%,呼應特斯拉馬斯克所言「如果沒有貿易壁壘,世界上多數汽車企業都會被中企擊垮。」但目前比亞迪並未進軍美國,中國電動車在美國佔比不高,提高電動車關稅是在防範未來,要觀察的是歐盟會不會跟進針對中國電動車課高關稅,因為中國電動車在歐洲佔比很高。
     



    美國關稅的第二大刀是對中國半導體出手,關稅從25%提高到50%,主要目的是降低美國對中國成熟製程產能的依賴。
     



    美國手上有兩張牌「關稅」與「出口管制」,在先進製程上,美國拿出的是出口管制禁令,而在成熟製程上,則是拿出籌謀已經的關稅政策。
     



    過去幾年美國已循序漸進透過限制設備與材料的進口,封鎖中國在14~16nm以下的先進製程的邏輯晶片製造。
     



    後遺症是,中國開始往成熟製程領域來擴充產能,過去幾年加速購買機台設備,甚至是二手機台設備也搶購,中國半導體廠就是怕美國的禁令一步步逼近下,連成熟製程都被封鎖。
     

    長期下來,演變成中國的成熟製程產能過剩,便宜的IC、廉價的產品逐漸外銷到全世界且極具競爭力,席捲全球,美國也因此有了警戒。
     



    不過,對中國成熟製程發出限制令不是美國想做的,祭出高關稅的手段壓制,才是美國一直以來的計畫。
     



    除了要阻擋中國低價產品輸出海外,晶片透過外銷產品滲透到所有電子產品之外,美國打得另一個算盤是,降低對中國製造的傳統晶片的依賴度,於是宣佈將半導體關稅提高到50%。未來將會產生四個影響:
     



    第一,過去幾年來,歐美客戶原本委由中國半導體代工,在地緣政治的氣氛下,都逐漸將訂單轉出,首選當然是轉給台灣半導體廠代工,包括台積電、聯電、力積電、世界先進。像是,面板驅動IC原本是台灣的強項,後來中國不斷逼近追趕,一方面也是狹持其在面板上的優勢之故。
     



    未來中國的晶圓代工廠會承接中國客戶訂單為主,形成一個世界,兩個系統。至於NAND Flash和DRAM記憶體產品,目前中國分別有長江存儲和合肥長鑫為供應商,未來也將以供給本土需求為主。
     



    第二,中國會加速推展「國產化」,祭出更多政策來鼓勵國產化進程。
     



    美國對中國半導體課徵50%關稅,就是衝著中國成熟製程產能而來,如果中國不加速去推國產化,使用國產IC,未來成熟製程供過於求的嚴重程度,會難以想像。總之,未來中國應該會加速「國產化」,以去除嚴重過剩的成熟製程產能。
     



    第三,如果有想要外銷給美國市場的中國客戶,搞不好會選擇到非中國本土系統的晶圓代工廠投片,或是使用非中國製造的IC,不然半導體產品會被課徵50%關稅,估計消費型產品的機率最大。
     



    第四,該趨勢發展下去,全世界電子相關產品會持續面臨成本上漲的挑戰。原本全球化運作的世界,現在分裂成兩個系統運作,自然會帶來成本上升。

    相關新聞:

    中芯國際咬牙擴增28nm產能,殺價戰與龐大折舊金額夾擊

    高通訂單加速轉出中芯國際,世界先進擴產接住電源管理晶片

    群聯:不跟進中國模組廠低價拋售NAND Flash,下半年AI PC生意樂觀

    當科技戰火燒到英特爾,中國將徹底與西方脫鉤?

    力積電銅鑼12吋廠啟用典禮,宣布切入CoWoS 先進封裝

    歡迎轉載文章,請註明出處:SEMICONVoice  

     
  • View More 長江存儲.JPG
    半導體

    長江存儲董事長陳南翔:依法合規買的設備若無法發揮效益,“回購”是公平“選項”

    長江儲存董事長陳南翔指出,過去50年半導體產業蓬勃發展,全球化的合作功不可沒,展望2030年全球半導體產業規模將達一兆美元,但現在面臨地緣政治和國家安全帶來的強大不 確定性,未來是否還能達到此目標預期,是有問號的。
     

    再者,他也在演講結尾呼籲:請建設誠信和公平原則,假設長江存儲依法合規買的設備拿不到或是無法使用,可以設一個時間內,把設備在新的條件下回購, 這樣才公平。



    台積電創辦人張忠謀說:“全球化已死”,有人說這是“再全球化”。 陳南翔表示,他個人同意張忠謀的說法,全球化確實死了。
     

    不過,陳南翔也針對「再全球化」的觀點,做了一些思考與分享,他用三個緯度來判斷「再全球化」:當企業在進行中長期發展規劃時,是否具備足夠的系統性、 一致性,以及持續性,這是衡量「在全球化」是否能達成的重要指標。



    他分享,過去,促進產業繁榮的全球化離不開和諧五要素:市場與競爭、創新與技術標準、供應鏈、人才流動、資源分配。
     

    這當中,要特別說明一個點是,過去半導體的全球化主要驅動力是市場化和商業化思維,創造出全球化+在地化優勢,帶來商業最大化。 但在地緣政治思考、國家安全思考下,去風險化、抑制他人發展等,都把過去和諧的要素都打破。



    陳南翔指出,全球化市場對促進產業發展很重要,全球化的創新和標準像是60年代IBM發明DRAM,發揚光大是在韓國,這些發明和創新不屬於任何一個企業或國家,而是任何一個企業或 國家對全球產業鏈價值的貢獻。
     

    手機是全球全球化、標準化最極致的展現。 他分享,15年前出差去日本要配另一支專門手機,去其他國家充電器也要另外帶,現在手機已經是全球標準了,給全球消費者最大的效率和便利性。



    全球化供應鏈直接參與者有25個國家,間接參與23個國家,相當接近50個國家參與全球化體系,形成「我當中有你,你中有我」。
     

    針對全球人才流動中,許多國家推出許多限制措施,防止自己產業人才流失。 另外,在全球化的資源配置方面,中國在高品質發展下,大量外企在中國設廠,以及中國企業到海外作收購佈局,也是全球化資源配置。



    只是,這幾年全球化資源配置也被打亂。 疫情後,美國資源配置增加了新加波、馬來西亞、印度、越南等,這些國家都不是傳統的半導體產業重鎮,這當中反應了對當今半導體產業的國家安全思考的結果。