半導體

連于慧 2025.10.27

AI重塑的記憶體產業，從傳統命定的景氣循環、供需拉鋸，正式脫胎換骨進入產業結構性的改變！

DRAM和NAND Flash的缺貨，已經不是什麼終端某殺手級應用矽含量大增、供應商今年擴幾座廠，明年就變成供給過剩，報價就會為由漲轉跌，這次是AI熱潮下帶動的記憶體產業結構性轉骨，脫離過去常說的景氣循環，缺貨只是短暫的，記憶體敢這樣無法無天的漲下去，大不了（老子就）降容量！！！ 你覺得AI競賽下的算力之爭、國力之爭，有哪一個國家會因為記憶體報價太多、太貴，我就不拼算力，不搞AI基礎建設了嗎？

AI重塑的記憶體產業結構中，沒有在玩「降規」、「降容量」這一套，只會拚了命的去搞最高等級的記憶體產品：HBM高頻寬記憶體，而且只許成功，沒有退而求其次這個選項。 有趣的地方是，拼越多HBM，就會有更多的DRAM產能折損，然後DRAM就會越缺，HBM排擠DDR5、DDR5排擠DDR4，最後連DDR3都缺。

這一波的DRAM和NAND Flash缺貨也造就了另一波景象：「硬體通膨」時代來臨！

中國智慧型手機小米指出，因為記憶體的價格飆漲，導致新手機生產成本大增，會反映在售價上，新發布的Redmi K90系列手機價格調漲。 雖然在新機發布後，小米針對主流的12GB＋256GB版本容量，做出降價讓步來回饋消費者，但小米手機部門總裁盧偉冰也強調，「我們無法改變全球供應鏈的走勢，存儲成本上漲遠高於預期，且會持續加劇。」

的確，現在整個地球上的DRAM和NAND晶片都整批整廠的流向雲端資料中心，品牌手機廠未來在發布新機時，要決定是以高規格取勝？ 還是降規打親民價格牌？ 手機還搶得到記憶體還得趕緊漲價謝恩，不要搞到產能排擠效應到最尾端，是什麼晶片都搶不到！

ChatGPT帶動的AI狂潮創造了三組大贏家：Nvidia（GPU）、台積電（HPC先進製程）、記憶體廠。前兩組地球勝利組是早早備受世人吹捧，Nvidia從夜市咖、阿婆水果攤的好碰友，一舉坐直升機直接變成美國川普好麻吉，台積電更是不用說了，根本人紅「是非」多，而記憶體這組Champion Team團隊初期不受重視，只有SK海力士一支獨秀，現在變成全部記憶體都變成地球上的金礦、油礦、稀土礦，全線都洛陽紙貴。

記憶體的大缺貨固然AI是最大引爆點，但這種「看不到盡頭」的缺口，其實隱藏的更深層的產業結構性重置。初期的AI伺服器HBM排擠潮是很關鍵的原因，三大記憶體SK海力士、三星、美光都傾全力將資源投入HBM高頻寬記憶體，因為HBM超級賺啊！ 最後更是毅然決然退出DDR4以下的產品線，中國因為Nvidia的GPU一直被禁，連降規版都不給買，最後索性拼了，除了自己搞GPU，也自己搞HBM，長鑫存儲成為全村的希望，開始力拼HBM，造成整個DRAM產業缺貨注定「看不到盡頭」。

而更深層的推力是傳統2D DRAM微縮技術也開始面臨物理極限了，DRAM技術往下走會有儲存單元電容的尺寸過小，容量不夠等問題，導致無法在正常操作電壓下，儲存足夠的電荷來維持穩定的資料讀寫。 還有漏電的問題，儲存單元尺寸不斷縮小，導致電晶體在關閉狀態下仍會小電流通過，產生漏電的狀況。

再者，DRAM製程導入ASML的極紫外光EUV機台後，雖然解決了很多DUV解析的問題，但面臨的新問題除了EUV機台成本昂貴不說，會有throughput慢、光阻厚度和缺陷控制難度高等問題，且良率的拉升需要適應期。

現在記憶體廠意識到DRAM大缺貨想擴產，當然還是可以，但首現要面臨過兩關：機台的lead time長和DRAM生產的cycle time也拉長。 所以，你還覺得DRAM是在走景氣循環的老路，價格狂漲一陣子後，就會開始進入下行暴跌期嗎？ 至少中短期都看不到。

NAND Flahs產業也一樣，堆疊層數來到200層，再上300層後，技術與良率越來越難，包括垂直蝕刻要兼顧深度和均勻度，還有300層以上多晶矽沉積困難，以及晶圓翹曲更是挑戰，會影響後續製程的均勻性和圖案成型完整性，進而降低產品良率和性能。整體而言，3D NAND層數越高，垂直蝕刻、通道填充、電氣干擾、翹取、良率等等都是挑戰。當然記憶體廠也有對症下藥找到解決對策，也朝著500層以上邁進，甚至喊出「千層時代」（千層派！！）

NAND從大虧減產，到面臨大缺貨時代，想想以後的生成AI影像和影音的需求，現在ChatGPT、Grok也都開始提供「成年人」的內容（嘿嘿嘿～），未來需要的記憶體容量潛力驚人，加上智慧型手機買氣沈寂很多年了，但一定溫和復甦，整個來看，後續對於NAND Flash記憶體的容量難以想像。 

總結來說，這一波DRAM和NAND Flash在AI狂潮的驅動下，眼前的缺貨已經不是傳統景氣循環中的暫時性缺貨，而是地球上各國在角力AI算力下，各種GPU和ASIC都需要HBM高頻寬記憶體，導致DRAM產能整個被「抽離」，怎麼辦？？！！ 再來是生成式AI需要的影像和影音對於NAND Flash的需求就像是無底洞。 記憶體廠想擴產不是一時半刻的事，也要有機台，以及物理微縮和層數增加難度增高。 AI根本性的重塑記憶體產業，結構性的轉變讓這一波記憶體缺口，真的暫時看不到盡頭。
 

連于慧 2025.10.21
力積電在今日召開法人說明會中指出，受惠AI熱潮的高頻寬記憶體HBM產能排擠，DRAM至少吃緊到2026年上半，但邏輯晶片面臨挑戰較多，包括關稅未定，以及中國十一長假對消費性電子的採購力道未出現，以及中國廠商也看淡雙十一購物節，備貨並不積極。另外在歐美市場上，美國取消小額包裹免稅的政策，以及中國電動車持續擴張壓縮歐美日汽車產業，面臨低產能利用率、裁員等問題。一句話總結：記憶體強、邏輯弱（只有台積電的邏輯先進製程強勁）。

力積電2025年第三季虧損縮小，單季每股虧損0.65元，產能利用率比第二季75%提升，來到78%，主要是受惠記憶體產品價格上揚，展望第四季產能利用率，預計和第三季差不多，主因是記憶體的產能利用率已達滿載，但邏輯產品目前仍處於較為低迷的現狀。

近期DRAM價格大漲，力積電看好DRAM在AI需求帶動的HBM產能排擠之下，會持續吃緊到2026年上半，下半年目前還看不到。在SLC NAND產品上，受惠韓系兩大記憶體廠三星、SK海力士減產效應，第三季價格谷底翻揚，整個市場的熱度大大提升，不過SLC NAND的市場主要是標案為主，因此在這塊的需求上沒有太大拉貨的跡象，也沒有殺手級應用。NOR Flash方面，隨著物聯網應用對於低功耗記憶體需求增加，NOR Flash價格也持續上揚。

邏輯製程方面，中國十一長假期間，主要是刺激旅遊需求，對於消費性電子產品採購力道並未出現，因此在長假後，當地面板廠普遍控產，使得產能利用率下降，使得面板驅動IC的客戶需求較為疲弱，電源管理IC則是需求相對穩健。手機需求方面，整個市場呈現兩極化表現，高階機種刺激需求，但中低階仍是買氣疲弱。即將來臨的雙11購物節，中國廠商的備貨也明顯偏保守。

全球的汽車市場也面臨供應鏈重組壓力，主要是中國電動車品牌持續擴張，歐美日的汽車品牌受到衝擊不小，歐洲整體車廠產能利用率僅約55％，Bosch更在9月底宣布裁員1.3萬人。

力積電也提到，AI時代除了讓高頻寬記憶體HBM引領風騷之外，高頻寬快閃記憶體HBF（High Bandwidth Flash）未來也會是一大亮點。

HBF與HBM類似，都是透過矽穿孔TSV將多層晶片堆疊連接，與GPU做整合，差別在於HBM是堆連結DRAM晶片，HBF是堆疊連結NAND Flash晶片，可以因應AI時代需要生成巨量文字圖片，甚至是影片，需要非常龐大的記憶體容量。

HBF是由SanDisk提出，結合HBM高頻寬的特性和Flash非揮發性和大容量的優勢，將多層 NAND dies 堆疊，Layer 之間使用矽穿孔TSV連接，底部有logic die或 I/O die，可以直接透過High-Bandwidth 通道介面連接GPU或ASIC ，減少傳統SS透過=PCl的延遲與頻寬瓶頸。
 

連于慧 2025.10.16

台積電董事長魏哲家在這次的法說會中，對AI市場有很多詳盡解說，另一個亮點是台積電2025第三季的毛利率逼近60%，創下歷史第三高，以及再度宣布上修資本支出，以下每一個訊息其實都很重要：

關於AI產業

台積電指出，大型語言模型處理文本的詞元（token）數量爆炸性增長，顯示出使用者對 AI 模型的導入正在增加，這意味著需要更多的運算，進而帶動對先進半導體的需求上升。關於AI有兩個趨勢值得注意：企業AI（Enterprise AI）和主權AI（Sovereign AI），就是像台積電這種企業內部使用AI來提高生產力和效率，從而創造更多價值，未來企業AI會是熱潮的另一個需求來源。主權AI也是另一個日益興起的趨勢。

台積電原本認為AI相關晶片（AI加速器在）2024～2029年的年複合成長率（CAGR）將達mid-forties約45%，這次魏哲家有鬆口表示，與客戶討論後應該會比這個數字再好一點，但實際精算後的數字要明年初公布。根據台積電定義的「AI加速器」，是數據中心執行AI訓練及推論功能的AI GPU、ASIC，以及HBM控制器。

為了防止AI泡沫化或是重複下單，台積電強調不只是接觸客戶，更是與客戶的客戶密切合作，來作為產能規劃的依據，主是要台積電有超過 500 個不同的客戶，遍及各領域的終端市場，更是跨部門的多個團隊，兼顧自上而下及由下而上的方法來評估和判斷市場需求，進而建制產能。再者，現在製程技術的複雜性增加，與客戶接觸啟動專案的前置時間至少要提早2～3年，很多面向都可以提前先看到。

關於non-AI的狀況？ 以及是否擔心消費性電子產品市場會有pre-build現象？

non-AI市場已出現谷底溫和復甦跡象。從2025年第四季各產品線營收貢獻來看，手機產品營收貢獻季增19%、物聯網季增20%、汽車相關季增18%。
至於消費性電子產品市場，目前庫存已經回到健康且季節性的水平，不太擔心pre-build狀況，也沒有看到過度備貨的風險。

中國AI禁令對於台積電AI營收影響性：

魏哲家認為，即使中國市場的AI晶片暫時無法出貨，也不會影響整體AI需求非常強近的成長動能。因此，即使暫時排除中國市場，AI年複合成長率達到45%仍是沒問題。

目前AI的token成長率似乎高於台積電AI相關營收的成長率，怎麼看這中間的差距？

魏哲家表示，token數量雖呈現指數型的成長，但台積電透過製程節點的不斷技術演進（例如N5到N3再到N2製程），以及客戶在晶片架構設計上的持續優化，來滿足市場的需求。因此，雖然token的成長率看起來很高，但台積電的技術和客戶的設計協同之下，符合市場成長的需求沒問題，台積電也很努力擴充產能，縮小市場供需之間的缺口。

Nvidia黃仁勳近期又再提起「摩爾定律」已死的說法，魏哲家怎麼看？

魏哲家表示，他的意思是指晶片效能提升不再僅依賴製程微縮，而是需要整合整體系統效能，包括前端、後端、散熱設計、電源傳遞等技術的和，意思是系統的協同發揮的效益，會大過單一晶片技術達到的水平。

過去以智慧型手機為主的時代，可以計算出每支手機貢獻的矽含量，而現在AI時代，是否可以從每一GW的AI 資料中心容量推算台積電的潛在營收機會？

台積電認為，目前客戶估計，每新增 1 GW AI 資料中心算力，需投入約 500 億美元建設成本，台積電晶圓在其中占比依客戶設計架構而異，公司暫不方便公布具體數據。再者，AI系統不僅是一顆晶片，而是多晶片整合的解決方案（如 GPU、AI 加速器、HBM 與先進封裝整合），因此實際的營收貢獻，也是要看系統整體架構與客戶採用的技術路線。

毛利率來到歷史第三高59.5%，之後的走勢預估？

台積電的毛利率歷史第一高是2022年63%，第二高是2022年第四季60%出頭，這次2025年第三季毛利率來到歷史第三高59.5%，台積電表示是成本優化、匯率有利、產能利用率提升所致。（絕口不提漲價…公司解釋漲價這個議題是ongoing…），預計2025年第四季在匯率有利之下，毛利率展望更將達到約60％。

宣布上修2025年資本支出：

受惠AI相關需求強勁，2025年資本支出由380億～420億美元，上修至400億～420億美元之間，其中約70％將用於先進製程技術，約10～20％將用於特殊製程技術，另外約10～20％將用於先進封裝、測試、光罩製作及其他項目。

台積電2026年的成長驅動力主要是哪些？

主要有三個驅動力：技術製程節點升級、ASP提升、晶圓出貨量增加。

美國亞利桑那州廠房的規劃：

台積電在亞利桑那州的技術加速升級至N2和更先進的製程技術之外，也即將取得第二塊大面積土地（鄰近目前的土地範圍）。台積電解釋，當初取得的第一塊地只能蓋約三個廠房，但台積電現在對美國的規劃是六座廠＋兩座封裝廠＋研發中心，因此需要取得第二塊地，並非有追加投資金額。整體規劃上，台積電在亞利桑那州會建立獨立的超大晶圓廠（GIGAFAB）聚落，以支持先進製程客戶對智慧型手機、AI和HPC相關應用的需求。

根據台積電的產能規劃，亞利桑那州的第一座晶圓廠是4奈米、二廠是3奈米、三廠是採用2奈米和A16製程、四廠是2奈米和A16製程，而五廠和六廠將會導入更先進的技術。

關於目前2奈米和A16技術進度：

N2 將如期進入量產，在智慧型手機、HPC和AI應用的推動下，預計2026年N2將快速成長，並持續強化推出了N2P製程技術，作為 N2 家族的延伸。N2P在N2的基礎上具備更佳的效能及功耗優勢，並計劃於 2026 年下半年量產。

A16技術採用了超級電軌（Super Power Rail，或稱 SPR），A16是具有複雜訊號佈線及密集供電網路的HPC產品的最佳解決方案，按計劃將會在2026年下半年進入量產。整體來看，N2、N2P、A16 及其衍生技術將成為一個N2大家族，會是台積電另一個大規模且有長期需求的製程技術世代。

台積電2025 年第三季財報：

合併營收約新台幣 9,899.2億元，稅後純益約新台幣 4,523 億，每股盈餘17.44元(折合美國存託憑證每單位為 2.92 美元)。與去年同期相較，2025 年第三季營收增加30.3%，稅後純益增加39.1%，每股盈餘則增加39.0%。與前一季相較，2025 年第三季營收增加6.0%，稅後純益增加13.6%。

先進製程營收比重：

台積電2025年第三季的3奈米製程出貨佔比23％，5奈米製程37％，7奈米製程14％，整體而言，先進製程（包含7奈米及更先進製程）的營收達到全季晶圓銷售金額的74%。
 

連于慧 2025.1015
半導體設備大廠ASML 發佈 2025 年第三季財報，單季銷售淨額為 75 億歐元，淨收入為21 億歐元，毛利率51.6%，第三季度訂單金額為 54 億歐元，其中，36億歐元為EUV訂單。展望2025年第四季，ASML預估銷售淨額約92億～98億歐元之間，毛利率預估約51％～53％。

ASML執行長Christophe Fouquet在本次的財報會議上提到幾個重點：

AI投資基礎建設的動能持續強勁，這也代表客戶對於邏輯晶片和DRAM晶片的投資會持續增加。

極紫外光EUV機台方面，目前DRAM客戶和先進邏輯晶片客戶都正在繼續採用。在高數值孔徑極紫外光機台High-NA EUV上，客戶採用ASML機台已生產了超過30萬片晶圓的數量，從ASML客戶的反饋也了解到，現今High-NA EUV的成熟度領先於同期低NA機台的成熟度。

極紫外光EUV機台進入DRAM製程的進度上也有突破，SK海力士宣布安裝第一台EXE:5200，這台裝置會是DRAM未來的關鍵推動者之一。

ASML也宣佈交付首款應用在先進封裝領域的產品－TWINSCAN XT:260，這是一款 i-line 微影設備，其生產力較市場上現有的解決方案高出四倍之多，提供給3D 整合領域為客戶支持。

針對中國市場，ASML表示2026年中國客戶的需求將顯著低於2024年和2025年，尤其會降低DUV業務的需求。

ASML 預計 2025 年的銷售淨額會比2024年成長15%，毛利率約為52%，而2026年的總銷售淨額會較2025 年成長，尤其是在EUV業務上，詳細情況會留待2026年初的財報會議上說明。公司並且重申，預計到2030年，營收將有機會達到440億～600億歐元，毛利率將達到56％～60％的目標。

針對ASML擔任人工智慧公司Mistral AI的C輪融資領投方，雙方未來合作的方向為何？ ASML指出，Mistral AI以B2B模式而聞名，其大型語言模型的品質也得到了認可，尤其是在軟體編碼和軟體編碼開發方面。很多人關注ASML多偏硬體方面，但未來系統中的軟體也非常重要，利用軟體的能力來協助掃描器的精度和速度，提升計量和檢測的水平。整體而言，要讓AI提高產品開發速度，縮短產品開發到客戶上市的時間，這正是ASML投資Mistral AI的關鍵原因之一。目前對Mistral AI的持股為11％，也在其戰略委員會中擁有席位。

 

連于慧 2025.10.13
DDR4晶片缺貨的情況已經不用廠商拿揚聲器奔相走告，只是缺口多大？ 漲勢會延續多久？ 應用端會不會加速轉到DDR5後，DDR4就不缺了？ 是各界對於南亞科今日法人說明會上的共同疑問。

相較於威剛以「記憶體市況會讓人好到頭痛！」來形容當前DDR4缺貨的市況，南亞科總經理李培瑛一如以往的溫和且有條不紊的解釋了外界對於上述的所有疑問。只是，以目前DDR4幾乎「停不下來」的漲勢，加上DDR5「騷動」般的報價姿態，不禁讓人聯想：睽違多時的DRAM產業「賣一顆賺一顆」巔峰好光景是否已經在路上？ 李培瑛被問到此題時僅說：這段時間價格的漲幅讓大家覺得很驚訝，但事實上是，DRAM已經賠了三年，我們還曾經賣一顆賠一顆，現在的價格只是恢復市場健康漲幅而已。他臉上的笑容仍是掩飾不住內心的狂喜！

以下是南亞科法說會中，對於DRAM市況幾個關鍵點的回應。

當前的DDR4市場缺口有多大？
目前整個DRAM市場中，DDR4+LPDDR4還佔有20％比重，單是看DDR4的缺口就超過10％。從供給端角度看，從DRAM轉去做高頻寬記憶體HBM的機台設備很難再轉回來生產DRAM晶片。從應用端來看，因為眼前的DDR4晶片缺貨，以及價格上漲太多，確實有部分的終端應用會加速從DDR4轉到DDR5，其中：

PC端應用從DDR4轉到DDR5的速度會比較快。
雲端伺服器也有部分還在用DDR4，也會有部分轉到DDR5，但速度會慢一點。
消費性電子產品馬上轉進DDR5的機率相對較低，少部分像是16Gb高密度產品可能會轉比較快，但消費性產品最多是在8Gb上，估計會停留在DDR4時間較長，如果轉用DDR3只有4Gb可以用。


DRAM價格漲勢可以維持多久？
南亞科第三季的ASP上漲了40％，第四季很有信心會在持續上漲，展望2026年的價格趨勢，看法是相當穩健。

全年營運能否轉虧為盈？
南亞科對於第四季看法正面，會努力讓今年全年的營運轉虧為盈，2026年會是很不錯的年。

中國長鑫存儲目前DDR4供應狀況如何？以及DDR5的競爭力？
其實長鑫存儲的DDR4很早就宣布不再生產了，甚至比其他三家國際大廠EOL的時間點還要早。 至於DDR5產品的競爭力，南亞科認為不方便評論。

南亞科目前DDR5的進度如何？看到什麼訊號會加速把產能轉進DDR5？
南亞科指出第三季DDR5晶片產出接近10％，代表已經獲得市場和客戶的認證。目前公司的做法是把DDR5的基礎打好，把客戶耕耘好，等待機會伺機而上。雖然現在DDR5價格沒有DDR4甜蜜，但以長遠的角度來看，DDR5是未來需要經營到產線。目前南亞科在DDR5產品上，PC和伺服器的客戶都有。

這一波DRAM缺貨是由AI熱潮帶動，怎麼看AI熱潮的持續度？
目前雲端伺服器使用的DRAM量佔42%，其中9％為AI伺服器，比重仍在持續成長中。隨著各大科技巨頭都在積極打造AI基礎建設，雲端AI成長的腳步會持續快速前進，這是一場長期的國力與算力競賽。於此同時，算力從雲端下放到邊緣端也會同時發展，邊緣AI發展的速度會越來越明顯，各種邊緣AI應用包括手機、機器人、汽車等等，會使用到越來越多的DRAM晶片，產業榮景會持續到2026年。

DDR4的缺貨潮有沒有重複下單的跡象？
目前整個市場的供應遠低於需求量非常多，公司也會去調查客戶的真實需求，發現目前市場的供給完全無法符合客戶需要的量。

這一波DDR4大缺貨的源頭因素為何？
主要還是AI興起後，需要非常非常大量的運算型記憶體，也只有DRAM可以幫CPU和GPU的速度變快。在2023年、2024年時，每一家記憶體廠都虧損累累，直到OpenAI橫空出世後，整個產業需要非常大量Nvidia的AI伺服器，裡面用了很多的高頻寬記憶體HBM，而HBM本身就是一種DRAM，因此導致DRAM使用量和需求量一下子成長非常快速。但是初期，整個市場的兩極化十分明顯，只有AI相關的應用好，其他非AI應用需求還是很差，因此記憶體大廠開始進行供應鏈的內部產能調整，因為DDR4市場相對其他產品變得非常小，因此大廠們開始把DDR4的產能都轉去做DDR5，供給端這一個關鍵性的改變，從此帶動DDR4價格翻轉，從谷底翻身。

南亞科與鈺創合攻邊緣AI，預計何時可以貢獻營收？
目前技術和產品都在開發中，進度順利，預計2027年會開始對營運有貢獻。

 

連于慧 2025.9.22
聯發科發布天璣系列迄今最強大的行動晶片天璣9500，該5G Agentic AI晶片是採用台積電第三代3奈米製程，整合最新的全大核CPU、GPU、NPU、ISP等高算力處理器，是AI時代下集大成之作，為裝置端AI、影像處理、主機等級遊戲體驗與網路通訊等技術開啟新紀元，首批採用天璣9500晶片的智慧型手機將於2025年第四季上市。

聯發科總經理暨營運長陳冠州指出，公司營業額已經成長到5000多億，總員工人數接近2萬人，一年生產20億個終端產品，包含了大家口袋裡的手機、家裡的電視、路上跑的車子，目前聯發科手機晶片全球市占率近40%，天機家族更從手機成功延伸至汽車領域。 目前天機汽車平台有9家車廠採用，天璣汽車解決方案已經累積超過2000萬台汽車搭載，未來汽車技術走入ADAS、自駕技術，聯發科在汽車佈局上的影響力會進一步提升。

陳冠州更指出，全球半導體產業即將迎來一個1兆美元的市場（目前約6000億美元），背後最大驅動力毫無疑問是AI。 無論是伺服器端的投資，或是來自大型雲端CSP的資本支出，將帶動3000億～4000億美元投入，預計有40% 投入晶片端，形成打造生成式AI的基礎建設，就像過去在建置電力或網路，一旦基礎建設完成，兩、三年之後，生成式AI將會滲透到大家生活上的各方面上。

在生成式AI普及的路上，聯發科的優勢在於跨雲端和終端。 AI的爆發力從雲端開始，未來2～3年生成式AI趨勢會讓AI逐漸從雲端下沉到端側，手機將會是AI在端側最重要的載體，「AI手機」概念成形後，滲透率會快速提升。

什麼是「AI手機」？ 現在的手機本質上還是延續了蘋果在17、18年前所定義的模樣，雖然大量導入AI技術反應在拍照、遊戲等場景，但這還不是真正最終形態的AI手機。隨著生成式AI技術的導入，未來的AI手機將會重新定義人與手機互動的方式，帶來完全不同的使用者體驗：

第一，主動即時
現在的手機與使用者互動是「被動式」的：你需要什麼服務，打開一個APP，再透過圖形介面操作。但未來的手機會 主動理解並即時回應，它能預先知道你的需求，甚至主動幫你完成事情。

第二，理解與個人化
手機之所以能做到主動，是因為它「懂你」。它會透過持續的互動與記憶，理解你的需求，並提供客製化、個人化的服務。在這樣的架構下，每支手機都有專屬的Agent為你量身定做服務。

第三，互動與協作
未來手機不僅僅是各式各樣 APP 的集合，而是能協同調度、整合不同服務，提供更完整、跨應用的體驗。

第四，隱私與安全
要做到真正的個人化，手機需要處理大量屬於使用者的隱私數據，因此如何保障數據安全與隱私，將是未來AI手機必須解決的核心挑戰。

這次聯發科推出的天璣95000在CPU架構上，是四超大核 + 四大核的全新組合：1個Arm C1-Ultra 超大核，主頻高達 4.1 GHz + 3個Arm C1-Premium超大核 + 4個Arm C1-Pro大核。單核性能較上一代提升32%、多核性能提升17%，峰值性能下的多核功耗較上一代下降37%。天璣9500採用台積電第三代3奈米製程，超大核較上一代同性能功耗降低55%。

記憶體方面，天璣9500首次在行動平台上導入全新快閃記憶體架構，並且是業界首發四通道 UFS 4.0，較上一代雙通道讀寫速度提升達100%，大型檔案的載入速度提升40%。

天璣9500搭載新一代旗艦GPU Mali G1-Ultra，峰值性能較上一代提升33%，功耗較上一代下降42%，光線追蹤性能較上一代提升119%。

NPU方面，天璣9500整合雙AI處理器NPU 990，峰值性能相較上一代提升111%，在大語言模型智慧摘要的輸出能力、多模態理解能力皆有大幅躍進，並率先達成4K畫質圖片生成。

NPU 990還整合了生成式AI引擎2.0，首款支援BitNet 1.58 bit模型，能藉由減少裝置端AI運算的記憶體使用需求來降低模型運作的功耗。天璣9500的超能效NPU亦為第一款支援運算與記憶體結合架構的NPU，可顯著降低模型運作功耗，使其能常時運行，讓Agentic AI成為可能，並進一步提升使用者體驗。



Nvidia出手投資英特爾，且雙方在PC晶片上的結盟是否會影響到Nvidia與聯發科的合作？


近期Nvidia出手投資英特爾一事，牽動整個半導體版圖，黃仁勳的傑出一手也間接讓聯發科、AMD、Arm承壓。 尤其是Nvidia與英特爾在PC晶片上的合作模式，與Nvidia與聯發科的模式相似，外界疑惑隨著Nvidia與英特爾結盟，是否會讓聯發科這邊的合作生變？

陳冠州指出，聯發科與Nvidia無論在產品或技術上的互補性都很高，雙方合作不會侷限在單一產品，會涵蓋終端運算、雲端、車載等領域，雙方的合作一切按進度在進行中，未來2～3年會有結果。

因為Nvidia與聯發科的合作，是基於Arm架構AI PC晶片，而Nvidia又仿效與聯發科在PC晶片的合作，放在與英特爾的合作模式上。外界猜測Nvidia這樣的操作，是為了雙押寶Arm和x86兩大陣營，還是其實對Arm PC陣營不是這麼有信心？ 




聯發科也將在台積電的美國廠投片


聯發科也會在台積電的美國亞利桑那州廠投片2奈米製程。 聯發科日前才公布是台積電2奈米製程的首批合作夥伴之一，預計2026年第四季量產。陳冠州也表示，考慮在台積電的美國廠投片，主要是因應部分美國車用和敏感產品客戶的要求，以及因應未來可能的晶片關稅問題。




今明兩年手機市場成長率皆僅2～3％

 
對於今、明年手機市場的成長性，聯發科指出，2025年全球手機市場成長率僅1～2％，估計2026年成長率頂多也是成長1～2％，雖然中國手機市場有看到因為補助政策的刺激，今年上半表現較好，但這有點提前預支未來需求的味道，並未改變整個市場需求。

聯發科指出，這兩年整體手機的數量沒有增加多少，但旗艦手機和次旗艦手機的比重正在提升中，主要是大家對拍照能力的要求越來越高，甚至要能媲美單眼相機，其次是手機上追求PC級的遊戲體驗，未來的AI手機將會形成另一波更大的驅動力。

聯發科目前在全球手機市場的市佔率約40％，旗艦手機晶片的市佔率略低於平均。從2022年開始進入旗艦手機市場，平板領域也從中國市場逐漸跨入國際領域，接下來目標是將旗艦手機晶片的全球市占率也拉至40％以上。

 

連于慧 2025.9.18

無論是我們使用的ChatGPT，或著像是邊緣推理運算也逐漸改變我們使用手機的方式，又或是功能複雜的自動駕駛汽車對於晶片的需求倍增，人工智慧AI正在各行各業急速發展，改變我們的生活型態。 應用材料(Applied Materials)異質整合事業部業務負責人Manish Ranjan在SEMICON Taiwan 2025活動上指出，AI是當今時代最巨大的科技推動力，且正從根本上重塑半導體產業的格局，單純依靠前端製程微縮已無法滿足AI時代的效能，未來延續摩爾定律最關鍵的技術將是：先進封裝與異質整合。

Ranjan指出，異質整合已成為突破性能瓶頸的關鍵解決方案，它能在單一封裝內整合不同技術節點、功能和尺寸的晶片，為半導體廠提供設計和製造的靈活性。而異質整合技術真正的挑戰並非在於晶片的堆疊和組裝，而是基礎材料，要能確保提升系統性能的同時，還能降低互連電阻，從而實現了突破性的技術進步。

應用材料指出異質整合領域的技術突破有三個關鍵創新方向：
 混合鍵合技術：實現更精密的晶片間互連結構，以滿足高密度封裝要求，可以改HPC與AI的能效問題。
 面板加工：先進基板的轉變正在推動面板級加工技術的普及。應用材料提供一套面板加工工具，可為封裝應用提供前端圖案化，憑藉著應用材料在顯示工具市場處理大尺寸基板的經驗。
 基板創新：先進基板能夠連接多個晶片，具有高I/O密度和資料頻寬。與傳統有機基板相比，玻璃基板具有卓越的電氣性能和熱管理能力，代表了下一代先進封裝的關鍵技術方向。
 
目前，應用材料公司台灣生態系統廠商合作，利用創新的數位光刻技術加速晶圓和面板上二維/三維封裝的規模化。應用材料的整合解決方案支援台灣領先的封裝技術，包括矽通孔 (TSV)、混合鍵合和玻璃基板。同時，應用材料也與台灣工研院在面板級測試平台領域合作，旨在為產業從晶圓級到面板級中介層製程的轉型，提供新的設備解決方案，提供改變世界的材料創新。

應用材料目前在封裝市場佔有相當高的份額，遠高於公司整體晶圓廠設備的份額。應用材料指出，已為未來的架構變革做好了充分的準備，我們的封裝業務預計在未來幾年內將成長一倍以上，達到30億美元以上。

 

連于慧 2025.9.16
DRAM產業再度出現極為罕見的「價格倒掛」奇觀！ 上一次「價格倒掛」是今年6月DDR4現貨價首次超車DDR5報價，這次傳出9月8Gb DDR4合約價已經成交來到5.7美元，不但比8月合約價3.9美元再度暴增近50％，更是近年來首度出現DRAM合約價「超車」現貨價的另一番奇特景象，這代表OEM系統廠深怕後面買不到足量的DDR4晶片，因此願意不斷加碼跟DRAM廠商要貨。

DDR4再現難得一見的合約價超過現貨價後，恐逼迫想「休兵」的現貨價通路商只能持續出手追高價，呈現現貨、合約兩者都爭相向上比價，多年難得一見的景象！

記憶體業者指出，8Gb DDR4合約價再度從8月3.9美元大漲至9月5.7美元，隱約透露一個訊息：三星、SK海力士等上游記憶體大廠並沒有意願要延後DDR4退出舞台EOL的時間點，他們想逼著OEM系統客戶把產品的設計，從搭配DDR4晶片轉換到使用DDR5晶片，因此釋出的DDR4顆粒相當有限，強迫讓系統廠去修改產銷規劃，多賣一點搭配DDR5記憶體的機種，全面升級多用點DDR5。

上周也傳出美光DRAM開始暫停報價，對DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5 等協議價格都取消。業界指出，美光很快要進入財報發佈日，此時突如其來的暫停報價舉措，應該是盤點了客戶需求預估，與自己生產規劃和庫存狀況後，看到後面AI伺服器、傳統伺服器、車用電子等需求都持續強勁，將出手釀下一輪高幅度的漲價比重，推估DRAM漲價幅度根據不同應用品項會落在20％～40％。

如無意外，經歷DDR4瘋狂上漲，今年6月首次價格超車DDR5的第一次「價格倒掛」，以及9月首次8Gb DDR4合約價超車現貨價的第二次「價格倒掛」後，接下來「重頭戲」是DDR5漲價要準備粉墨登場，唯有扮演主流角色的DDR5漲價訊號出現，整個DRAM產業才能稱為是一場完美無缺的漲價風暴！

業者認為，這次DDR4晶片的嚴重缺口是始於DRAM原廠都把產能資源拿去生產HBM和DDR5晶片，三大廠退出DDR4形成的巨大缺口，但仍是有相當數量的低價手機、家電產品、機上盒、車規、工規等應用需要DDR4晶片，需求不可能馬上消失，也無法立刻去升級搭配DDR5晶片。

有研究機構推估，從現在到2026年底，全球DDR4產能只會剩下現在的三分之一，但需求減少的速度不會這麼快，這一次的DDR4缺口的時間，可能會比我們預測的長很多。
 

連于慧 2025.9.16

聯發科宣佈，首款採用台積電2奈米製程的旗艦系統單晶片（SoC）已成功完成設計定案（tape out），成為首批採用台積電2奈米製程的公司之一，並預計2026年底進入量產。

聯發科與台廠電一直以來持續在旗艦行動平台、運算、車用、資料中心等應用領域，一同打造兼具高效能與低功耗的晶片組，而此次合作更象徵雙方堅實夥伴關係的全新里程碑。

聯發科指出，台積電的2奈米製程技術首次採用能夠帶來更優異的效能、功耗與良率的奈米片（Nanosheet）電晶體結構，且聯發科首款採用台積電全新2奈米製程的晶片，也預計於2026年底上市。

台積電強化版2奈米製程技術與現有的N3E製程相比，邏輯密度增加1.2倍，在相同功耗下效能提升高達18%，並能在相同速度下功耗減少約36%。聯發科總經理陳冠州表示，此次採用台積電2奈米製程技術的晶片開發，再次展現我們領先業界，將先進半導體製程技術廣泛應用到多元解決方案的創新能力，與台積電的長期緊密合作，讓聯發科旗艦產品擁有最高效能與最佳能效，為全球客戶帶來從邊緣到雲端的卓越解決方案。

台積電業務開發、全球業務資深副總經理暨副共同營運長張曉強博士表示，2奈米技術標誌著進入奈米片時代的重要一步，展現了台積電為滿足客戶需求所付出的不懈努力，通過持續調整和提升我們的技術，提供高效能的計算能力。台積電與聯發科技持續合作，旨在最大化提升性能與能效，覆蓋廣泛的應用領域。
 

前言：記憶體進入全面十年難得一見的超級景氣循環時代 ，不但是NAND Flash、DRAM、NOR Flash三大記憶體齊漲，HDD廠WD也來湊熱鬧發了一封漲價函。

連于慧 2025.9.15

業界透露，原本在中芯國際代工NOR Flash晶片的NOR大廠北京兆易創新GD，開始減少在中芯國際的代工業務，尋求與其他晶圓代工廠合作。一方面是中芯國際的產能有其他規劃，另一原因是兆易創新有很多海外客戶，需要執行非中國的晶圓廠生產（Out of China）計畫，因此，傳出兆易創新來台找力積電談合作，但傳力積電要考慮產能與製程來判斷是否承接，也傳出兆易創新也有找華虹談，確保後續產能充足。

關鍵是，原本兆易創新在中芯國際代工的產能數量非常大，傳出中芯減少代工的比重達到2/3，推估減少晶圓可能接近4000～5000片NOR Flash產能，這樣數量的NOR Flash在尋求轉換晶圓廠的過程中，不可能完美的順利銜接，因為轉廠要磨合技術、良率、產品重新認證等流程，勢必會造成接下來的一段不短的時間，NOR Flash會出現缺口。

因此，傳出原本第四季才要漲價的NOR Flash晶片，中國市場報價提早宣布9月1日開始先漲價5％～10％，就是看到兆易創新轉廠造成的缺口即將發酵，最大受惠者是旺宏和華邦！

眼前的NOR Flash產業，等同是出現供給端減少（GD轉廠），加上需求端的使用量也是倍增，NOR Flash產業將會出現一段時間不小的缺口，因此中國在9月忍不住提前漲價後，第四季NOR Flash價格估計也會再漲，至於這缺口何時收斂，以及後續的漲價幅度，要看需求端能有多熱？ 以及兆易創新轉換晶圓廠生產的磨合是否順利。

值得注意的是，近期NAND Flash和DRAM價格已經率先起漲，而且漲價的形成原因和結構非常結實，現在連NOR Flash都加入漲價行列，而且是供需端完美配合的漲價結構，這次可以說是記憶體產業十年難得一見的超級行情，NAND Flash、DRAM、NOR Flash三大記憶體品項全部進入供不應求的漲價時代！

這次的記憶體缺貨潮，追究最初原因，是由AI伺服器上使用的HBM高頻寬記憶體帶動，HBM技術不好做，生產過程又大量消耗且排擠傳統的DRAM晶圓產能，讓原本供過於求的DRAM產能命運翻轉。 AI資料中心的崛起，讓HBM開始排擠DDR5，然後三大記憶體廠三星、SK海力士、美光為了打贏AI這場利潤豐厚的戰役，決定把所有資源投注到HBM和DDR5，退出舊產品DDR4生產。

但問題是：DDR4還有很多的產品都用得到，像是機上盒、車規、工規、低價手機晶片等，就算要把這些應用品項從DDR4引導到DDR5設計，也不是一時半刻可以完成，最後造成DDR4極度缺貨，僅存的台系DRAM供應商南亞科、華邦成為最大受惠者。

NAND Flash、DRAM、NOR Flash三大記憶體正式宣佈進入十年難得一見的超期景氣循環時代，連HDD廠威騰WD都來湊熱鬧，發了一封漲價函，表示也要調漲HDD的價格。如果要評比，這一波缺貨缺最兇的應該還是DDR4，三大記憶體廠撤守DDR4全力拼HBM和DDR4是正確道路，但創造出來的DDR4需求缺口，搞不好都不是一整個南亞科可以補足的。

DDR4價格早已經飆漲，原本市場認為是短期缺口，只要三星、SK海力士轉回一點產能生產DDR4，整個DDR4缺貨的情勢就會逆轉，但是對記憶體大廠而言，根本沒有轉回來生產DDR4的必要性。之前是傳出下游系統客戶擔心缺貨，因此拜託三星、SK海力士繼續生產DDR4，不要這麼快EOL（end of lie），不過這個傳言後來也被威剛說明，表示三星並沒有讓DDR4延後EOL。

一句話評論近期的記憶體市場：Welcome to the era of rising memory prices!!! 
NAND Flash、DRAM、NOR Flash、HDD四箭齊漲！！

 

近期新浪網等中國媒體從天眼查的工商資訊變更中發現，華為旗下的海思半導體原董事長暨關鍵人物徐直軍卸任，由原本海思總經理高戟接任。不僅如此，多位華為的高階主管退出海思半導體董事會，包括華為的輪值董事長胡厚崑，以及曾經擔任華為輪值董事長的郭平等。

值得關注的是，海思半導體的老臣中，少數留任董事會的是何庭波，讓她聲名大噪且浮上檯面的事件，是2019年美國以出口管制全面封殺華為時，她對海思員工發出的信中指出，「歷史的選擇，讓我們打造的（晶片）備胎，一夜之間全部轉正！」鏗鏘有力的宣言，當時轟動全中國。

談到華為，一般人會直接聯想到任正非，或是主掌手機和電動車，有「余大嘴」之稱的余承東，不然就是無預警在加拿大溫哥華豪宅「旅居」兩年的孟晚舟，但其實華為真正的核心人物，除了任正非，就是徐直軍！ 徐直軍畢業於南京理工大學，1993年加入華為。任正非曾經形容徐直軍：「這人是我浪費1000個億培養出來的，不！已經2000個億了！」

徐直軍卸下海思董事長職務，此事相當微妙。目前，徐直軍仍是華為三位輪值董事長之一（另兩位為孟晚舟和胡厚崑）。他卸任海思的實際原因不明，外界推測是職務輪調，但或許可以再觀察發展。 曾有人這樣形容華為：別以為任正非是華為最有權力的人，他是精神領袖，華為真正的「兵權」是握在管理研發的人手上，而這個人就是徐直軍。 很多業界的人看在心裡，但嘴上不說破的是：這幾年孟公主掌權，徐最大的風險是，權力太大，功高震主，大忌。

徐直軍確實掌握華為的研發兵權，能力和戰績是毫無疑問，加上任正非對華為持股僅約1％，因為華為多數股權是員工持有（登記在公司工會委員會底下），徐直軍在華為的實權不可小覷。但這幾年有一件事，徐可能會被小小「挑惕」一下，那就是傳說中，華為遍地開花的半導體晶圓廠，進度與成果似乎沒有達到預期成效。 雖然這本來就不是一件易事，但華為跨入晶圓製造背負的意義已經跳脫一般正常商業邏輯考量。

這次少數留在海思董事會的何庭波，也是海思非常關鍵的人物。她在1996年加入華為，而海思半導體是在成立於2004年成立，是華為旗下全資持有的子公司。 何庭波是海思成立時的幾位重要幹部之一，但當時她並非是最初的掌舵者。當時華為給海思的第一桶金，大概三年就燒光了，後來華為再給海思6000萬美金，由何庭波來主導，海思半導體才做起來。

初期海思的產品現是以安控、通訊晶片為主，在中國半導體圈的聲量和影響力不大。當時，台積電在中國市場最重要的IC設計客戶是展訊，大概是2013年之後，華為推出麒麟晶片替代高通，與台積電合作28奈米製程，海思整個技術實力、出貨量，以及在台積電的客戶排名才開始往前竄。

華為海思最高峰的時期，佔台積電中國區營收接近70%。當時的海思對台積電還有一個戰略性意義，因為蘋果是台積電全球最大客戶，但iPhone一年就發布一款（不看周邊產品），相當於蘋果產品線的投片、拉貨、營收挹注曲線的季節性過於明顯，而海思的產品性廣，加上產品週期與蘋果不同，剛好可以填補台積電各種製程產能在淡季時的缺口。

當華為因為被美國列入出口管制名單，台積電無法出貨之後，原本各界都以為海思在台積電中國區的生產和產能缺口，應該是沒有單一客戶可以補得上來。但時機就是這麼湊巧，遇上比特幣的時代，中國又出了比特大陸這麼一家客戶，當時比特幣價格大好，比特大陸硬生生把華為的先進製程產能（應該是5奈米）扛了起來。只能說，兩方運氣都很好，一個如期拿到業績，居然有人能吃得下華為空出來的5奈米產能，而比特大陸剛好在對的時間拿到充足晶圓，狠狠賺了一波（然後之後才可以惹出這麼多事…），當然之後幣圈價格大漲大跌，就不討論了。

 

連于慧 2025.9.12
德商儀艾銳思半導體ERS在今年度積極探索SEMICON Taiwan，ERS執行長Laurent Giai-Miniet和ERS台灣董事總經理Sébastien Perino對台灣媒體介紹了ERS發布的一系列先進解決方案，以及持續投資台灣的承諾。

ERS執行長 Laurent Giai-Miniet 指出，台灣是先進封裝的主戰場，其OSAT 與晶圓廠在 CoWoS、HBM 堆疊與 Fan-out 技術上領先全球，ERS也在2024 年於竹北成立辦公室，並於2025年在竹北設立了Demo Center。 Demo Center 將展示最新 LumosON 600 S1 光學剝離系統、AC Free Fusion 卡盤與液冷 2.5 kW 解決方案。 2024年台灣市場在 2024 年貢獻了公司總收入的33％，預計今年將上升至 48％，預計2030年台灣市場可貢獻ERS一半的營收，他也重申ERS ​​對台灣市場的長期承諾，並特別強調了全面投入營運的竹北演示中心，該中心為客戶提供親身體驗 ERS ​​最新設備的平台，並由專業的本地團隊提供銷售、工程和技術服務支援。

ERS指出，隨著 AI、HPC、HBM 與 面板級封裝 (PLP) 成為產業焦點，在晶片越來越大、越來越薄的發展趨勢下，會帶來兩大挑戰：

第一，高功率散熱 (thermal management)：AI/GPU 測試功率動輒超過 2.5kW。

第二，翹曲控制 (warpage control)：大尺寸、超薄晶圓與面板在製程中容易變形，直接影響良率。

Laurent強調：「許多公司可以量測翹曲，但只有 ERS 能在生產現場同時量測、即時修正並修復晶圓。」

ERS 針對GPU、HBM 和 AI 驅動的應用領域展示了ㄧ系列的創新產品包括：

• 用於晶圓探測的熱卡盤系統，具有高達 2.5kW 的高功耗能力，可用於測試 AI 晶片、GPU、DRAM/NAND 等高性能元件。
• LumosON 光熱解鍵合機，業界領先的超薄晶圓和麵板臨時鍵結和解鍵結(TBDB) 解決方案，支援扇出型 (Fan-out)、HBM 和 CoWoS 平台。
• 翹曲調整解決方案和測量工具 Wave3000，具有非接觸式傳輸、翹曲校正和晶圓和麵板 3D 計量功能。

為了滿足AI/HPC對良率和穩定性的需求，ERS強調其三大核心技術的差異化優勢：

第一，溫控晶圓卡盤 (Thermal Chuck Systems)：ERS 起家於溫控晶圓卡盤，至今已有 55 年經驗。最新液冷式溫控卡盤，可支援 2.5 kW 高功率晶片測試，溫控精度達 0.1 °C，全球已安裝超過 10,000 台設備，技術成熟並獲得市場驗證。

第二，翹曲修正與修復 (Warpage Correction & Repair)：多數競爭對手只能量測翹曲，ERS則能即時量測，加上動態修正 +修復，ERS採用三溫區控制系統，並整合 Wave3000 3D 翹曲量測工具，在 µm 級精度下進行製程控制，這使 ERS 成為業界少數能真正「解決」而非只「監測」翹曲的供應商。

第三，光學剝離 (PhotoThermal Debonder)傳統雷射剝離 (Laser Debonding) 容易造成局部過熱與材料損傷，ERS 的 LumosON光學剝離機採用閃光燈 (flash lamp) 取代雷射，能量分布均勻、過程更溫和。再者，其成本比雷射低 30%，良率更高，適用於超薄晶圓、Fan-out、HBM 與 CoWoS 封裝。